一般セッション(口頭講演)

[7a-C13-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2017年9月7日(木) 09:00 〜 12:15 C13 (事務室2-2)

末益崇(筑波大)、原康祐(山梨大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[7a-C13-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 透明バイポーラ酸化物半導体: ZrOS

〇新井健司¹、飯村壮史¹、金正煥²、細野秀雄^1,2 (1.東工大フロンティア研、2.東工大元素セ)

09:15 〜 09:30

[7a-C13-2] 半導体シリサイドのバンドギャップエネルギーのベイズ回帰分析

〇前田佳均¹ (1.九工大)

09:30 〜 09:45

[7a-C13-3] Ba_1-xCa_xSi₂の結晶構造とバンドギャップ

〇今井基晴¹、松下能孝¹ (1.物材機構)

09:45 〜 10:00

△ [7a-C13-4] 鉄シリサイド系スピンバルブ素子によるスピン流の生成と検出

〇堺研一郎¹、浅井勇輝²、石橋和也²、西嶋雅彦³、吉武剛² (1.久留米高専、2.九州大学、3.東北大学)

10:00 〜 10:15

[7a-C13-5] CaSi₂結晶のIP6処理により作製したSi基ナノシート束のフォトルミネッセンス及び微細構造

袁佩玲¹、玉置亮²、程立雪³、アーサンナズムル²、岡田至崇²、〇立岡浩一³ (1.静岡大創造科技院、2.東京大学先端研、3.静岡大総合科技研工)

10:15 〜 10:30

▲ [7a-C13-6] Size Dependent Magnetic and Electric Properties of Superoxygenated Free Standing La₂CuO₄ Nanoparticles

〇Faisal Budiman¹、 Yoichi Horibe¹、 Hirofumi Tanaka¹ (1.Kyushu Institute of Technology)

10:45 〜 11:00

△ [7a-C13-7] メッシュ型電極を持つMg₂Si pn接合フォトダイオードの作製

〇鬼沢雄馬¹、中野達也¹、吉田美沙²、津谷大樹²、鵜殿治彦¹ (1.茨城大院、2.物質･材料研究機構)

11:00 〜 11:15

[7a-C13-8] テンプレート形成時間を変えたp-BaSi₂/n-Siヘテロ太陽電池のDLTS法による欠陥準位評価

〇谷内卓¹、髙部涼太¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大)

11:15 〜 11:30

[7a-C13-9] 熱処理したMg₂Si結晶のキャリア濃度と赤外吸収の関係

〇(M1)矢口楓子¹、中野浩平¹、鵜殿治彦¹ (1.茨城大院)

11:30 〜 11:45

[7a-C13-10] 低電子密度n型β-FeSi₂ / p型Siヘテロ構造における光伝導スペクトル

〇飯沼元輝¹、江口元¹、村社尚紀¹、星田裕文¹、寺井慶和¹ (1.九工大情報工)

11:45 〜 12:00

▲ [7a-C13-11] Photoresponse properties of low B-doped p-BaSi₂on
P⁺ ion-implanted Si (111)

〇Emha Bayu Miftahullatif¹、 Takabe Ryota¹、 Yachi Suguru¹、 Toko Kaoru¹、 Suemasu Takashi¹ (1.Univ. of Tsukuba)

12:00 〜 12:15

▲ [7a-C13-12] Formation of hydrogenated amorphous Si layers by RF plasma generator on Al-capped Si(111) substrate: application to BaSi₂ solar cells

〇(M2)Zhihao Xu¹、 Tianguo Deng¹、 Ryota Takabe¹、 Kaoru Toko¹、 Takashi Suemasu¹ (1.Univ. Tsukuba)

一般セッション(口頭講演)

[8a-C11-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2017年9月8日(金) 09:00 〜 12:15 C11 (事務室1)

鵜殿治彦(茨城大)、山口憲司(量研機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[8a-C11-1] 分光エリプソメトリーによるβ-FeSi₂エピタキシャル膜の組成評価

〇村社尚紀¹、星田裕文¹、飯沼元輝¹、江口元¹、寺井慶和¹ (1.九工大情報工)

