2018 International Conference on Solid State Devices and Materials

2018年9月9日〜 2018年9月13日
University of Tokyo

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[D-1-01 (Invited)] Novel Vertical GaN Power Devices

Y. Zhang¹, M. Sun¹, A. Munoz¹, J.A. Perozek¹, X. Gao², K. Shepard³, S. Bedell⁴, D. Sadana⁴,^○T. Palacios¹ (1.MIT (USA), 2.IQE RF LLC (USA), 3.Columbia Univ. (USA), 4.IBM T.J. Watson Res. Center (USA))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月11日(火) 14:00 〜 14:30 |PDF ダウンロード

[D-1-02] Effect of GaN Drift-Layer Thicknesses in Vertical Schottky Barrier Diodes on Free-Standing GaN Substrates

^○A. Sandupatla¹, S. Arulkumaran^2,3, G.I. Ng^1,2, K. Ranjan^1,2, M. Deki³, S. Nitta³, H. Amano³ (1.School of EEE, Nanyang Technological Univ. (Singapore), 2.Temasek Labs., Nanyang Technological Univ. (Singapore), 3.Nagoya Univ. (Japan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月11日(火) 14:30 〜 14:45 |PDF ダウンロード

[D-1-03] Threshold Voltages of AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor Devices Depending on Al_xTi_yO Gate Insulator Compositions

^○D.D. Nguyen¹, S.P. Le¹, T. Suzuki¹ (1.Japan Advanced Inst. of Sci. and Tech. (Japan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月11日(火) 14:45 〜 15:00 |PDF ダウンロード

[D-1-04] A Compact Model of MOS Capacitors Taking Deep Level Trap Effects into Account

^○K. Fukuda¹, H. Asai¹, J. Hattori¹, M. Shimizu¹, T. Hashizume² (1.AIST (Japan), 2.Hokkaido Univ. (Japan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月11日(火) 15:00 〜 15:15 |PDF ダウンロード

[D-2-01 (Invited)] Inversion Layer Mobility of SiC MOSFETs with Thermally Grown Oxide: Effect of Post-Oxidation Nitridation and Gate Oxide Thickness

^○M. Noguchi¹, T. Iwamatsu¹, H. Amishiro¹, H. Watanabe¹, K. Kita², N. Miura¹ (1.Mitsubishi Electric Corp. (Japan), 2.Univ. of Tokyo (Japan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月11日(火) 15:30 〜 16:00 |PDF ダウンロード

[D-2-02] Recovery of Local Lattice Distortion at the Surface of Thermally-Oxidized 4H-SiC (0001) by Post-Oxidation Annealing

^○A.D. Hatmanto¹, K. Kita¹ (1.Univ. of Tokyo (Japan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月11日(火) 16:00 〜 16:15 |PDF ダウンロード

[D-2-03] Demonstration of High Channel Mobility and Low Trapped Electron Density of SiO₂/SiC (0-33-8) Interfaces

^○T. Masuda¹, T. Hatakeyama¹, S. Harada¹, H. Yano² (1.AIST (Japan), 2.Univ. of Tsukuba (Japan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月11日(火) 16:15 〜 16:30 |PDF ダウンロード

[D-2-04] Reduction of SiO₂/4H-SiC Interface Defects by H₂O-Post-Nitridation-Annealing

^○M. Nishida¹, R. Sakuta¹, H. Hirai¹, K. Kita¹ (1.Univ. of Tokyo (Japan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月11日(火) 16:30 〜 16:45 |PDF ダウンロード

[D-2-05] Significant Improvement of p-type 4H-SiC MOS Interface Characteristics by Low Temperature Post-Oxidation Annealing in H₂O + O₂ Ambient

^○J. Koyanagi¹, M. Nishida¹, K. Kita¹ (1.The University of Tokyo (Japan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月11日(火) 16:45 〜 17:00 |PDF ダウンロード

[D-2-06] Characterization of SiO₂/SiC interface using a Laser Terahertz Emission Microscope

^○T. Nishimura¹, H. Nakanishi¹, I. Kawayama², M. Tonouchi², T. Hosoi³, T. Shimura³, H. Watanabe³ (1.SCREEN Holdings Co., Ltd. (Japan), 2.Inst. of Laser Eng., Osaka Univ. (Japan), 3.Graduate School of Eng., Osaka Univ. (Japan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月11日(火) 17:00 〜 17:15 |PDF ダウンロード

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