一般セッション(口頭講演)

[20a-C302-1~9] 6.4 薄膜新材料

2022年9月20日(火) 09:00 〜 11:30 C302 (C302)

藤原宏平(東北大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[20a-C302-1] 異なるガス種でスパッタしたHf薄膜の特性

〇鈴木和寿¹、川村みどり¹、木場隆之¹、阿部良夫¹ (1.北見工大工)

09:15 〜 09:30

[20a-C302-2] Au薄膜の抵抗率におけるスパッタガス種の影響

〇早坂楓光斗¹、川村みどり¹、木場隆之¹、阿部良夫¹ (1.北見工大工)

09:30 〜 09:45

[20a-C302-3] 銀系多層Low-E膜のブロッカー層の最適化

〇水越光司^1,2、山村剛史³、冨岡泰宏³、川村みどり¹ (1.北見工大、2.YKK AP、3.YKK)

09:45 〜 10:00

[20a-C302-4] 金属ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング法によるAg-Fe₂O₃系黒色絶縁膜の作製

〇田中聖¹、石井暁大¹、山口実奈¹、及川格¹、山崎雄亮²、伊村正明²、高村仁¹ (1.東北大院工、2.日本電気硝子)

10:15 〜 10:30

[20a-C302-5] スピノーダル分解によるガラス基板上へのTiO₂-VO₂多層膜の形成

〇村岡祐治¹、竹田一匡²、脇田高徳¹、横谷尚睦¹、竹元嘉利² (1.岡山大基礎研、2.岡山大院自然科学)

10:30 〜 10:45

▲ [20a-C302-6] Stepwise Insulator-to-Metal Transition of VO₂/TiO₂ Multilayer Films

〇(D)Binjie Chen¹、 Hiromichi Ohta² (1.IST, Hokkaido Univ、2.RIES, Hokkaido Univ)

10:45 〜 11:00

[20a-C302-7] WO₃/NiO積層膜を用いたエレクトロクロミック素子の光学特性

〇阿部良夫¹、門脇唯¹、川村みどり¹、金敬鎬¹、木場隆之¹ (1.北見工大)

11:00 〜 11:15

[20a-C302-8] PET基板上に成膜したITOおよびBドープIn₂O₃のフレキシブル透明導電膜としての特性比較

〇(M2)森峻¹、木菱完太¹、山寺真理¹、野寺歩夢¹、渡辺幸太郎¹、鷹野一朗¹、相川慎也¹ (1.工学院大)

11:15 〜 11:30

[20a-C302-9] 【注目講演】微細線セラミックサーミスタ

〇中島智彦¹、土屋哲男¹ (1.産総研)

一般セッション(口頭講演)

[20p-C302-1~12] 6.4 薄膜新材料

2022年9月20日(火) 13:30 〜 16:45 C302 (C302)

村岡祐治(岡山大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 13:45

[20p-C302-1] 微粒子層の導入による高ヘイズTCO膜を利用した色素増感太陽電池の作製

〇山根知幸¹、新野萌¹、奥谷昌之¹ (1.静岡大院工)

13:45 〜 14:00

[20p-C302-2] 非平衡二次元プラズマを利用した積層型TiO₂層の作製と色素増感太陽電池への応用

〇西川大輔¹、長尾優輝¹、棟近健¹、奥谷昌之¹ (1.静岡大院工)

14:00 〜 14:15

[20p-C302-3] 雰囲気制御下のマイクロ波加熱法を利用したITO膜の作製と色素増感太陽電池への応用

〇戸田恭輔¹、小西直磨¹、内藤貫太¹、奥谷昌之¹ (1.静岡大院工)

14:15 〜 14:30

[20p-C302-4] 多層膜固相エピタキシー法で合成したLaBi薄膜の電気輸送特性

〇吉川賢伸¹、河底秀幸^1,2、福村知昭¹ (1.東北大理、2.JSTさきがけ)

14:30 〜 14:45

[20p-C302-5] 高移動度岩塩型(Sn,Ca)Se準安定相のエピタキシャル薄膜成長とキャリア輸送特性

〇片瀬貴義¹、ホシンイ¹、チェンジンシュアイ¹、井手啓介¹、平松秀典¹、細野秀雄²、神谷利夫¹ (1.東工大フロ研、2.東工大元素セ)

14:45 〜 15:00

[20p-C302-6] 配向制御したCuI薄膜における歪み誘起バンド構造変化

〇中村優男¹、稲垣宗太朗²、岡村嘉大²、荻野槙子²、高橋陽太郎^1,2、足立精宏¹、橋爪大輔¹、十倉好紀^1,2,3、川﨑雅司^1,2 (1.理研CEMS、2.東大院工、3.東京カレッジ)