09:15 〜 09:30

[8a-C11-2] Ba/Siフラックス比がundoped BaSi₂ 膜の電気特性に与える効果

〇高部涼太¹、 Deng Tianguo¹、小玉小桃¹、山下雄大¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大学)

09:30 〜 09:45

[8a-C11-3] 赤外吸収測定によるBaSi₂エピタキシャル膜の分子振動評価

〇星田裕文¹、村社尚紀¹、飯沼元輝¹、江口元¹、末益崇²、寺井慶和¹ (1.九工大情報工、2.筑波大数理物質)

09:45 〜 10:00

[8a-C11-4] BaSi₂ pn ホモ接合太陽電池に向けた積層構造のエピタキシャル成長

〇小玉小桃¹、髙部涼太¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大学)

10:00 〜 10:15

[8a-C11-5] Si(111)上で原子層レベルの急峻な界面をもつEuO のMBE成長

〇大杉廉人¹、尾身博雄^1,2、クロッケンバーガーヨシハル¹、藤原聡¹ (1.NTT物性研、2.NTTNPC)

10:15 〜 10:30

[8a-C11-6] SrGe₂薄膜の結晶成長に与えるGe基板面方位の効果

〇今城利文¹、髙部涼太¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大院　数理物質)

10:45 〜 11:00

△ [8a-C11-7] Pseudo-MOS構造のC-V特性に及ぼす自然酸化膜の影響

〇鑓田勲¹、佐藤伸吾¹、大村泰久¹ (1.関西大学大学院理工学研究科システム理工学専攻電気電子情報工学分野)

11:00 〜 11:15

[8a-C11-8] II型Siクラスレート膜の表面自然酸化過程

〇(M2)浅野友紀¹、浦野和俊¹、大橋史隆¹、久米徹二¹、伴隆幸¹、野々村修一¹ (1.岐阜大工)

11:15 〜 11:30

[8a-C11-9] Si基板前処理がp-BaSi₂/n-Siヘテロ接合太陽電池特性に与える効果

〇山下雄大¹、髙部涼太¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大)

11:30 〜 11:45

[8a-C11-10] BaSi₂蒸着膜中の酸素濃度低減と結晶配向への影響

〇原康祐¹、山中淳二¹、有元圭介¹、中川清和¹、宇佐美徳隆² (1.山梨大、2.名古屋大)

11:45 〜 12:00

△ [8a-C11-11] 導電性バナジン酸塩ガラスの酸化スズ添加効果

〇(M1)藤田裕樹¹、伊豆味知佳¹、久富木志郎²、西田哲明¹、岡伸人¹ (1.近畿大学、2.首都大学東京)

12:00 〜 12:15

△ [8a-C11-12] 金属空気二次電池用バナジン酸塩ガラス空気極触媒の開発

〇宮本孟¹、湯浅雅賀¹、西田哲明¹、岡伸人¹ (1.近畿大学)

一般セッション(ポスター講演)

[7p-PB4-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2017年9月7日(木) 13:30 〜 15:30 PB4 (国際センター2F)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

[7p-PB4-1] Si/B添加β-FeSi₂/Si多結晶積層構造における1.5 μm発光の面内分布評価

〇池田修哉¹、瀬戸島健太¹、扇和也¹、岡直大¹、寺井慶和¹ (1.九工大学情報工)

13:30 〜 15:30

[7p-PB4-2] 表面損傷を与えたSi基板におけるSi欠陥発光の寿命評価(II)

〇扇和也¹、岡直大¹、池田修哉¹、瀬戸島健太¹、寺井慶和¹ (1.九工大情報工)

13:30 〜 15:30

[7p-PB4-3] シリケイン及びゲルマナンMOSFETのトンネル電流を考慮したバリスティック輸送特性

〇(M2)岡直左¹、小川真人¹、相馬聡文¹ (1.神戸大院工)

13:30 〜 15:30

[7p-PB4-4] Black phosphorus FETの異方的電気伝導特性におけるトンネル効果の影響

〇外田祐也¹、小川真人¹、相馬聡文¹ (1.神戸大院工)

