一般セッション(口頭講演)
[15a-313-1~11] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
09:00 〜 09:15
〇(M2)李 珠行1、 權 晋寛2、 影山 健生2、 渡邊 克之1、 岩本 敏1,2、 荒川 泰彦1,2 (1.東大生研、2.ナノ量子機構)
09:15 〜 09:30
〇影山 健生1、 渡邉 克之2、 武政 敬三3、 菅原 充3、 岩本 敏1,2、 荒川 泰彦1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研、3.QDレーザ)
09:30 〜 09:45
▲ [15a-313-3] Photoluminescence Properties of GaSb/GaAs Quantum Dots Grown on Ge and GaAs Substrates
〇(D)Zon Zon1,4、 Thainoi Supachok1、 Kiravittaya Suwit2、 Tandaechanurat Aniwat3、 Panyakeow Somsak1、 Ota Yasutomo4、 Iwamoto Satoshi4、 Arakawa Yasuhiko4 (1.Semiconductor Device Research Laboratory (SDRL), Chulalongkorn University, Bangkok, Thailand、2.Advanced Optical Technology (AOT) Laboratory, Naresuan University, Phitsanulok, Thailand、3.International School of Engineering (ISE), Chulalongkorn University, Bangkok, Thailand、4.Institute for Nano Quantum Information Electronics and Institute of Industrial Science, The University of Tokyo, Tokyo, Japan)
09:45 〜 10:00
〇角田 雅弘1、 太田 泰友1、 車 一宏2、 渡邉 克之1,2、 岩本 敏1,2、 荒川 泰彦1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研)
10:00 〜 10:15
〇渡邉 克之1,2、 岩本 敏1,2、 荒川 泰彦1,2 (1.東大生研、2.東大ナノ量子機構)
10:15 〜 10:30
〇海津 利行1,2、 田尻 祐介1、 喜多 隆1 (1.神戸大院工、2.神戸大研究基盤セ)
10:45 〜 11:00
〇林 佑真1、 尾崎 信彦1、 大河内 俊介2、 池田 直樹3、 杉本 喜正3 (1.和歌山大学シス工、2.NEC、3.物材機構)
11:00 〜 11:15
〇小川 泰弘1、 原田 幸弘1、 海津 利行1、 喜多 隆1 (1.神戸大院工)
11:15 〜 11:30
〇何 軼倫1,2、 宮下 直也2、 岡田 至崇1,2 (1.東大院工、2.東大先端研)
11:30 〜 11:45
〇佐々木 拓生1、 高橋 正光1 (1.量研機構)
11:45 〜 12:00
〇伊藤 智徳1、 海田 諒1、 秋山 亨1、 中村 浩次1 (1.三重大院工)