[A-6-1] (Invited) Si and SiN Biophotonic Technology Platform, Applied to Biosensing, Spectroscopy, and Lens-Free Imaging

^○W. Van Roy¹, P. Neutens¹, T. Claes¹, R. Jansen¹, A. Subramanian², K. Jans¹, R. Vos¹, J. O'Callaghan¹, D. Vercruysse¹, R. Stahl¹, V. Mukund¹, B. Du Bois¹, P. Helin¹, A. Stassen¹, S. Severi¹, D. Martens², P. Bienstman², P. Deshpande¹, R. Baets², A. Lambrechts¹, L. Lagae^1,3, X. Rottenberg¹, P. Van Dorpe^1,3 (1.Imec, 2.Ghent Univ., 3.KU Leuven(Belgium))

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[A-6-2] Stretchable Photonic Crystal Coupled-Nanobeam Lasers for Stretch Sensing

^○C. Wang¹, T. W. Lu¹, P. T. Lee¹ (1.National Chiao Tung Univ.(Taiwan))

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[A-6-3] Gold Bowtie Aperture with Projected Pad Underneath and Its Capability in Optical Sensing

^○P. Y. Chen¹, T. W. Lu¹, P. T. Lee¹ (1.National Chiao Tung Univ.(Taiwan))

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[A-7-1] Heterogeneous Quantum Dots/Silicon Photonics Wavelength Tunable Laser Diode

^○T. Kita¹, N. Yamamoto², T. Kawanishi², H. Yamada¹ (1.Tohoku Univ., 2.National Institute of Information and Communications Technology(Japan))

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[A-7-2] Waveguide InGaAs Metal-semiconductor-metal Photodetector Monolithically Integrated with InP Grating Coupler on III-V CMOS Photonics Platform

^○Y. P. Cheng^{1, 2}, Y. Ikku^{1, 2}, M. Takenaka^{1, 2}, S. Takagi^{1, 2} (1.Univ. of Tokyo, 2.JST-CREST(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月30日(水) 11:00 〜 11:15 |PDF ダウンロード

[A-7-3] 1.3 μm Photoluminescence from InAs/GaAs Quantum Dots on CMOS-compatible (001) Silicon by Metal-organic Chemical Vapor Deposition

^○Y. Wan¹, Q. Li¹, Y. Geng¹, K. M. Lau¹ (1.Hong Kong Univ. of Sci. and Tech.(China))

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[A-7-4] Optical and Electronic Properties of Ga(N,As,P) Quantum Wells on Silicon for Laser Application

^○S. Gies¹, S. Karrenberg¹, M. Zimprich¹, T. Wegele¹, C. Kruska¹, A. Beyer¹, W. Stolz¹, K. Volz¹, W. Heimbrodt¹ (1.Philipps Univ. Marburg(Germany))

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[A-7-5] The Influence of III-V on Insulator Structure on Quantum Well Intermixing

^○S. Takashima^1,2, Y. Ikku^1,2, M. Takenaka^1,2, S. Takagi^1,2 (1.Univ. of Tokyo, 2.JST-CREST(Japan))

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[A-7-6] Fabrication of Two-Color Surface Emitting Device of a Coupled Cavity Structure with InAs QDs Formed by Wafer-Bonding

^○H. Ota¹, C. Harayama¹, T. Maekawa¹, X. M. Lu¹, N. Kumagai¹, T. Kitada¹, T. Isu¹ (1.Tokushima Univ.(Japan))

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[A-7-7] Demonstration of Two-Wavelength Lasing in a GaAsP Ring/Fabry-Perot Composite Cavity Semiconductor Laser

^○A. K. Saha¹, T. Suhara¹ (1.Osaka Univ.(Japan))

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