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一般セッション(口頭講演)

[14p-B6-1~15] 13.10 化合物太陽電池

2017年3月14日(火) 13:15 〜 17:15 B6 (B6)

曽我部東馬(電通大)、渡辺健太郎(東大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

▲ [14p-B6-1] Bandgap Engineering of Sol-Gel Synthesized Zn_1−xMg_xO films as Electron-Transporting
Layers for PbS Colloidal Quantum Dot Solar Cells

〇(D)DING CHAO^1,6、 Zhang Yaohong¹、 Hayase Shuzi^2,5、 Ogomi Yuhei²、 Toyoda Taro^1,5、 Yoshino Kenji^3,5、 Minemoto Takashi^4,5 (1.Univ. Electro-Commun.、2.Kyushu Inst. Tech.、3.Univ. Miyazaki、4.Ritsumeikan Univ.、5.CREST JST、6.CSC)

13:30 〜 13:45

[14p-B6-2] GaSb/GaAs量子ナノ構造太陽電池における赤外量子効率スペクトル

〇玉置亮¹、庄司靖¹、岡田至崇¹ (1.東大先端研)

13:45 〜 14:00

[14p-B6-3] InP/InGaP量子ドット太陽電池における開放電圧の温度依存性

〇(PC)相原健人¹、太野垣健¹、長門優喜²、岡野好伸²、菅谷武芳¹ (1.産総研、2.東京都立大学)

14:00 〜 14:15

[14p-B6-4] InAs/GaAs量子ドット超格子中間バンド型太陽電池特性の
ミニバンド形成の効果

〇平尾和輝¹、朝日重雄¹、海津利行¹、喜多隆¹ (1.神戸大工)

14:15 〜 14:30

[14p-B6-5] AlGaAs母体中のInAs量子ドット構造における室温赤外吸収観察

〇吉川弘文^1,2,3、渡邉克之^1,2、小谷晃央^1,2,3、北澤田鶴子³、岩本敏^1,2、和泉真³、荒川泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研、3.シャープ)

14:30 〜 14:45

[14p-B6-6] GaSb/AlGaAs中間バンド型太陽電池における量子ナノ構造形状の影響

〇庄司靖¹、玉置亮¹、岡田至崇¹ (1.東大先端研)

14:45 〜 15:00

[14p-B6-7] 多重量子井戸太陽電池のキャリア回収モデル

〇トープラサートポンカシディット¹、渡辺健太郎¹、中野義昭¹、杉山正和¹ (1.東大工)

15:15 〜 15:30

[14p-B6-8] 平坦光散乱基板による薄膜GaAs太陽電池の光吸収増強

〇齋均¹、水野英範¹、牧田紀久夫¹、松原浩司¹ (1.産総研)

15:30 〜 15:45

△ [14p-B6-9] 1 eV帯InGaAs:N δドープ超格子の作製

〇(M1)梅田峻平¹ (1.埼玉大院理工研)

15:45 〜 16:00

[14p-B6-10] InGaP/GaAs/Si 3接合セルにおけるBonding界面抵抗評価

〇重川直輝¹、梁剣波¹ (1.大阪市大工)

16:00 〜 16:15

[14p-B6-11] 表面活性化ボンディング法によるGaAs/ITO/Si接合のアニール温度依存性

〇原智也¹、小川智輝¹、梁剣波¹、荒木健次²、神岡武文²、重川直輝¹ (1.大阪市大工、2.豊田工大)

16:15 〜 16:30

[14p-B6-12] 常温で表面活性化接合したSi/GaAs界面の原子・電子構造

〇大野裕¹、吉田秀人²、竹田精治²、梁剣波³、重川直輝³ (1.東北大金研、2.阪大産研、3.大阪市大)

16:30 〜 16:45

[14p-B6-13] エピタキシャルリフトオフにより分離したGaAs基板上の堆積物分析

〇(M1C)中田達也¹、渡辺健太郎²、ソダーバンルハサネット²、木村大希¹、宮下直也²、杉山正和¹、岡田至崇^1,2、中野義昭^1,2 (1.東大院工、2.東大先端研)

16:45 〜 17:00

△ [14p-B6-14] ヘテロ成長により作製したSi基板上III-V-N太陽電池構造のエピタキシャルリフトオフ

〇山根啓輔¹、佐藤健人¹、関口寛人¹、岡田浩²、若原昭浩¹ (1.豊橋技科大院・工、2.豊橋技科大EIIRIS)

17:00 〜 17:15

△ [14p-B6-15] 実太陽光集光下での4接合太陽電池の変換効率

〇(M1)安島由朗¹、金子大和¹、加藤芳紀¹、仲村友希¹、定免良太¹、庄子敬宏¹、馬場圭右¹、代盼²、陆书龙²、内田史朗¹ (1.千葉工大、2.蘇州ナノテク)