13:30 〜 15:30

[7p-PB4-5] ゲストフリーⅡ型Geクラスレート膜の合成Ⅱ

〇鈴木渉太¹、久米徹二¹、境健太郎²、 Himanshu S Jha¹、大橋史隆¹、野々村修一¹、福山敦彦² (1.岐大院工、2.宮崎大工)

13:30 〜 15:30

[7p-PB4-6] ゲストフリーSiGeクラスレートの合成

〇山田邦彦¹、木野拓也¹、 Himanshu S. Jha¹、久米徹二¹ (1.岐大院工)

13:30 〜 15:30

[7p-PB4-7] 共スパッタリング法によるMg₂Si_1-xSn_x薄膜の形成

和田英之¹、〇勝俣裕¹、山本栄也²、片岡朋治²、広納慎介²、石切山守² (1.明大理工、2.トヨタ自動車(株))

13:30 〜 15:30

[7p-PB4-8] ヘリコン波プラズマスパッタ法によるSi (111)基板上BaSi₂膜の作製

〇松野賢司¹、髙部涼太¹、都甲薫¹、末益崇^1,2 (1.筑波大院、2.JST-CREST)

13:30 〜 15:30

[7p-PB4-9] DLTS法によるBaSi₂エピタキシャル膜内の欠陥評価

〇佐藤拓磨¹、髙部涼太¹、小玉小桃¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大数理物質)

13:30 〜 15:30

▲ [7p-PB4-10] Carrier transport properties of boron-doped p-BaSi₂ on Si(111) and Si(001)

〇(D)Tianguo Deng¹、 Miftahullatif Emha Bayu¹、 Zhihao Xu¹、 Ryota Takabe¹、 Kaoru Toko¹、 Takashi Suemasu¹ (1.Univ. Tsukuba)

13:30 〜 15:30

[7p-PB4-11] [Fe₃Si/FeSi₂]₂₀ 人工格子の磁気構造

〇花島隆泰¹、竹市悟志²、宮田登¹、堺研一郎³、出口博之⁴、吉武剛² (1.CROSS、2.九大総理工、3.久留米高専、4.九工大工)

13:30 〜 15:30

[7p-PB4-12] リング状電極をもつMg₂Si pn接合フォトダイオードの分光感度特性

〇鬼沢雄馬¹、秋山智洋¹、中野達也¹、津谷大樹²、鵜殿治彦¹ (1.茨城大院、2.物質･材料研究機構)

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[7a-C13-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [7a-C13-4] 鉄シリサイド系スピンバルブ素子によるスピン流の生成と検出

▲ [7a-C13-6] Size Dependent Magnetic and Electric Properties of Superoxygenated Free Standing La2CuO4 Nanoparticles

△ [7a-C13-7] メッシュ型電極を持つMg2Si pn接合フォトダイオードの作製

▲ [7a-C13-11] Photoresponse properties of low B-doped p-BaSi2 onP+ ion-implanted Si (111)

▲ [7a-C13-12] Formation of hydrogenated amorphous Si layers by RF plasma generator on Al-capped Si(111) substrate: application to BaSi2 solar cells

[8a-C11-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [8a-C11-7] Pseudo-MOS構造のC-V特性に及ぼす自然酸化膜の影響

△ [8a-C11-11] 導電性バナジン酸塩ガラスの酸化スズ添加効果

△ [8a-C11-12] 金属空気二次電池用バナジン酸塩ガラス空気極触媒の開発

[7p-PB4-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

▲ [7p-PB4-10] Carrier transport properties of boron-doped p-BaSi2 on Si(111) and Si(001)

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▲ [7a-C13-6] Size Dependent Magnetic and Electric Properties of Superoxygenated Free Standing La₂CuO₄ Nanoparticles

△ [7a-C13-7] メッシュ型電極を持つMg₂Si pn接合フォトダイオードの作製

▲ [7a-C13-11] Photoresponse properties of low B-doped p-BaSi₂on
P⁺ ion-implanted Si (111)

▲ [7a-C13-12] Formation of hydrogenated amorphous Si layers by RF plasma generator on Al-capped Si(111) substrate: application to BaSi₂ solar cells

▲ [7p-PB4-10] Carrier transport properties of boron-doped p-BaSi₂ on Si(111) and Si(001)