2015 International Conference on Solid State Devices and Materials

2015年9月27日〜 2015年9月30日
Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan

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[F-7-4] Robust and High Sensitive Myoelectric Signal Detection utilizing Stochastic Resonance with Carbon Nanotube Composite Paper-based Surface Electrodes

^○K. Shirata¹, S. Kasai¹, T. Oya², Y. Hagiwara³, S. Kaeriyama³, H. Nakamura³ (1.Hokkaido Univ., 2.Yokohama National Univ., 3.STARC(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月30日(水) 11:45 〜 12:00 |PDF ダウンロード

[F-7-5] Respiratory Sensor Measuring Capacitance Constructed Across Skin

M. Terasawa¹, S. Kumagai¹, ^○M. Sasaki¹ (1.Toyota Tech. Inst.(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月30日(水) 12:00 〜 12:15 |PDF ダウンロード

[F-7-6] Monitoring of Hydroxyapatite Crystal Formation using Field Effect Transistor

^○T. Kajisa¹, T. Sakata² (1.PROVIGATE Inc., 2.Univ. of Tokyo(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月30日(水) 12:15 〜 12:30 |PDF ダウンロード

[G-1-1] (Invited) Ultrapure Diamond Growth by Chemical Vapor Deposition

^○T. Teraji (1.NIMS(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月28日(月) 14:00 〜 14:30 |PDF ダウンロード

[G-1-2] Effect of Stacking Faults on Magnetic Flux Pinning in Boron-Doped Superconducting Diamond Films

^○M. Shibata^1,2, T. Kageura^1,2, T. Yamaguchi³, Y. Takano³, H. Kawarada^1,2 (1.Waseda Univ., 2.Kagami Memorial Res. Inst. For Materials Sci. and Tech., 3.NIMS(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月28日(月) 14:30 〜 14:45 |PDF ダウンロード

[G-1-3] Beyond 10 μm Thick Crack-Free GaN Growth on Si for High Power Device Applications

^○A. Tanaka¹, R. Chen¹, S. A. Dayeh¹ (1.Univ. of California, San Diego(USA))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月28日(月) 14:45 〜 15:00 |PDF ダウンロード

[G-1-4] Electrical Characteristics of N-polar p-type GaN Schottky Contacts

^○T. Aoki¹, T. Tanikawa², R. Katayama², T. Matsuoka², K. Shiojima¹ (1.Univ. of Fukui, 2.IMR, Tohoku Univ.(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月28日(月) 15:00 〜 15:15 |PDF ダウンロード

[G-1-5] Novel Evaluation Technique of GaN Surfaces Using Laser-induced Terahertz Emission

^○Y. Sakai¹, I. Kawayama¹, H. Nakanishi², M. Tonouchi¹ (1.Osaka Univ., 2.SCREEN Holdings Co., Ltd.(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月28日(月) 15:15 〜 15:30 |PDF ダウンロード

[G-1-6] In Situ Synchrotron X-ray Diffraction Studies of Nitride Semiconductor Materials

T. Sasaki¹, ^○M. Takahasi¹ (1.Japan Atomic Energy Agency(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月28日(月) 15:30 〜 15:45 |PDF ダウンロード

[G-3-1] High-density Self-assembled Quantum Dots of InGaAs for Ultrafast and Efficient Spin Injection

^○J. Takayama¹, T. Kiba², T. Yamamura¹, D. Yamazaki¹, S. Chen¹, A. Murayama¹ (1.Hokkaido Univ., 2.Kitami Inst. of Tech.(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月29日(火) 09:00 〜 09:15 |PDF ダウンロード

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