一般セッション(ポスター講演)

[28p-PA3-1~5] 15.8 結晶評価，ナノ不純物・結晶欠陥

2013年3月28日(木) 13:30 〜 15:30 PA3 (第一体育館)

ポスター掲示時間13:30〜15:30(PA会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[28p-PA3-1] Si，Ge単結晶におけるボイド欠陥形成に関する分子動力学計算 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（M1）大田周作，末岡浩治 (岡山県大情報工)

[28p-PA3-2] 銀/ナノ銀混合ペーストショットキープローブによるn型4H-SiCの面内トラップ濃度分布評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○本田銀熙¹，左右田佳宜¹，古川寛幸¹，徳田豊¹，伊藤成志²，坂根仁² (愛知工大¹，住重試験検査²)

[28p-PA3-3] 2波長パルスレーザアニール（DPLA）によるGaN基板の低転位密度化の検討 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○藤枝真理子¹，石井崇正¹，櫻井岳暁¹，関口隆史²，秋本克洋¹ (筑波大¹，物材機構²)

[28p-PA3-4] 水素イオン注入ZnOバルク単結晶のラザフォード後方散乱法による格子変位の評価 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（B）甲斐田卓也¹，上岡一馬¹，伊田孝寛¹，栗山一男¹，串田一雅² (法政大理工¹，大阪教育大²)

[28p-PA3-5] 電子スピン共鳴を用いたKAGRAサファイアミラーの吸収測定 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○（M1）福本展大¹，小野行徳²，堀匡寛²，森脇成典¹，三尾典克¹ (東大工¹，富山大工²)

一般セッション(口頭講演)

[29p-G16-1~21] 15.8 結晶評価，ナノ不純物・結晶欠陥

2013年3月29日(金) 13:30 〜 19:15 G16 (B5号館 3F-2304)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[29p-G16-1] シリコン結晶中点欠陥発生分布のシミュレーション結果に対する反論 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○阿部孝夫¹，高橋徹¹，白井光雲² (信越半導体¹，阪大²)

[29p-G16-2] 融液成長における引き上げ速度の温度勾配への影響 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○白井光雲¹，阿部孝夫² (阪大・産研¹，信越半導体²)

[29p-G16-3] シリコン結晶成長における熱応力の格子欠陥形成への影響 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○白井光雲¹，阿部孝夫² (阪大・産研¹，信越半導体²)

[29p-G16-4] 中性真性点欠陥形成エネルギーのSi/Ge比較 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○神山栄治，末岡浩治 (岡山県大情報工)

[29p-G16-5] 3，4及び5族原子をドープしたSi結晶中の空孔形成エネルギー (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○末澤正志，井上海平，飯島嘉明，深田直樹，米永一郎 (東北大金研)

[29p-G16-6] 育成中Si単結晶の点欠陥濃度に与えるドーパントの影響(2) (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○末岡浩治，神山栄治 (岡山県大情報工)

[29p-G16-6.1] 休憩(15分)

[29p-G16-7] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学
（5）C-rich結晶の照射と熱処理の定量的解析 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○井上直久¹，後藤安則²，関洋文³，渡邉香⁴，河村裕一⁵ (東京農工大工¹，トヨタ自動車²，東レリサーチ³，システムズ・エンジニアリング⁴，大阪府立大産学官⁵)

[29p-G16-8] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学（6）ピーク吸光度1E-6への挑戦 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○井上直久^1,5，関洋文²，菅谷孝夫³，嶋田茂⁴，河村裕一⁵ (東京農工大工¹，東レリサーチ²，システムズ・エンジニアリング³，ブルカー・オプティクス⁴，大阪府大産学官⁵)

[29p-G16-9] Si結晶中のドーパント-点欠陥複合体と金属原子の相互作用に関する第一原理計算 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○（M2）岩崎剛士¹，末岡浩治¹，小町潤²，嵯峨幸一郎² (岡山県立大¹，ソニー²)

[29p-G16-10] △イオン注入により形成される空孔型欠陥に関する第一原理解析 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○前田貴弘^1.2，末岡浩治¹，泉妻宏治² (岡山県大院情報系工¹，グローバルウェーハズ・ジャパン²)

[29p-G16-11] 微小欠陥による金属不純物のゲッタリングに関する第一原理解析 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○前田貴弘¹，末岡浩治¹，泉妻宏治² (岡山県大院情報系工¹，グローバルウェーハズ²)

[29p-G16-12] 無転位シリコン中ニッケル原子の導入・回復過程 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○田中秀司，髙見成二，三苫拓也，野口康一郎 (福岡工大)

[29p-G16-13] △表層酸素濃度が制御されたSiウェーハのデバイス活性領域における転位挙動 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○（B）浅津宏伝¹，竹内正太郎¹，山内宏哉¹，須藤治生²，荒木浩司²，中村芳明^1,3，泉妻宏治²，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，グローバルウェーハズ・ジャパン²，PRESTO-JST³)

[29p-G16-14] Siウェーハの曲げ強度に対する表層酸素濃度の影響 (5:00 PM ～ 5:15 PM)

^○須藤治生¹，青木竜彦¹，荒木浩司¹，日高洋美¹，荒木延恵¹，泉妻宏治¹，中村芳明²，酒井朗² (グローバルウェーハズ・ジャパン¹，阪大²)

[29p-G16-14.1] 休憩(15分)

[29p-G16-15] ▲Spatial Distribution of Crystal Defects and Their Impact on Electrical Properties in Multicrystalline Si (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○（P）Supawan Joonwichien，松島悟，渡辺晴菜，宇佐美徳隆 (東北大金属材料研)

[29p-G16-16] SbドープによるSi基板上SiGeエピタキシャル膜中の転位速度増大効果 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○伏見竜也¹，松永拓也¹，山下善文¹，大野裕²，米永一郎² (岡山大院　自然¹，東北大　金研²)

[29p-G16-17] △Ge結晶中のドーパントと不純物金属原子の相互作用に関する第一原理解析 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○（M1）大和龍紀¹，末岡浩治¹，前田貴弘² (岡山県立大院情報系工学研究科¹，グローバルウェーハズ・ジャパン²)

[29p-G16-18] Dimer構造を有するGe(100)表面の表面誘起電荷と点欠陥の相互作用 (6:15 PM ～ 6:30 PM)