一般セッション(口頭講演)

[15p-F201-1~10] 13.10 化合物太陽電池

2017年3月15日(水) 13:15 〜 15:45 F201 (F201)

荒木秀明(長岡高専)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

△ [15p-F201-1] VI族蒸気圧制御によるCu₂ZnSn(S,Se)₄薄膜の作製

〇(D)杉本寛太¹、江尾卓也¹、陶山直樹¹、中田和吉¹、山田明¹ (1.東工大工学院)

13:30 〜 13:45

[15p-F201-2] CZTSe太陽電池の表面処理効果

〇反保衆志¹、金信浩¹、金江玟¹、柴田肇¹、仁木栄¹ (1.産総研)

13:45 〜 14:00

△ [15p-F201-3] 低アーバックエネルギーを示すCu₂ZnGeSe₄薄膜の光学特性：Cu-Se系化合物半導体との比較

〇藤本祥平¹、反保衆志²、金信浩²、金江玟²、柴田肇²、仁木栄²、藤原裕之¹ (1.岐阜大工、2.産総研)

14:00 〜 14:15

[15p-F201-4] 硫化法がCu₂SnS₃ 薄膜のグレインに及ぼす影響

〇水野史章¹、三上俊太郎¹、カトリイゾール¹、杉山睦¹ (1.東理大理工/総研)

14:15 〜 14:30

[15p-F201-5] 硫化法のよる(Cu,Ag)₂SnS₃薄膜の作製と太陽電池への応用

〇中嶋崇喜¹、畑山耕一¹、山口利幸¹、荒木秀明²、中村重之³、瀬戸悟⁴、赤木洋二⁵、笹野順司⁶、伊崎昌伸⁶ (1.和歌山高専、2.長岡高専、3.津山高専、4.石川高専、5.都城高専、6.豊橋技科大)

14:30 〜 14:45

△ [15p-F201-6] Cu₂(Ge_xSn_1-x)S₃系太陽電池材料の結晶構造と光学的性質

〇(M1C)陳清¹、前田毅¹、和田隆博¹ (1.龍谷大理工)

14:45 〜 15:00

[15p-F201-7] 硫化・アニール時の圧力がSnS 薄膜に与える影響

〇浅香圭佑¹、大久保諄¹、鷲見浩貴¹、カトリイゾール¹、杉山睦¹ (1.東理大　理工/総研)

15:00 〜 15:15

△ [15p-F201-8] Mg/Zn₃P₂太陽電池における新規Mg-P-Zn系化合物

〇(DC)勝部涼司¹、鹿住健司¹、野瀬嘉太郎¹ (1.京大院工)

15:15 〜 15:30

[15p-F201-9] 電気化学堆積法によるCu添加p型FeOOH薄膜半導体の作製

〇(B)小林悟史¹ (1.名古屋工業大学)

15:30 〜 15:45

[15p-F201-10] 鉛フリーペロブスカイト太陽電池の性能に関する研究

蘭春峰¹、張楚¹、趙帥¹、〇馬廷麗¹ (1.九工大生命体)

一般セッション(ポスター講演)

[15p-P16-1~8] 13.10 化合物太陽電池

2017年3月15日(水) 16:00 〜 18:00 P16 (展示ホールＢ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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16:00 〜 18:00

[15p-P16-1] 化合物系薄膜太陽電池モジュールに対する光照射の検討

〇千葉恭男¹、崔誠佑¹、佐藤梨都子¹、石井徹之²、増田淳¹ (1.産総研、2.電中研)

16:00 〜 18:00

[15p-P16-2] Moスパッタ膜へのナノ粒子塗布によるCu₂ZnSnS₄薄膜の作製

〇(M1)高瀬友悠¹、濱中泰¹、葛谷俊博²、日原岳彦¹ (1.名工大院、2.室工大)

16:00 〜 18:00

[15p-P16-3] 次亜塩素酸ナトリウム表面処理によるCZTS薄膜への影響

〇宮崎尚¹、山﨑大地¹、青野祐美¹、岸村浩明¹、神保和夫²、片桐裕則² (1.防大材料、2.長岡高専)

16:00 〜 18:00

[15p-P16-4] Cu₂ZnSnS₄発光スペクトルの成長温度依存性の検討

〇(M1)高松良春¹、田中久仁彦¹ (1.長岡技大)

16:00 〜 18:00

[15p-P16-5] Cu₂SnS₃薄膜における光吸収スペクトルの温度依存性

〇粟飯原直也¹、荒木秀明²、田中久仁彦¹ (1.長岡技大、2.長岡高専)