15:15 〜 15:30

[20p-C302-7] パルスレーザ堆積法による(111)配向LaH_x薄膜の作製と水素量制御

〇(D)曹子陽¹、相馬拓人¹、大友明¹ (1.東工大物質理工)

15:30 〜 15:45

[20p-C302-8] 活性水素発生効率の向上によるLiHエピタキシャル薄膜の単相化

〇(M1)宗房幸太¹、八田李咲子¹、大口裕之¹ (1.芝浦工大理工)

15:45 〜 16:00

[20p-C302-9] バルク試料との比較に基づくBaH₂薄膜のヒドリド伝導実証

〇(M1)福士英里香¹、市岡俊樹¹、風間敦夫¹、森史弥¹、唐昊喆¹、大口裕之¹ (1.芝浦工大理工)

16:00 〜 16:15

[20p-C302-10] ペロブスカイト水素化物BaLiH₃薄膜の高品質化とヒドリド伝導性評価

〇(M1)福士英里香¹、森史弥¹、大口裕之¹ (1.芝浦工大理工)

16:15 〜 16:30

[20p-C302-11] NaBH₄エピタキシャル薄膜の合成と成長方位制御

〇中山亮¹、河口祐飛¹、清水亮太¹、西尾和記¹、大口裕之²、金相侖^3,4,5、折茂慎一^4,5、一杉太郎^1,6 (1.東工大物質理工、2.芝浦工大工、3.GIST、4.東北大WPI-AIMR、5.東北大金研、6.東大院理)

16:30 〜 16:45

[20p-C302-12] イオン液体アシスト法における成膜中イオン液体蒸発を利用した
LiBH₄膜の膜質制御

〇戸澤拓海¹、丸山伸伍²、松本祐司²、大口裕之¹ (1.芝浦工大工、2.東北大院工)

一般セッション(ポスター講演)

[21p-P16-1~15] 6.4 薄膜新材料

2022年9月21日(水) 16:00 〜 18:00 P16 (体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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16:00 〜 18:00

[21p-P16-1] Mn₃Cu_xSn_1-xN薄膜の作製と¹¹⁹Snメスバウアー分光法による磁性評価

〇(M1)貞島幹大¹、竹原玄貴¹、大谷千花¹、田中雅章¹、壬生攻¹ (1.名工大工)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-2] UHVスパッタエピタキシー法によるZnSnN₂層の成長（II）

〇水内颯太郎¹、吉田圭佑¹、篠田宏之¹、六倉信喜¹ (1.東京電機大工)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-3] 銀マイクロプレート分散液を用いた濾過転写法による導電薄膜の作製

〇Jang Jeongmin¹、古澤匠海¹、石崎学¹、栗原正人¹ (1.山形大院理工)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-4] アニール処理による金属/誘電体/金属ナノ光共振器構造の作製

〇高橋優介¹、木場隆之¹、川村みどり¹、阿部良夫¹ (1.北見工大)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-5] 単層グラフェン膜のフェムト秒レーザー加工と表面洗浄

〇門口尚広^1,2、小林哲郎^1,2、上杉祐貴^1,3、小澤祐市¹、佐藤俊一¹ (1.東北大多元研、2.東北大工院、3.JSTさきがけ)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-6] アモルファスIZOナノファイバを用いたフレキシブル導電不織布基板の作製

〇大木下潤¹、小川裕貴¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹ (1.鹿児島大院　理工)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-7] ポリイミド膜上への相転移VO₂薄膜成長と電気的・光学的特性評価

〇(M1)小澤雪斗¹、宮武佑多¹、沖村邦雄¹、中西俊博² (1.東海大院工、2.京都大院工)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-8] GST/VO₂積層構造においてGSTの結晶化がVO₂の転移特性に及ぼす影響

〇(M1)大貫卓斗¹、沖村邦雄¹、坂井穣²、桑原正史³ (1.東海大院工、2.豊島製作所、3.産業技術総合研究所)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-9] PLD合成したアモルファス酸化バナジウム系薄膜の紫外光照射及び一軸圧縮熱処理による電気特性制御

〇(M1)大澤樹¹、庄司拓貴¹、金子健太¹、金子智^2,1、松田晃史¹、吉本護¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川産技総研)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-10] 酸化スズ薄膜の室温 PLD 合成と一軸圧縮熱処理による固相結晶化

〇加藤礼雄¹、庄司拓貴¹、金子健太¹、金子智^2,1、吉本護¹、松田晃史¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川産技総研)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-11] 反応性スパッタ法により低温堆積したYSZ薄膜の結晶性への基板温度の影響

〇(M2)周景堯¹、堀田將¹ (1.北陸先端大)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-12] Ga ベース液体金属合金から転写した Ga 酸化膜の観察と評価

〇前田直輝¹、永井慈¹、今井崇人¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-13] Ga液体金属の表面酸化膜の多層化検討

