一般セッション(ポスター講演)

[15a-PB3-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2015年9月15日(火) 09:30 〜 11:30 PB3 (白鳥ホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[15a-PB3-1] MBE法でエピタキシャル成長したBaSi₂膜粒径の成長膜厚依存性

〇塚原大地¹、馬場正和¹、都甲薫¹、末益崇^1,2 (1.筑波大数理、2.JST-CREST)

09:30 〜 11:30

[15a-PB3-2] ヘリコン波プラズマスパッタ法によるBaSi₂薄膜の作製

〇(M1)横山晟也¹、召田雅実²、倉持豪人²、都甲薫¹、末益崇^1,3 (1.筑波大、2.東ソー、3.JST-CREST)

09:30 〜 11:30

▲ [15a-PB3-3] Study on minority-carrier lifetime mapping of BaSi₂ formed on multicrystalline Si substrates

〇YUNPENG LI¹, MASAKAZU BABA¹, TRINH CHAM THI², KAORU TOKO¹, TAKASHI SEKIGUCHI³, NORITAKA USAMI^2,4, TAKASHI SUEMASU^1,4 (1.Univ. Tsukuba, 2.Nagoya Univ., 3.NIMS, 4.JST-CREST)

09:30 〜 11:30

[15a-PB3-4] リング状電極及びメサ構造をもつMg₂Siフォトダイオードの開発

〇堀信彦¹、谷川俊太郎²、津谷大樹²、鵜殿治彦¹ (1.茨城大院、2.物材機構)

09:30 〜 11:30

[15a-PB3-5] 溶液法で合成した単相MnSi_1.75-xの電気特性(Ⅱ)

〇堀俊平¹、飯岡優¹、原嘉昭²、鵜殿治彦¹ (1.茨城大工、2.茨城高専)

09:30 〜 11:30

[15a-PB3-6] 大気中アニールを施したβ-FeSi₂バルク単結晶のPL特性

〇小林治哉¹、佐藤桂輔¹、中岡鑑一郎¹、原嘉昭¹ (1.茨城高専)

09:30 〜 11:30

△ [15a-PB3-7] Si系フラワー状ナノ構造物の作製

〇鈴木博明¹、孟祥¹、立岡浩一¹ (1.静岡大工)

09:30 〜 11:30

△ [15a-PB3-8] シリサイドをテンプレートとしたIP6処理によるシリコン系ナノ構造物の作製

〇佐々木謙太¹、佐野晃希¹、孟祥¹、鈴木博明¹、立岡浩一¹ (1.静岡大工)

09:30 〜 11:30

[15a-PB3-9] キセノンイオンを注入したシリコンのアニールによる構造変化Ⅲ

〇北川淳嗣¹、羽渕仁恵¹、飯田民夫¹、大橋史隆²、伴隆幸²、久米徹二²、野々村修一² (1.岐阜高専、2.岐大工)

09:30 〜 11:30

[15a-PB3-10] Niパターンを用いて作製したSi基板上グラフェン膜の電気特性評価

〇(M1)有馬幸記¹、三好実人¹、久保俊晴¹、江川孝志¹ (1.名工大)

09:30 〜 11:30

[15a-PB3-11] 歪みグラフェンp-n接合の電気伝導特性に関する量子輸送シミュレーション

〇(M1)市原圭祐¹、笹岡健二¹、小川真人¹、相馬聡文¹ (1.神大院工)

09:30 〜 11:30

▲ [15a-PB3-12] Magnetic properties in magnetron sputtering prepared ZnO:Mn thin films

〇Yu Zhang¹, Nao Nasu¹, Xinwei Zhao¹ (1.Tokyo Univ. of Sci.)