16:00 〜 18:00

[15p-P16-6] 反応拡散を利用した硫化スズ (II) (SnS) の成膜

〇岩田晃樹¹、勝部涼司¹、中塚滋¹、野瀬嘉太郎¹ (1.京大院工)

16:00 〜 18:00

[15p-P16-7] 電気化学堆積法によるCu₂O/InPヘテロ界面の形成(3)

〇近江沙也夏¹、熊崎祐介¹、佐藤威友¹ (1.北大量集センター)

16:00 〜 18:00

[15p-P16-8] n型GaAs:N δドープ超格子の電気的特性評価

〇加藤諒¹、八木修平¹、岡田至崇²、矢口裕之¹ (1.埼玉大理工、2.東大先端研)

一般セッション(口頭講演)

[16a-F201-1~12] 13.10 化合物太陽電池

2017年3月16日(木) 09:30 〜 12:30 F201 (F201)

石塚尚吾(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 09:45

[16a-F201-1] 三段階法による単結晶基板上Cu(In,Ga)Se₂結晶成長

〇西永慈郎¹、菅谷武芳¹、柴田肇¹ (1.産総研)

09:45 〜 10:00

▲ [16a-F201-2] Study of the electrical properties of CuGaSe₂ thin-film solar-cells using admittance spectroscopy

〇Islam Muhammad Monirul¹、 Ishizuka Shogo²、 Shibata Hajime²、 Niki Shigeru²、 Akimoto Katsuhiro¹、 Sakurai Takeaki¹ (1.Tsukuba Univ.、2.AIST)

10:00 〜 10:15

[16a-F201-3] P-KFMによるCIGS太陽電池の光起電力及びその減衰特性の観測

〇(DC)龍顯得¹、峯元高志³、高橋琢二^1,2 (1.東大生研、2.東大ナノ量子機構、3.立命館大理工)

10:15 〜 10:30

▲ [16a-F201-4] Application of Zn_1-xMg_xO:Al to transparent conductive oxide of Cu(In,Ga)(S,Se)₂ solar cell

〇(PC)Chantana Jakapan¹、 Kato Takuya²、 Sugimoto Hiroki²、 Minemoto Takashi¹ (1.Ritsumeikan Univ.、2.Solar Frontierv K.K.)

10:30 〜 10:45

[16a-F201-5] 高効率Cu(In,Ga)Se₂太陽電池のための禁制帯グレーディング制御

〇安藤佑太¹、 Xia Hao¹、 Muhammad Monirul Islam¹、石塚尚吾²、柴田肇²、秋本克洋¹、櫻井岳暁¹ (1.筑波大、2.産総研)

10:45 〜 11:00

[16a-F201-6] Cu(In,Ga)Se₂ 表面Cu 欠損層制御によるCu(In,Ga)Se₂ 太陽電池高効率化

〇(DC)西村昂人¹、土岐爽真¹、杉浦大樹²、中田和吉²、山田明² (1.東工大院理工、2.東工大工学院)

11:00 〜 11:15

[16a-F201-7] Cu-poor層を有するCu(In,Ga)Se₂太陽電池におけるCd及びZn拡散効果の実験的検証

〇杉浦大樹¹、西村昂人²、土岐爽真²、中田和吉¹、山田明¹ (1.東工大工学院、2.東工大院理工)

11:15 〜 11:30

[16a-F201-8] 第一原理計算を用いたCuIn₅Se₈, CuGa₅Se₈, CuIn₅S₈, CuGa₅S₈の相の評価と電子構造

〇(PC)前田毅¹、中島成太郎¹、和田隆博¹ (1.龍谷大理工)

11:30 〜 11:45

[16a-F201-9] KF処理CIGS/CdS太陽電池の熱・光照射効果

〇(B)松浦純平¹、首藤晃佑¹、 Ishwor Khatri²、杉山睦^1,2、中田時夫² (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

11:45 〜 12:00

[16a-F201-10] Comparative study of heat-light soaking on KF- and CsF-treated CIGS solar cells

〇(P)Khatri Ishwor¹、 Shudo Kosuke¹、 Matsuura Junpei¹、 Sugiyama Mutsumi¹、 Nakada Tokio¹ (1.Tokyo University of Science)

12:00 〜 12:15

[16a-F201-11] 蒸着法によるCIGS太陽電池の光照射下Dry Heat試験

〇西永慈郎¹、上川由紀子¹、石塚尚吾¹、柴田肇¹ (1.産総研)

12:15 〜 12:30

[16a-F201-12] CIGSモジュールのDamp Heat試験およびPID試験：IEC規格へのバイアス電圧印加オプションの追加

〇櫻井啓一郎¹、小川錦一¹、柴田肇¹、増田淳¹、冨田仁²、シュミッツダーシャン²、徳田修二² (1.産総研、2.ソーラーフロンティア)

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