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13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

一般セッション(口頭講演)

[15p-A403-1~16] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2023年3月15日(水) 13:00 〜 17:15 A403 (6号館)

鵜殿治彦(茨城大)、末益崇(筑波大)、山口憲司(量研機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:00 〜 13:15

[15p-A403-1] [第53回講演奨励賞受賞記念講演] Zn置換によるCuIのホール濃度低下とそのメカニズム

〇辻昌武¹、飯村壮史^1,2,3、金正煥^1,3、細野秀雄^1,2 (1.東工大　元素戦略研、2.物材機構、3.さきがけ)

13:15 〜 13:30

[15p-A403-2] BaSi₂薄膜の結晶粒界とキャリア寿命の関係

〇原康祐¹、有元圭介¹、宇佐美徳隆² (1.山梨大クリスタル研、2.名大院工)

13:30 〜 13:45

[15p-A403-3] スパッタ法で作製した多結晶BaSi₂膜へのBイオン注入による伝導型制御

〇佐藤匠¹、木戸一輝¹、長谷部隼¹、竹中晴紀¹、青貫翔¹、召田雅実²、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大学、2.東ソー株式会社)

13:45 〜 14:00

[15p-A403-4] 真空中ポストアニールによるBaSi₂膜中の特性変化と酸素の影響

〇岩井藍¹、青貫翔¹、成田隼翼¹、髙柳香織¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大学)

14:00 〜 14:15

[15p-A403-5] B-doped a-Siを用いたB-doped BaSi₂膜の熱反応堆積成長と評価

〇中村新¹、青貫翔¹、成田隼翼¹、高柳香織¹、岩井藍¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大学)

14:15 〜 14:30

[15p-A403-6] リン不純物添加が及ぼす溶融Mg₂Si結晶の熱電特性への影響

〇宮後大介¹、鵜殿治彦¹ (1.茨城大院)

14:30 〜 14:45

[15p-A403-7] CF₄/ArによるMg₂Si基板の反応性イオンエッチング特性

〇今泉尚己¹、中村陸斗¹、吉田美沙²、津谷大樹²、鵜殿治彦¹ (1.茨城大院、2.NIMS)

14:45 〜 15:00

[15p-A403-8] p-NiO/n-BaSi₂ヘテロ接合型太陽電池の設計およびガラス基板上への作製

〇竹中晴紀¹、長谷部隼¹、木戸一輝¹、召田雅実²、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大学、2.東ソー株式会社)

15:00 〜 15:15

△ [15p-A403-9] 光学シミュレーションによるHTL/BaSi₂太陽電池の構造設計

〇(DC)青貫翔¹、 Tobon Carlos Mario Ruiz²、 Santbergen Rudi²、都甲薫¹、 Isabella Olindo²、末益崇¹ (1.筑波大、2.デルフト工科大)

15:15 〜 15:30

▲ [15p-A403-10] Application of a-SiC Electron Transport Layer in BaSi₂ Solar cells

〇(D)Rui Du¹、 Sho Aonuki¹、 Hayato Hasebe¹、 Kazuki Kido¹、 Haruki Takenaka¹、 Masami Mesuda²、 Kaoru Toko³、 Takashi Suemasu³ (1.Univ. of Tsukuba, Graduate School of Science and Technology、2.Tosoh Corp., Advanced Materials Research Laboratory、3.Univ. of Tsukuba, Faculty of Pure and Applied Sciences)

15:30 〜 15:45

[15p-A403-11] Zn_1-xGe_xO_y界面層を用いたn⁺-AZO/p-BaSi₂太陽電池の検討

〇高柳香織¹、青貫翔¹、成田隼翼¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大学)

16:00 〜 16:15

[15p-A403-12] MgCl₂-Mg融液を用いて作製したMg₂Siナノシート及びMg₂Si_1-xGe_xナノ構造体の微細構造

佐々木啓悟¹、関野海斗¹、古賀友也¹、志村洋介^1,2、〇立岡浩一¹ (1.静岡大院工、2.静大電研)

16:15 〜 16:30

[15p-A403-13] 近接蒸着法により作製したCaSi₂薄膜の結晶配向性

〇(BC)高垣僚太¹、有元圭介¹、山中淳二¹、原康祐¹ (1.山梨大)

16:30 〜 16:45

[15p-A403-14] SrSi_2-xの結晶構造

〇今井基晴¹、藤久裕司² (1.物材機構、2.産総研)

16:45 〜 17:00

[15p-A403-15] スズ化物Na₂CdSn₅の結晶構造と熱電特性

〇山田高広¹、浅宮雄貴^1,2、山根久典¹ (1.東北大多元研、2.東北大院工)

17:00 〜 17:15

[15p-A403-16] 様々なSiGe原子組成比をもつII型SiGe合金クラスレート薄膜の
結晶構造および光学特性評価

〇新谷明宏、栗田詩織¹、大橋史隆¹、 Jha Himanshu¹、 Kumar Rahul²、久米徹二¹ (1.岐阜大学、2.岐阜高専)

一般セッション(ポスター講演)

[16a-PB05-1~5] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2023年3月16日(木) 09:30 〜 11:30 PB05 (ポスター)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 11:30

[16a-PB05-1] Si結晶中の10原子空孔の特異な電子構造

神原大輝¹、清水泰斗¹、〇内田和之¹ (1.京産大理)

09:30 〜 11:30

[16a-PB05-2] 三元系ウルツ鉱型酸化物半導体におけるイオン交換反応

〇鈴木一誓¹、小俣孝久¹ (1.東北大)

09:30 〜 11:30

[16a-PB05-3] Mn 部分置換 CrSi₂ の赤外線吸収効率化のためのアニール条件の検討

〇(M2)田崎海地¹、林慶¹、髙松智寿¹、李敬鋒^1,2、宮﨑讓¹ (1.東北大院工、2.清華大)

09:30 〜 11:30

[16a-PB05-4] 4探針プローブ法によるMg₂Si基板へのAl拡散深さの調査

〇尾嶋海人¹、中村陸斗¹、鵜殿治彦¹ (1.茨城大学)

09:30 〜 11:30

[16a-PB05-5] FeS₂天然結晶を用いた低閾値ショットキーバリアダイオードの作製

〇安藤陸¹、前田就彦¹ (1.東京工科大)

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