一般セッション(口頭講演)

[15p-2R-1~22] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2015年9月15日(火) 13:30 〜 19:15 2R (231-2)

座長:立岡浩一(静岡大),鵜殿治彦(茨城大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 13:45

[15p-2R-1] [講演奨励賞受賞記念講演] Na–Al–Sn系新規化合物の合成と結晶構造および熱電特性

〇菅野雅博¹、山田高広¹、山根久典¹、永井秀明² (1.東北大多元研、2.産総研)

13:45 〜 14:00

[15p-2R-2] W内包Siクラスターを単位構造とするシリサイド半導体薄膜のCVD形成

〇岡田直也^1,2、内田紀行²、金山敏彦² (1.JSTさきがけ、2.産総研)

14:00 〜 14:15

[15p-2R-3] サファイア基板上に合成したII型Geクラスレート膜の光学的評価

萬條寛之¹、向井哲也¹、鈴木涉太¹、〇大橋史隆¹、伴隆幸¹、久米徹二¹、野々村修一¹ (1.岐大工)

14:15 〜 14:30

[15p-2R-4] 動的な歪み印加によるp型シリコンウェハの異常な電気特性

〇鶴田一樹¹、美藤正樹¹、田尻恭之²、片宗優貴³、吉武剛³ (1.九工大工、2.福大理、3.九大総理工)

14:30 〜 14:45

▲ [15p-2R-5] Damage free neutral beam texturing of honeycomb pattern for the application of light trapping in Si Solar cells

〇(P)Halubai Sekhar¹, Hitoshi Sai², Aiko Sato³, Mohammad Maksudur Rahman⁴, Tomohiro Kubota⁴, Seiji Samukawa^4,5, Hidetaka Takato¹, Michio Kondo¹ (1.Fukushima Renewable Energy Institute, AIST, Japan, 2.RCPV, Tsukuba, AIST, Japan, 3.Fukushima University, Japan, 4.Institute of Fluid Science, Tohoku University, Sendai, Japan, 5.WPI Advanced Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai, Japan)

14:45 〜 15:00

[15p-2R-6] ナノアモルファス窒化炭素粒子の高圧高温処理による新規物質合成

〇安井望¹、寒川匡哉¹、平井正明¹、山本薫¹、財部健一¹、岡田卓²、山崎大輔³、小島洋平⁴、大藤弘明⁴、國次真輔⁵、澤畠淳二⁶ (1.岡山理大理、2.東大物性研、3.岡大地球研、4.愛媛大GRC、5.岡山県工技、6.茨城高専)

15:00 〜 15:15

[15p-2R-7] Ga添加ZnOナノワイヤの発光特性

〇中根孝弥¹ (1.豊橋技科大)

15:15 〜 15:30

[15p-2R-8] 強磁性半導体に向けたMn添加ZnO薄膜の評価

〇那須菜穂¹、張宇¹、趙新為¹ (1.東理大理)

15:30 〜 15:45

[15p-2R-9] Liイオンダイナミクスを利用した新規電圧記憶型メモリの開発

〇杉山一生¹、鈴木竜¹、清水亮太¹、白木将¹、一杉太郎¹ (1.東北大AIMR)

15:45 〜 16:00

[15p-2R-10] 時間依存波束伝播法を用いた歪みグラフェンの量子ダイナミクスシミュレーション

〇迫田翔太郎¹、笹岡健二¹、小川真人¹、相馬聡文¹ (1.神戸大院工)

16:00 〜 16:15

[15p-2R-11] 開放系シュレーディンガー方程式を用いた歪みアームチェア型グラフェンナノリボンの時間依存電気伝導特性の解析

〇(M1)加藤大喜¹、笹岡健二¹、小川真人¹、相馬聡文¹ (1.神大院工)

休憩（16:15 〜 16:30）

16:30 〜 16:45

△ [15p-2R-12] 第一原理計算によるBaSi₂(011)/(011)双晶粒界・界面構造についての考察

〇馬場正和¹、香山正憲²、都甲薫¹、末益崇^1,3 (1.筑波大院数理、2.産総研、3.JST-CREST)

