13:30 〜 13:45
〇小原田 賢聖1、佐竹 雄太1、吉際 潤2、嵯峨 幸一郎2、岩元 勇人2、門 龍翔1、澤本 直美1,3、横川 凌1,3、小椋 厚志1,3 (1.明治大理工、2.ソニーセミコンダクタソリューションズ(株)、3.再生可能エネルギー研究インスティテュート)
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
2021年3月18日(木) 13:30 〜 17:15 Z24 (Z24)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
13:30 〜 13:45
〇小原田 賢聖1、佐竹 雄太1、吉際 潤2、嵯峨 幸一郎2、岩元 勇人2、門 龍翔1、澤本 直美1,3、横川 凌1,3、小椋 厚志1,3 (1.明治大理工、2.ソニーセミコンダクタソリューションズ(株)、3.再生可能エネルギー研究インスティテュート)
13:45 〜 14:00
〇小原田 賢聖1、佐竹 雄太1、横川 凌1,2、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.再生可能エネルギー研究インスティテュート)
14:00 〜 14:15
〇池野 憲人1、青柳 耀介2、広瀬 信光3、笠松 章史3、松井 敏明3、須田 良幸2、塚本 貴広1 (1.電気通信大学、2.東京農工大学、3.情報通信研究機構)
14:15 〜 14:30
〇清水 昇1、山本 圭介1、王 冬1、中島 寛2 (1.九大・総理工、2.九大・GIC)
14:30 〜 14:45
〇(M1)野島 大志1、佐藤 拓磨1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先進理工)
14:45 〜 15:00
〇赤塚 祐允1、佐藤 拓磨1、花房 宏明1、東 清一郎1 (1.広大院先端研)
15:00 〜 15:15
〇(D)Nguyen ThiKhanh Hoa1、Hiroaki Hanafusa1、Seiichiro Higashi1 (1.Hiroshima Univ.)
15:30 〜 15:45
〇阪本 弦太1、島袋 明香1、野口 隆1、岡田 竜弥1 (1.琉大工)
15:45 〜 16:00
〇(M2)清瀬 俊1、平井 義和1、田畑 修2、土屋 智由1 (1.京大工、2.京先端大工)
16:00 〜 16:15
〇(M1)内山 晃宏1、市川 崇志1、柴田 滉平1、飯田 慎一2、李 尚曄1、石原 昇1、町田 克之1、益 一哉1、伊藤 浩之1 (1.東工大、2.NTT-AT)
16:15 〜 16:30
〇本田 優斗1、崔 容俊1、村上 健介1、石井 仁1、野田 俊彦1、高橋 一浩1、澤田 和明1、町田 克之2、伊藤 浩之2、斎藤 光正3、二階堂 靖彦3 (1.豊橋技科大、2.東工大、3.産業医科大)
16:30 〜 16:45
〇大堀 大介1、竹内 聡1、佐藤 旭1、石田 昌久2、曽田 匡洋2、田中 麻美2、遠藤 和彦1,3、寒川 誠二1,3,4 (1.東北大流体研、2.長瀬産業、3.産総研、4.東北大AIMR)
16:45 〜 17:00
〇曹 健1、池上 友佳子1、伊藤 宜司1、栂嵜 隆1、藪原 秀彦1 (1.東芝)
17:00 〜 17:15
〇(D)Boqi Qiu1、Ya Zhang2、Naomi Nagai1、Kazuhiko Hirakawa1 (1.IIS/INQIE, Univ. of Tokyo、2.TUAT)
要旨・抄録、PDFの閲覧には参加者用アカウントでのログインが必要です。参加者ログイン後に閲覧・ダウンロードできます。
» 参加者用ログイン