一般セッション(口頭講演)

[17a-B3-1~11] 15.6 IV族系化合物

2013年9月17日(火) 09:00 〜 12:00 B3 (TC2 1F-105)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[17a-B3-1] F₂+Heガスプラズマを用いたSiCのドライエッチング

^○田中貴也¹，新海聡子²，小田春奈³，本山慎一³ (九工大院情¹，九工大マイクロ化²，サムコ³)

09:15 〜 09:30

[17a-B3-2] Si-on-SiC基板貼り合わせ界面の電気的特性

^○笹田幸弘，来見貴誠，荒木亮祐，清水秀雄，木下博之，吉本昌広 (京都工芸繊維大院)

09:30 〜 09:45

[17a-B3-3] 4H-SiCへの大気圧熱プラズマジェット照射によるAlの活性化

^○（M1）丸山佳祐，花房宏明，村上秀樹，林将平，東清一郎 (広大院先端研)

09:45 〜 10:00

△ [17a-B3-4] VLD型終端構造を適用した3.3 kV SiC-SBDの作製および評価

^○海老原洪平，山本泰樹，中木義幸，綾淳，今泉昌之，三浦成久，中田修平，山川聡 (三菱電機)

10:00 〜 10:15

△ [17a-B3-5] 4H-SiC熱酸化膜の界面近傍の構造変化に対する面方位と酸化雰囲気の効果

^○平井悠久¹，喜多浩之^1,2 (東大院工¹，JSTさきがけ²)

休憩　（10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[17a-B3-6] 4H-SiC熱酸化膜の薄膜領域(<10 nm)における直線的な成長過程の検証

^○菊地リチャード平八郎¹，喜多浩之^1,2 (東大院工¹，JST さきがけ²)

10:45 〜 11:00

[17a-B3-7] SiO₂/SiC MOS構造における伝導帯端近傍の界面特性

^○田岡紀之，坂下満男，中塚理，財満鎭明 (名大院工)

11:00 〜 11:15

▼ [17a-B3-8] Diffusivity of Mobile Ions Inherent to Thermal SiO₂/SiC Structures in Deposited SiO₂ Gate Dielectrics

^○（D）Atthawut Chanthaphan¹，中野佑紀²，中村孝²，細井卓治¹，志村考功¹，渡部平司¹ (阪大院工¹，ローム²)

11:15 〜 11:30

[17a-B3-9] 4H-SiCの熱酸化速度の理論的研究 -Si面とC面の酸化速度の相違-

^○（BC）丸山翔太郎¹，遠藤健太郎¹，長川健太¹，神谷克政¹，白石賢二^1,2 (筑波大物理¹，名大院工²)

11:30 〜 11:45

[17a-B3-10] 4H-SiC表面のNO初期酸化過程の理論的検討

^○遠藤賢太郎¹，丸山翔太郎¹，加藤重徳¹，神谷克政¹，白石賢二^1,2 (筑波大物理¹，名大院工²)

11:45 〜 12:00

△ [17a-B3-11] X線光電子分光法によるラジカル窒化処理をしたSiO₂/4H-SiC界面における窒素分布の評価

^○（M2）岡田葉月¹，高嶋明人²，室隆桂之²，野平博司¹ (東京都市大¹，高輝度研²)

一般セッション(口頭講演)

[17p-B3-1~17] 15.6 IV族系化合物

2013年9月17日(火) 13:30 〜 18:00 B3 (TC2 1F-105)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食　（12:00 〜 13:30）

13:30 〜 13:45

[17p-B3-1] 「応用物理学会論文奨励賞受賞記念講演」（15分）Dislocation Revelation from (0001) Carbon-face of 4H-SiC by Using Vaporized KOH at High Temperature

^○姚永昭 (JFCC)

13:45 〜 14:00

[17p-B3-2] SiC-MOSキャパシタにおけるシングルイベント破壊機構の検討

^○（DC）出来真斗^1,2，牧野高紘²，富田卓朗¹，児島一聡³，大島武² (徳島大¹，原子力機構²，産総研³)

14:00 〜 14:15

[17p-B3-3] FCA測定装置の開発とSiCのキャリアライフタイム評価への適用

^○森祐人，チュングェン，加藤正史，市村正也 (名工大)

14:15 〜 14:30

[17p-B3-4] KrFエキシマレーザーの溶液中照射による4H-SiCへのAlのドーピング

^○丸井大地，池田晃裕，西紘史，池上浩，浅野種正 (九大)

