2018 International Conference on Solid State Devices and Materials

2018年9月9日〜 2018年9月13日
University of Tokyo

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[B-1-04] Reliable and Low Forming Voltage RRAM Enabled by Contact Shrinking and Pre-Soldering Baking

^○C.H. Wang¹, F.M. Lee¹, Y.Y. Lin¹, P.H. Tseng¹, K.C. Hsu¹, D.Y. Lee¹, M.H. Lee¹, H.L. Lung¹, K.Y. Hsieh¹, K.C. Wang¹, C.Y. Lu¹ (1.Macronix International Co., Ltd. (Taiwan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月11日(火) 15:00 〜 15:15 |PDF ダウンロード

[B-2-01 (Invited)] New Development and characterization of Oxide-based Selector for Cross-Point 25-nm ReRAM

^○S.G. Kim¹, J.C. Lee¹, T.J. Ha¹, J.H. Lee¹, J.Y. Lee¹, Y.T. Park¹, K.W. Kim¹, W.K. Ju¹, Y.S. Ko¹, H.M. Hwang¹, B.M. Lee¹, J.Y. Moon¹, W.Y. Park¹, B.G. Gyun¹, B.-K. Lee¹, J.K. Kim¹ (1.SK hynix Inc. (Korea))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月11日(火) 15:30 〜 16:00 |PDF ダウンロード

[B-2-02] Threshold switching-based bidirectional nonlinear characteristics of ZnTe selectors for 3D stackable crossbar-array applications

^○J.P. Hong¹ (1.Hanyang University (Korea))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月11日(火) 16:00 〜 16:15 |PDF ダウンロード

[B-2-03] CMOS Compatible Germanium-based Bipolar RRAM

^○Y. Zhang¹, B. Chen¹, Y. Zhao¹ (1.Zhejiang Univ. (China))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月11日(火) 16:15 〜 16:30 |PDF ダウンロード

[B-3-01 (Invited)] Neuromorphic computing with memristive devices and arrays

J.J. Yang¹,^○R. Midya¹ (1.Univ. of Massachusetts Amherst (USA))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 09:00 〜 09:30 |PDF ダウンロード

[B-3-02] Capacitor-less Leaky Integrate and Fire Neuron Circuit Using Positive Feedback Field Effect Transistor for Low Energy Consumption

^○M.-W. Kwon¹, K. Park¹, M.-H. Baek¹, S. Hwang¹, T. Jang¹, T. Kim¹, J. Lee¹, B.-G. Park¹ (1.Seoul National Univ. (Korea))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 09:30 〜 09:45 |PDF ダウンロード

[B-3-03] MTJ-Based Nonvolatile Logic Gate for Binarized Convolutional Neural Networks and Its Impact

M. Natsui¹, T. Chiba¹,^○T. Hanyu¹ (1.Tohoku University (Japan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 09:45 〜 10:00 |PDF ダウンロード

[B-3-04] Withdrawn

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 10:00 〜 10:15

[B-3-05] Characterization and Modelling of Analogue FTJ Memristors as Artificial Synapses for Neuromorphic Systems

^○R. Berdan¹, T. Marukame¹, S. Kabuyanagi², M. Saitoh², S. Fujii², Y. Nishi¹ (1.TOSHIBA Corporate R&D Center, Frontier Research Laboratory (Japan), 2.Institute of Memory Technology R&D, TOSHIBA Memory Corporation (Japan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 10:15 〜 10:30 |PDF ダウンロード

[B-4-01 (Invited)] Prospects of Nonvolatile Logic LSI Using MTJ/MOS-Hybrid Circuitry and Its Application

^○T. Hanyu¹ (1.Tohoku Univ. (Japan))

2018 International Conference on Solid State Devices and Materials |2018年9月12日(水) 10:45 〜 11:15 |PDF ダウンロード

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