一般セッション(口頭講演)

[28p-G7-1~13] 13.7 シミュレーション

2013年3月28日(木) 13:30 〜 17:00 G7 (B5号館 2F-2201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[28p-G7-1] Advance/TCADの全体像 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○小池秀耀 (アドバンスソフト)

[28p-G7-2] 次世代TCAD (2) 新規材料開発に対応した3次元モンテカルロ(MC)イオン注入 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○森一樹，小池秀耀 (アドバンスソフト)

[28p-G7-3] 次世代TCAD(3) 半導体材料のための第一原理計算 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○岡崎一行，西原慧径，小池秀耀 (アドバンスソフト)

[28p-G7-4] 次世代TCAD(4) 準バリスティックモデルの高精度・高速計算法 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○山口憲，桑原匠史，小池秀耀 (アドバンスソフト)

[28p-G7-5] ワイドギャップ半導体における浮遊電位解析 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○桑原匠史，山口憲，小池秀耀 (アドバンスソフト)

[28p-G7-6] 高速半導体素子のためのデバイス・シミュレーションの物理モデル (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○武藤秀樹 (リンク・リサーチ)

[28p-G7-7] デバイスシミュレーションの非線形収束における線形解法の影響 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○越本浩央¹，池上努¹，福田浩一¹，伊藤智¹，松澤一也²，大倉康幸²，石川清志² (産業技術総合研究所¹，半導体理工学研究センター²)

[28p-G7-7.1] 休憩(15分)

[28p-G7-8] 基板バイアスとPD/FD遷移を用いた良好なサブスレッショルド係数を有するSOI MOSFET (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○（M2）黒崎洋，平本俊郎 (東大生研)

[28p-G7-9] △GPU並列計算によるキャリア輸送シミュレーョンの高速化 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○鈴木晃人¹，今井裕也¹，神岡武文^1,3，鎌倉良成^2,3，渡邉孝信^1,3 (早大理工¹，阪大院工²，JST-CREST³)

[28p-G7-10] 鏡像効果を考慮した全周ゲート型ショットキー障壁トンネルFETの伝達特性シミュレーション (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○橋本修一郎¹，川村祐士¹，鹿浜康寛¹，神岡武文^1,2，渡邉孝信^1,2 (早大理工¹，CREST-JST²)

[28p-G7-11] ジャンクションレスSiナノワイヤトランジスタにおけるイオン化不純物散乱 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○植田暁子¹，Mathieu Luisier²，本多周太¹，佐野伸行¹ (筑波大電物¹，チューリッヒ工科大²)

[28p-G7-12] △長方形断面を有するGaAsナノワイヤの伝導帯構造の断面サイズ依存性 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○田中一，森岡直也，森誠悟，須田淳，木本恒暢 (京大工)

[28p-G7-13] モンテカルロ法によるn型Siのゼーベック係数の算出 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○インドラアディスシロ¹，久木田健太郎¹，鎌倉良成^1,2 (大阪大工¹，JST CREST²)

一般セッション(ポスター講演)

[29p-PB3-1~6] 13.7 シミュレーション

2013年3月29日(金) 13:30 〜 15:30 PB3 (第二体育館)

ポスター掲示時間13:30〜15:30(PB会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[29p-PB3-1] 第一原理計算による抵抗変化型メモリ材料 ZrO2へのドーピング評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○大島翔太，岩松雅夫，丸泉琢也，白木靖寛 (都市大)

[29p-PB3-2] 多バンド有効質量近似法に基づくトンネル電界効果トランジスタの特性解析 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（M1）永井寛人，中野貴史，三好泰諒，小川真人，相馬聡文 (神戸大院工)

[29p-PB3-3] シリコン量子細線における弾道的フォノン熱輸送に与えるドーパント質量の影響 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（P）服部淳一^1,3，宇野重康^2,3 (立命館大総研¹，立命館大理工²，JST, CREST³)

[29p-PB3-4] 高濃度ドープSiのゼーベック係数の計算 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○鎌倉良成^1,2，インドラアディスシロ¹，久木田健太郎¹ (大阪大院工¹，JST CREST²)

[29p-PB3-5] 深いボロンイオン注入による自己バイアスチャネルダイオードの耐圧解析 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○山田大輔¹，工藤嗣友¹，菅原文彦² (神奈川工大¹，東北学院工大²)

[29p-PB3-6] STI型ULSI素子の転位蓄積に伴う電気特性変化(2) (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（M1）島田健太¹，白木靖寛¹，丸泉琢也¹，早川幸一¹，高橋陽祐²，佐藤満弘²，山口憲³ (都市大¹，北見工大²，アドバンスソフト³)

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