14:30 〜 14:45

△ [17p-B3-5] 4H-SiCを用いた即時ガンマ線量率計の開発

^○（PC）藤田奈津子，岩本直也，小野田忍，牧野高紘，大島武 (日本原子力研究開発機構)

14:45 〜 15:00

△ [17p-B3-6] アルファ粒子を利用したHPSI 4H-SiC中の欠陥評価

^○（PC）岩本直也，藤田奈津子，牧野高紘，小野田忍，大島武 (原子力機構)

15:00 〜 15:15

[17p-B3-7] 電子線照射を利用した4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定

^○加藤正史¹，中根浩貴¹，市村正也¹，大島武² (名工大¹，日本原子力研究開発機構²)

15:15 〜 15:30

[17p-B3-8] 金属表面における炭化珪素薄膜の低温形成法(3)

津地雅希，廣岡亜純，^○羽深等 (横国大院工)

休憩　（15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

[17p-B3-9] 三フッ化塩素ガスにより形成される4度オフC面4H-SiC基板表面形態

福元裕介¹，^○羽深等¹，加藤智久² (横国大院工¹，産総研²)

16:00 〜 16:15

[17p-B3-10] 三フッ化塩素ガスによるSiC成膜装置クリーニング法

福元祐介¹，^○水野浩輔¹，羽深等¹，石田夕起²，大野俊之² (横国大院工¹，FUPET²)

16:15 〜 16:30

[17p-B3-11] 耐三フッ化塩素保護膜形成法

^○松田仁美¹，羽深等¹，石田夕起²，大野俊之² (横浜大院工¹，FUPET²)

16:30 〜 16:45

[17p-B3-12] 三フッ化塩素ガスによる炭化珪素結晶基板エッチング装置開発(2)

^○矢島大里¹，羽深等¹，加藤智久² (横国大院工¹，産総研²)

16:45 〜 17:00

[17p-B3-13] 4H-SiC(0001)Si面におけるマクロステップバンチング分解機構

^○（M1）清水秀樹，久津間保徳，芦田晃嗣，大谷昇，金子忠昭 (関学大理工)

17:00 〜 17:15

△ [17p-B3-14] 表面活性化ボンディング法によるSi/4H-SiC接合のブレークダウン特性

^○（M1）西田将太¹，梁剣波¹，森本雅史¹，重川直輝¹，新井学² (大阪市大工¹，新日本無線²)

17:15 〜 17:30

△ [17p-B3-15] 4H-SiC微傾斜エピタキシャル成長における基底面転位の貫通刃状転位への変換

^○升本恵子^1,2，伊藤佐千子^1,2，後藤日出人²，田村謙太郎^1,3，工藤千秋^1,4，西尾譲司^1,5，児島一聡^1,2，大野俊之^1,6，奥村元^1,2 (FUPET¹，産総研²，ローム³，パナソニック⁴，東芝⁵，日立⁶)

17:30 〜 17:45

△ [17p-B3-16] レーザーアブレーション法によるSi基板上3C-SiC薄膜成長

^○成田次理，目黒一熙，鈴木大樹，山本陽平，能登夏音，中澤日出樹 (弘前大院理工)

17:45 〜 18:00

[17p-B3-17] Si(110)基板上回転エピ膜上に形成したエピタキシャルグラフェンの断面TEM評価

^○（M2）三本菅正太¹，長澤弘幸¹，セルゲイフィリモノフ²，伊藤駿³，吹留博一¹，末光眞希^1,4 (東北大学通研¹，トモスク州立大²，東北大金研³，JST/CREST⁴)

一般セッション(口頭講演)

[18a-B3-1~9] 15.6 IV族系化合物

2013年9月18日(水) 09:00 〜 11:30 B3 (TC2 1F-105)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[18a-B3-1] SiC 溶液成長における流れ制御によるトレンチ形成の抑制

^○朱燦¹，原田俊太¹，関和明¹，肖世玉¹，田川美穂¹，松本祐司²，加藤智久^3,4，蔵重和央^4,5，奥村元^3,4，宇治原徹¹ (名大院工¹，東北大院工²，産総研³，FUPET⁴，日立化成⁵)

09:15 〜 09:30

[18a-B3-2] SiC溶液成長過程における貫通転位変換と成長表面のステップ構造

^○原田俊太，山本祐治，肖世玉，堀尾篤史，田川美穂，宇治原徹 (名大院工)

09:30 〜 09:45

▼ [18a-B3-3] SiC溶液成長過程における基底面転位の形成

^○肖世玉，朱燦，原田俊太，宇治原徹 (名大工)

