一般セッション(口頭講演)

[11a-Z01-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2020年9月11日(金) 08:30 〜 11:30 Z01

末益崇(筑波大)、原康祐(山梨大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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08:30 〜 08:45

[11a-Z01-1] (InGaO₃)_m(ZnO)_n(m = 1,2 n = 1,3)の単結晶育成および物性測定

〇河村優介¹、小林裕樹、加瀬直樹¹、宮川宣明¹ (1.東理大理)

08:45 〜 09:00

[11a-Z01-2] BaSi₂薄膜の低速成長が膜品質に与える効果

〇森俊之輔¹、西尾聡馬¹、西野克志¹ (1.徳島大)

09:00 〜 09:15

[11a-Z01-3] スパッタリング法による β-Fe_1-xRu_xSi₂多結晶薄膜の作製

〇篠村太輔¹、西大樹¹、寺井慶和¹ (1.九工大情報工)

09:15 〜 09:30

△ [11a-Z01-4] 鉄シリサイドナノドット含有 Fe3O4 薄膜メモリにおける局所電界増強による抵抗変化比増大

〇石部貴史¹、成瀬延康²、目良裕²、中村芳明¹ (1.阪大院基礎工、2.滋賀医科大)

09:30 〜 09:45

[11a-Z01-5] 高温高圧下におけるMg₂Si

〇今井基晴¹、井深壮史¹、磯田幸宏¹ (1.物材機構)

10:00 〜 10:15

[11a-Z01-6] BaとSiの堆積レート比とAs-doped n-BaSi₂膜の光学特性の関係

〇青貫翔¹、山下雄大¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大学)

10:15 〜 10:30

[11a-Z01-7] ポストアニール条件とundoped BaSi₂膜における光学特性の関係

〇伯ゆりか¹、山下雄大¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大学)

10:30 〜 10:45

[11a-Z01-8] n-Ru₂Si₃/p-Siヘテロ接合における光応答特性の評価（II）

〇西大樹¹、寺井慶和¹ (1.九工大情報工)

10:45 〜 11:00

[11a-Z01-9] RFスパッタ時のRFパワーがBaSi₂膜の分光感度に与える影響

〇根本泰良¹、小板橋嶺太¹、召田雅実²、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大、2.東ソー)

11:00 〜 11:15

[11a-Z01-10] スパッタリング法でガラス基板上に形成したBaSi₂膜の分光感度特性

〇小板橋嶺太¹、根本泰良¹、召田雅実²、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大学、2.東ソー株式会社)

11:15 〜 11:30

[11a-Z01-11] Au/Mo、Au/Ptメッシュ状電極Mg₂Si PDの分光感度特性

〇市川雄大¹、新岡大介¹、宮内壮流¹、吉田美沙²、津谷大樹²、鵜殿治彦¹ (1.茨城大、2.NIMS)

一般セッション(口頭講演)

[11p-Z01-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2020年9月11日(金) 12:30 〜 15:30 Z01

中村芳明(阪大)、山口憲司(量研機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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12:30 〜 12:45

[11p-Z01-1] 各種Mg/Sn融液組成で成長したMg₂Sn結晶の電気特性

〇土谷直史¹、佐藤彰¹、鵜殿治彦¹ (1.茨城大院)

12:45 〜 13:00

[11p-Z01-2] OCVD法によるMg₂Si-pn接合ダイオードのライフタイム評価(II)

〇(M1)水沼直樹¹、高橋史也¹、岡田理央¹、鵜殿治彦¹ (1.茨城大院)

13:00 〜 13:15

▲ [11p-Z01-3] Optical properties improvement of lightly and heavily boron-doped BaSi₂ by atomic H passivation

〇(D)Zhihao Xu¹、 Kaoru Toko¹、 Takashi Suemasu¹ (1.Univ. Tsukuba)

13:15 〜 13:30

[11p-Z01-4] CaF₂基板上におけるSb-doped BaSi₂膜の熱電特性評価

〇吉田竜一¹、辻美紀江¹、青貫翔¹、山下雄大¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大)

13:30 〜 13:45

[11p-Z01-5] 理論限界効率を示すBaSi₂太陽電池のデバイスシミュレーション

〇原康祐¹ (1.山梨大クリスタル研)

13:45 〜 14:00

△ [11p-Z01-6] 3D光学・電気シミュレーションによるn⁺-AZO/p-BaSi₂ヘテロ接合太陽電池のデバイス設計および動作実証

〇山下雄大¹、 Carlos M. Ruiz Tobon²、 Rudi Santbergen²、 Olindo Isabella²、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大、2.デルフト工科大)

14:15 〜 14:30

[11p-Z01-7] 陽電子消滅寿命法と電子スピン共鳴による電子線照射されたZnO中空孔型欠陥の可視光応答観測

〇(D)中島諒^1,2、木野村淳¹、薮内敦¹、栗山一男³ (1.京大複合研、2.京大院工、3.法政大)

14:30 〜 14:45

△ [11p-Z01-8] 新規薄膜太陽電池材料BaSi₂内の常磁性・輻射性欠陥

〇佐藤拓磨^1,2,3、 Mouesca Jean-Marie³、 Barra Anne-Laure⁴、今井基晴⁵、東清一郎¹、 Gambarelli Serge³、末益崇² (1.広島大先進理工、2.筑波大電子・物理、3.CEA SyMMES、4.LNCMI-CNRS、5.NIMS)