16:45 〜 17:00

[15p-2R-13] In-situ MoO_xキャップを施したBaSi₂エピタキシャル膜の電気/光学特性評価

〇武内大樹¹、Du Weijie¹、高部涼太¹、都甲薫¹、原康祐²、宇佐美徳隆^3,4、末益崇^1,4 (1.筑波大学院、2.山梨大学、3.名古屋大学、4.JST-CREST)

17:00 〜 17:15

[15p-2R-14] DLTS法によるboron doped p-BaSi₂膜中の欠陥準位評価

〇武内大樹¹、Du Weijie¹、高部涼太¹、都甲薫¹、末益崇^1,2 (1.筑波大学院、2.JST-CREST)

17:15 〜 17:30

[15p-2R-15] 硬X線光電子分光法による自然酸化膜/BaSi₂のバンドオフセット測定

〇高部涼太¹、伊藤啓太^1,2,3、Du Weijie¹、都甲薫¹、上田茂典⁴、木村昭夫⁵、末益崇^1,6 (1.筑波大、2.日本学術振興会、3.東北大、4.NIMS、5.広島大、6.JST-CREST)

17:30 〜 17:45

[15p-2R-16] Ge(111)基板上BaSi₂エピタキシャル膜の分光感度特性

〇高部涼太¹、馬場正和¹、Du Weijie¹、原康祐²、都甲薫¹、宇佐美徳隆^3,4、末益崇^1,4 (1.筑波大、2.山梨大、3.名古屋大、4.JST-CREST)

17:45 〜 18:00

[15p-2R-17] アルカリ金属フッ化物処理によるBaSi₂薄膜の電気特性制御

〇原康祐^1,2、Du Weijie³、有元圭介¹、山中淳二¹、中川清和¹、都甲薫³、末益崇^2,3、宇佐美徳隆^2,4 (1.山梨大クリスタル研、2.JST-CREST、3.筑波大院数理物質、4.名大院工)

18:00 〜 18:15

[15p-2R-18] 真空蒸着法で作製したBaSi₂膜の面方位の形成メカニズムの検討

〇(M2)中川慶彦¹、原康祐^2,3、黒川康良¹、末益崇^3,4、宇佐美徳隆^1,3 (1.名大院工、2.山梨大クリスタル研、3.JST-CREST、4.筑波大)

18:15 〜 18:30

[15p-2R-19] 真空共蒸着法によるBaSi₂薄膜の形成と評価

〇佐々木敦也¹、佐々木亮人¹、片岡好則¹、青木克明¹、齊藤秀一¹、小林薫平¹ (1.東芝マテリアル)

18:30 〜 18:45

[15p-2R-20] BaSi₂エピタキシャル膜における偏光ラマンスペクトル解析

〇山口陽己¹、尾方済人¹、塚本裕明¹、末益崇²、寺井慶和^1,3 (1.鹿児島大理工、2.筑波大数理物質、3.九工大情報工)

18:45 〜 19:00

[15p-2R-21] BaSi₂エピタキシャル膜の光変調反射スペクトル

〇塚本裕明¹、山口陽己¹、山﨑一輝³、末益崇²、寺井慶和^1,3 (1.鹿児島大理工、2.筑波大数理物質、3.九工大情報工)

19:00 〜 19:15

[15p-2R-22] Ba_1-xSr_xSi₂の結晶構造とエネルギーギャップ

〇今井基晴¹、松下能孝¹ (1.物材機構)

一般セッション(口頭講演)

[16a-2R-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2015年9月16日(水) 09:00 〜 12:00 2R (231-2)

座長:末益崇(筑波大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[16a-2R-1] Fe₃Si/FeSi₂/FeSi₃スピンバルブ膜の作製

石橋和也¹、浅井勇輝¹、中嶋一敬¹、堺研一郎²、〇吉武剛¹ (1.九大総理工、2.久留米高専)

09:15 〜 09:30

[16a-2R-2] リモート水素プラズマ支援による高密度形成したFeシリサイドナノドットの構造および磁化特性評価

〇張海¹、牧原克典¹、大田晃生¹、宮崎誠一¹ (1.Nagoya Univ.)