〇永井慈¹、前田直輝¹、山本伸一¹ (1.龍谷大院理工)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-14] 一価銅化合物ナノ粒子分散液を用いた抗ウイルス蒸着膜の作製

〇猪俣崇¹、澤田正貴²、三屋昌幸²、濱野剛³、木本学³、高森万悠子⁴、長尾朋和⁴ (1.稀産金属、2.エツミ光学、3.テクノアソシエ、4.NBCメッシュテック)

16:00 〜 18:00

[21p-P16-15] 溶液塗布型太陽電池における溶液調整条件と発電特性の関係

〇加藤泰成¹、内山直美¹、柴田陽生¹、山田博仁¹ (1.東北大院工)

一般セッション(口頭講演)

[22a-C202-1~7] 6.4 薄膜新材料

2022年9月22日(木) 09:30 〜 11:30 C202 (C202)

岡大地(東北大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
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09:30 〜 09:45

[22a-C202-1] [講演奨励賞受賞記念講演] Cr_1+δTe₂薄膜におけおける変調可能なフラストレートフェリ磁性とスカーミオン形成

〇藤澤唯太¹、 Mohamed Atwa¹、 Pardo-Almanza Markel¹、山神光平^1,2、岡田佳憲¹ (1.沖縄科技大、2.高輝度光科学研究センター)

09:45 〜 10:00

[22a-C202-2] フラストレートY₃Fe_5-2xCo_xSi_xO₁₂薄膜におけるスピン波伝搬

〇寺尾健裕¹、 Sarker Md Shamim¹、山原弘靖¹、関宗俊¹、田畑仁¹ (1.東大院工)

10:00 〜 10:15

[22a-C202-3] Ag/Mn-Znフェライト薄膜を用いた磁気表面プラズモン効果の高感度化

〇石橋佳大¹、黒岩海斗¹、芦澤好人¹、中川活二¹ (1.日大理工)

10:15 〜 10:30

[22a-C202-4] PLD法を用いた逆ペロブスカイト窒化物Mn₃(Sn,Bi)Nエピタキシャル薄膜の作製

〇川口昂彦¹、白井友晴¹、坂元尚紀¹、鈴木久男¹、脇谷尚樹¹ (1.静大院工)

10:45 〜 11:00

[22a-C202-5] Na⁺脱離によるNa_1-xCrO₂エピタキシャル薄膜の電気抵抗・光学特性変化

〇(M1)前田慶¹、笹原悠輝^1,2、遊馬博明¹、小林成¹、西尾和記¹、清水亮太¹、一杉太郎^1,3 (1.東工大物質理工、2.京大院工、3.東大院理)

11:00 〜 11:15

[22a-C202-6] パルスレーザー堆積法により作製されたBi-Rh-O新物質薄膜におけるp型導電性

〇(DC)大野瑞貴¹、藤田貴啓¹、川﨑雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研 CEMS)

11:15 〜 11:30

[22a-C202-7] TFET用Ti_xZn_1-xO_1+x/Si界面の熱処理による欠陥制御

〇(M2)大門祐貴^1,2、知京豊裕²、小椋厚志^1,3、長田貴弘² (1.明大理工、2.物質・材料研究機構、3.明大MREL)

一般セッション(口頭講演)

[22p-C202-1~12] 6.4 薄膜新材料

2022年9月22日(木) 13:00 〜 16:15 C202 (C202)

西川博昭(近畿大)、松本祐司(東北大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:00 〜 13:15

[22p-C202-1] 擬岩塩型NbNエピタキシャル薄膜の超伝導

〇長泰亨¹、木村凛太郎¹、神永健一¹、丸山伸伍¹、松本裕司¹ (1.東北大工)

13:15 〜 13:30

△ [22p-C202-2] 強磁性Fe₄N/超伝導NbN 接合のエピタキシーと伝導特性

〇(M1)吉田悠真¹、相馬拓人¹、大友明¹ (1.東工大物質理工)

13:30 〜 13:45

△ [22p-C202-3] 高圧相岩塩型構造MgSnN₂の薄膜化

〇牧内楓¹、川村史朗²、矢田舜一郎¹、ソンイェリン²、反保衆志³、村田秀信⁴、賈軍軍⁵、山田直臣¹ (1.中部大院工、2.物材機構、3.産総研、4.大阪公立大、5.早大国際理工)

13:45 〜 14:00

△ [22p-C202-4] p-CuI:Zn/n-MgSnN₂ヘテロ接合とダイオード

〇矢田舜一郎¹、牧内楓¹、小林海斗¹、川村史朗²、井村将隆²、村田秀信³、賈軍軍⁴、山田直臣¹ (1.中部大院工、2.物材機構、3.大阪公立大院工、4.早大国際理工)