14:45 〜 15:00

△ [11p-Z01-9] 高感度紫外光電子分光による無機半導体のギャップ内準位の評価

〇(M1)中澤遼太郎¹、清水康平¹、田中有弥^1,2、石井久夫^1,2,3 (1.千葉大院融合理工、2.千葉大先進、3.千葉大MCRC)

15:00 〜 15:15

[11p-Z01-10] ルチル型二酸化マンガンにおける水素の局所電子状態 II

〇岡部博孝¹、門野良典^1,2、平石雅俊¹、幸田章宏^1,2、竹下聡史^1,2、小嶋健児³、山内一宏⁴、佐藤博彦⁵ (1.KEK物構研、2.総研大、3.TRIUMF、4.佐賀大院工、5.中大理工)

15:15 〜 15:30

[11p-Z01-11] Geのピエゾ抵抗効果（Ⅰ）

〇松田和典¹、生田壮馬¹、中谷友哉¹、長岡史郎²、筒井一生³ (1.徳文大理工、2.香川高専電子、3.東工大)

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13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11a-Z01-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11a-Z01-1] (InGaO₃)_m(ZnO)_n(m = 1,2 n = 1,3)の単結晶育成および物性測定

[11a-Z01-2] BaSi₂薄膜の低速成長が膜品質に与える効果

[11a-Z01-3] スパッタリング法による β-Fe_1-xRu_xSi₂多結晶薄膜の作製

△ [11a-Z01-4] 鉄シリサイドナノドット含有 Fe3O4 薄膜メモリにおける局所電界増強による抵抗変化比増大

[11a-Z01-5] 高温高圧下におけるMg₂Si

[11a-Z01-6] BaとSiの堆積レート比とAs-doped n-BaSi₂膜の光学特性の関係

[11a-Z01-7] ポストアニール条件とundoped BaSi₂膜における光学特性の関係

[11a-Z01-8] n-Ru₂Si₃/p-Siヘテロ接合における光応答特性の評価（II）

[11a-Z01-9] RFスパッタ時のRFパワーがBaSi₂膜の分光感度に与える影響

[11a-Z01-10] スパッタリング法でガラス基板上に形成したBaSi₂膜の分光感度特性

[11a-Z01-11] Au/Mo、Au/Ptメッシュ状電極Mg₂Si PDの分光感度特性

[11p-Z01-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11p-Z01-1] 各種Mg/Sn融液組成で成長したMg₂Sn結晶の電気特性

[11p-Z01-2] OCVD法によるMg₂Si-pn接合ダイオードのライフタイム評価(II)

▲ [11p-Z01-3] Optical properties improvement of lightly and heavily boron-doped BaSi₂ by atomic H passivation

[11p-Z01-4] CaF₂基板上におけるSb-doped BaSi₂膜の熱電特性評価

[11p-Z01-5] 理論限界効率を示すBaSi₂太陽電池のデバイスシミュレーション

△ [11p-Z01-6] 3D光学・電気シミュレーションによるn⁺-AZO/p-BaSi₂ヘテロ接合太陽電池のデバイス設計および動作実証

[11p-Z01-7] 陽電子消滅寿命法と電子スピン共鳴による電子線照射されたZnO中空孔型欠陥の可視光応答観測

△ [11p-Z01-8] 新規薄膜太陽電池材料BaSi₂内の常磁性・輻射性欠陥

△ [11p-Z01-9] 高感度紫外光電子分光による無機半導体のギャップ内準位の評価

[11p-Z01-10] ルチル型二酸化マンガンにおける水素の局所電子状態 II

[11p-Z01-11] Geのピエゾ抵抗効果（Ⅰ）

認証

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13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11a-Z01-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [11a-Z01-4] 鉄シリサイドナノドット含有 Fe3O4 薄膜メモリにおける 局所電界増強による抵抗変化比増大

[11p-Z01-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

▲ [11p-Z01-3] Optical properties improvement of lightly and heavily boron-doped BaSi2 by atomic H passivation

△ [11p-Z01-6] 3D光学・電気シミュレーションによるn+-AZO/p-BaSi2ヘテロ接合太陽電池のデバイス設計および動作実証

△ [11p-Z01-8] 新規薄膜太陽電池材料BaSi2内の常磁性・輻射性欠陥

△ [11p-Z01-9] 高感度紫外光電子分光による無機半導体のギャップ内準位の評価

認証

△ [11a-Z01-4] 鉄シリサイドナノドット含有 Fe3O4 薄膜メモリにおける局所電界増強による抵抗変化比増大

▲ [11p-Z01-3] Optical properties improvement of lightly and heavily boron-doped BaSi₂ by atomic H passivation

△ [11p-Z01-6] 3D光学・電気シミュレーションによるn⁺-AZO/p-BaSi₂ヘテロ接合太陽電池のデバイス設計および動作実証

△ [11p-Z01-8] 新規薄膜太陽電池材料BaSi₂内の常磁性・輻射性欠陥