一般セッション(口頭講演)

[27p-A7-1~17] 8.3 プラズマ成膜･表面処理

2013年3月27日(水) 13:30 〜 18:00 A7 (K1号館 3F-306)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[27p-A7-1] 誘電体バリア放電プラズマCVDによるDLC膜の生成 (1:30 PM ～ 1:45 PM)

^○多田和也，浜田浩史，大上耕治，安井晋示 (名工大)

[27p-A7-2] グラフェンへのHfO₂のプラズマ支援原子層堆積 (1:45 PM ～ 2:00 PM)

^○北嶋武，中野俊樹 (防衛大)

[27p-A7-3] マイクロ波パルスプラズマによる内面DLC成膜においてプラズマON・OFF時間が成膜の均一性に及ぼす影響 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

松井良輔，^○上坂裕之，梅原徳次 (名大院工機械)

[27p-A7-4] プラズマCVDを用いた単結晶ダイヤモンド合成における合成速度の予測 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○山田英明，茶谷原昭義，杢野由明，坪内信輝，鹿田真一 (産総研ダイヤラボ)

[27p-A7-5] 光電子制御プラズマCVDプロセスによるダイヤモンド薄膜合成 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○川田麻由梨¹，尾白佳大¹，小川修一¹，増澤智昭²，岡野健²，高桑雄二¹ (東北大多元研¹，国際基督教大²)

[27p-A7-6] 大気圧プラズマジェット系を用いた低合金綱の浸窒焼入れ処理 (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○市來龍大¹，永松寛和¹，井上貴史¹，吉田昌史²，赤峰修一¹，金澤誠司¹ (大分大工¹，静岡理工科大²)

[27p-A7-7] ▲窒素雰囲気下でのRF 駆動大気圧プラズマジェットによるポリイミド基板への高導電性銅薄膜堆積 (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○趙鵬¹，鄭偉²，永津雅章¹ (静大創造科技院　¹，矢崎総業　²)

[27p-A7-7.1] 休憩(15分)

[27p-A7-8] △水素ラジカル注入型プラズマCVDによる微結晶シリコン膜の特性解析 (3:30 PM ～ 3:45 PM)

^○阿部祐介，三輪佳大，福島敦史，陸雅，竹田圭吾，近藤博基，石川健治，関根誠，堀勝 (名大院工)

[27p-A7-9] △プリンタブルエレクトロニクスに向けたプラズマ励起ミスト化学気相堆積技術に関する研究 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○（M1）孫昿達¹，竹田圭吾¹，伊藤仁^1,2，近藤博基¹，石川健治¹，関根誠¹，堀勝¹ (名大院工¹，東京エレクトロン²)

[27p-A7-10] SiH₄＋N₂ガスを用いたVHF-PECVD法によるSiN_xの膜構造 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○小林信一 (東京工芸大工)

[27p-A7-11] ▼Study on mechanism of gallium nitride growth employing a plasma-enhanced metal-organic chemical vapor deposition (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○（D）Yi Lu，近藤博基，石川健治，関根誠，堀勝 (名大)

[27p-A7-12] CZTSターゲットマグネトロンスパッタリング成膜におけるCu,Sn,およびZn原子の付着確率の比較 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○菊地瞬也，佐々木浩一 (北大工)

[27p-A7-13] 高品質半導体薄膜作製のためのプラズマ支援反応性スパッタリングプロセスの高度制御性 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

節原裕一¹，^○竹中弘祐¹，大谷浩史¹，金井厚毅¹，江部明憲² (阪大接合研¹，イー・エム・ディー²)

[27p-A7-14] スパッタ製膜におけるプラズマ電位制御（2） (5:00 PM ～ 5:15 PM)

馬橋琢哉，^○中野武雄，馬場茂 (成蹊大理工)

[27p-A7-15] 二酸化チタン薄膜を用いた光電気化学効果セルの基礎検討（Ⅱ） (5:15 PM ～ 5:30 PM)

秋山知英，中村敏浩，^○酒井道 (京都大工)

[27p-A7-16] △マイクロ波励起水中気泡プラズマによるレジスト膜除去プロセスの開発 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○野阪幸平¹，石島達夫¹，田中康規¹，上杉喜彦¹，堀邊英夫²，後藤洋介² (金沢大¹，金沢工大²)

[27p-A7-17] △大気圧プラズマジェットによる垂直配向カーボンナノチューブアレイ基板の表面官能基修飾 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○望月遥平¹，張晗²，永津雅章³ (静大院工¹，静大工²，静大創造科技院³)

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