14:00 〜 14:15

△ [22p-C202-5] p-CuI:Zn/n-ZnOヘテロ接合の形成とダイオード特性評価

〇小林海斗¹、矢田舜一郎¹、山田直臣¹ (1.中部大院工)

14:15 〜 14:30

△ [22p-C202-6] EuCd₂薄膜における巨大なトポロジカルホール効果の観測

〇(M1)渡辺悠斗¹、西早辰一¹、中村彩乃¹、打田正輝¹ (1.東工大理)

14:45 〜 15:00

△ [22p-C202-7] La₃Ni₂O₇薄膜のエピタキシャル成長と還元アニールによる層状構造制御

〇後藤祐己¹、河村和哉¹、金子健太¹、金子智^2,1、吉本護¹、松田晃史¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川産技総研)

15:00 〜 15:15

△ [22p-C202-8] マグネトロンスパッタ法を用いたKCoF₃エピタキシャル薄膜成長

〇(M2)邱天裕¹、清水亮太¹、小松遊矢¹、深津圭佑¹、西尾和記¹、一杉太郎^1,2 (1.東工大物質理工、2.東大院理)

15:15 〜 15:30

△ [22p-C202-9] 複合成膜手法により作成されたTiO₂薄膜におけるスパッタリングの影響

〇(M1)遠藤孝祐¹、室谷裕志¹、松平学幸² (1.東海大院工、2.(株)シンクロン)

15:30 〜 15:45

△ [22p-C202-10] 複合成膜手法により成膜された低屈折率SiO₂光学薄膜の親水性評価[4]

〇(M2)伊藤睦記¹、松平学幸²、室谷裕志¹ (1.東海大院工、2.(株)シンクロン)

15:45 〜 16:00

△ [22p-C202-11] MnドープITOエピタキシャル成長膜におけるMnドープ量が物性に与える影響の評価

〇北川彩貴¹、中村敏浩^1,2 (1.京大院人環、2.京大国際高等教育院)

16:00 〜 16:15

[22p-C202-12] RFマグネトロンスパッタリング法によって作製したMnドープITO多結晶膜の物性に及ぼす基板温度の影響

〇川村亮人¹、北川彩貴¹、武久進太郎¹、中村敏浩^1,2 (1.京大院人環、2.京大国際高等教育院)

セッション一覧

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[20a-C302-1~9] 6.4 薄膜新材料

▲ [20a-C302-6] Stepwise Insulator-to-Metal Transition of VO2/TiO2 Multilayer Films

[20p-C302-1~12] 6.4 薄膜新材料

[21p-P16-1~15] 6.4 薄膜新材料

[22a-C202-1~7] 6.4 薄膜新材料

[22p-C202-1~12] 6.4 薄膜新材料

△ [22p-C202-2] 強磁性Fe4N/超伝導NbN 接合のエピタキシーと伝導特性

△ [22p-C202-3] 高圧相岩塩型構造MgSnN2の薄膜化

△ [22p-C202-4] p-CuI:Zn/n-MgSnN2ヘテロ接合とダイオード

△ [22p-C202-5] p-CuI:Zn/n-ZnOヘテロ接合の形成とダイオード特性評価

△ [22p-C202-6] EuCd2薄膜における巨大なトポロジカルホール効果の観測

△ [22p-C202-7] La3Ni2O7薄膜のエピタキシャル成長と還元アニールによる層状構造制御

△ [22p-C202-8] マグネトロンスパッタ法を用いたKCoF3エピタキシャル薄膜成長

△ [22p-C202-9] 複合成膜手法により作成されたTiO2薄膜におけるスパッタリングの影響

△ [22p-C202-10] 複合成膜手法により成膜された低屈折率SiO2光学薄膜の親水性評価[4]

△ [22p-C202-11] MnドープITOエピタキシャル成長膜におけるMnドープ量が物性に与える影響の評価

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▲ [20a-C302-6] Stepwise Insulator-to-Metal Transition of VO₂/TiO₂ Multilayer Films

△ [22p-C202-2] 強磁性Fe₄N/超伝導NbN 接合のエピタキシーと伝導特性

△ [22p-C202-3] 高圧相岩塩型構造MgSnN₂の薄膜化

△ [22p-C202-4] p-CuI:Zn/n-MgSnN₂ヘテロ接合とダイオード

△ [22p-C202-6] EuCd₂薄膜における巨大なトポロジカルホール効果の観測

△ [22p-C202-7] La₃Ni₂O₇薄膜のエピタキシャル成長と還元アニールによる層状構造制御

△ [22p-C202-8] マグネトロンスパッタ法を用いたKCoF₃エピタキシャル薄膜成長

△ [22p-C202-9] 複合成膜手法により作成されたTiO₂薄膜におけるスパッタリングの影響

△ [22p-C202-10] 複合成膜手法により成膜された低屈折率SiO₂光学薄膜の親水性評価[4]