09:30 〜 09:45

[16a-2R-3] Fe₃Si/Si(111)ヘテロ界面の熱安定性の評価

〇前田佳均^1,2、川久保雄基¹、寺井慶和¹、鳴海一雅²、境誠司² (1.九工大院情報工、2.原子力機構)

09:45 〜 10:00

[16a-2R-4] イオン散乱によるβ-FeSi₂/Siの酸化挙動の評価

〇前田佳均^1,2、野口雄也¹、寺井慶和¹、鳴海一雅²、境誠司² (1.九工大院情報工、2.原子力機構)

10:00 〜 10:15

[16a-2R-5] 窒素（N）ドーピングした鉄シリサイドのPL発光特性

〇秋山賢輔^1,2、高橋亮¹、松本佳久¹、舟窪浩² (1.神奈川産技セ、2.東工大総理工)

休憩（10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[16a-2R-6] FeSi₂/W薄膜を用いた高い選択性を有する波長選択赤外線源の開発

〇舛中翔馬¹、西浦健介¹、名村今日子¹、鈴木基史¹ (1.京大院工)

10:45 〜 11:00

[16a-2R-7] β-FeSi₂多結晶薄膜における電気伝導機構の検証(II)

〇東貴彦¹、服部哲¹、寺井慶和^1,2 (1.鹿児島大理工、2.九工大情報工)

11:00 〜 11:15

[16a-2R-8] Bドープβ-FeSi₂多結晶薄膜における不純物の活性化過程

〇服部哲¹、三村祐介¹、東貴彦¹、山口陽己¹、寺井慶和^1,2 (1.鹿児島大理工、2.九工大情報工)

11:15 〜 11:30

[16a-2R-9] beta-FeSi₂およびMg₂Siの熱膨張

〇今井基晴¹、磯田幸宏¹、鵜殿治彦² (1.物材機構、2.茨城大)

11:30 〜 11:45

[16a-2R-10] メサ型Mg₂Si pn接合ダイオードの作製および電気特性

〇秋山智洋¹、堀信彦¹、鵜殿治彦¹ (1.茨城大院)

11:45 〜 12:00

△ [16a-2R-11] スパッタリング法によるCa-Mg-Si基膜の作製と特性評価

〇上原睦雄¹、黒川満央¹、秋山賢輔^1,2、松島正明¹、内田寛³、木村好里¹、舟窪浩¹ (1.東工大院、2.神奈川県産業技術セ、3.上智大)

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13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[15a-PB3-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

▲ [15a-PB3-3] Study on minority-carrier lifetime mapping of BaSi2 formed on multicrystalline Si substrates

△ [15a-PB3-7] Si系フラワー状ナノ構造物の作製

△ [15a-PB3-8] シリサイドをテンプレートとしたIP6処理によるシリコン系ナノ構造物の作製

▲ [15a-PB3-12] Magnetic properties in magnetron sputtering prepared ZnO:Mn thin films

[15p-2R-1~22] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

▲ [15p-2R-5] Damage free neutral beam texturing of honeycomb pattern for the application of light trapping in Si Solar cells

△ [15p-2R-12] 第一原理計算によるBaSi2(011)/(011)双晶粒界・界面構造についての考察

[16a-2R-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [16a-2R-11] スパッタリング法によるCa-Mg-Si基膜の作製と特性評価

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▲ [15a-PB3-3] Study on minority-carrier lifetime mapping of BaSi₂ formed on multicrystalline Si substrates

△ [15p-2R-12] 第一原理計算によるBaSi₂(011)/(011)双晶粒界・界面構造についての考察