09:45 〜 10:00

△ [18a-B3-4] SiCフラックス成長におけるSi-NiフラックスのAl添加効果

^○小沼碧海¹，丸山伸伍¹，原田俊太²，宇治原徹²，加藤智久^3,4，蔵重和央^4,5，奥村元^3,4，松本祐司^1,6 (東工大応セラ研¹，名大院工²，産総研³，FUPET⁴，日立化成⁵，東北大院工⁶)

10:00 〜 10:15

[18a-B3-5] ラマン散乱を用いた4H-SiC単結晶の加工変質層評価

三谷武志^1,2，^○友部健²，中島信一²，加藤智久^1,2，奥村元^1,2 (FUPET¹，産総研²)

休憩　（10:15 〜 10:30）

10:30 〜 10:45

[18a-B3-6] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）可視光透過法によるSiC溶液成長界面の高温下リアルタイム観察

^○川西咲子¹，吉川健¹，森田一樹¹，亀井一人²，楠一彦²，坂元秀光³，鈴木寛³ (東大生研¹，新日鐵住金²，トヨタ自動車³)

10:45 〜 11:00

▲ [18a-B3-7] PVT成長法におけるAlexander-Haasenモデルを用いた
4H-SiC単結晶の転位密度塑性挙動モデル化

^○高冰¹，西澤伸一²，柿本浩一¹ (九大応力研¹，産総研²)

11:00 〜 11:15

[18a-B3-8] ミラー電子顕微鏡を用いたSiC基板中の転位の非破壊検査

^○一色俊之¹，長谷川正樹² (京都工繊大¹，日立中研²)

11:15 〜 11:30

[18a-B3-9] 3C-SiC(1-10)及び4H-SiC(11-20)表面における電子状態とその安定性

^○（PC）小山洋^1,2，奈良純^1,2，大野隆央^1,2,3 (物質・材料研究機構¹，ＭＡＲＣＥＥＤ²，東大生産研³)

一般セッション(ポスター講演)

[19a-P9-1~10] 15.6 IV族系化合物

2013年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 P9 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 11:30

[19a-P9-1] シミュレーションによる4H-SiCエピ膜上の巨大ステップバンチング生成機構の研究

^○石田夕起，吉田貞史 (産総研)

09:30 〜 11:30

▲ [19a-P9-2] ホール測定による高Al濃度４H-SiC厚膜の電気特性評価

^○紀世陽¹，児島一聡¹，石田夕起¹，齊藤新吾¹，加藤智久¹，吉田貞史¹，土田秀一²，奥村元¹ (産業技術総合研究所　¹，電力中央研究所²)

09:30 〜 11:30

[19a-P9-3] 熱酸化SiC MOSキャパシタの絶縁破壊痕の形状評価

^○佐藤創志¹，廣井佑紀³，山部紀久夫³，北畠真⁴，遠藤哲郎^1,2，丹羽正昭¹ (東北大国際集積センター¹，東北大工学研究科²，筑波大電子物理³，FUPET⁴)

09:30 〜 11:30

[19a-P9-4] 六方晶SiC無極性面の酸化過程の実時間観察

^○後藤大祐，八木修平，土方泰斗，矢口裕之 (埼玉大院理工)

09:30 〜 11:30

[19a-P9-5] 異なるハロゲンガスを用いたSiCの熱エッチング特性

^○畑山智亮，堀良太，矢野裕司，冬木隆 (奈良先端大)

09:30 〜 11:30

[19a-P9-6] 電流検出ESRによるC面4H-SiC MOSFET界面欠陥からの水素脱離の観察

^○（M1）荒井亮¹，梅田享英¹，佐藤嘉洋¹，岡本光央²，原田信介²，小杉亮治²，奥村元²，牧野高紘³，大島武³ (筑波大¹，産総研²，原研³)

09:30 〜 11:30

[19a-P9-7] 4H-SiC MOSキャパシタの放射線照射効果の酸化膜依存性

^○牧野高紘¹，出来真斗²，藤田奈津子¹，岩本直也¹，小野田忍¹，大島武¹ (原子力機構¹，徳島大院²)

09:30 〜 11:30

△ [19a-P9-8] アンモニア水溶液中レーザー照射による4H-SiC中への窒素ドーピング

^○（B）井上祐樹，池上浩，池田晃裕，中村大輔，岡田龍雄，浅野種正 (九大)

09:30 〜 11:30

[19a-P9-9] 部分的アモルファス化によるn+ 4H-SiC上のNiシリサイド・オーミック抵抗のTLMパターン依存性

^○（M1）デシルワミランタ，黒木伸一郎，佐藤旦，吉川公麿 (広島大)

09:30 〜 11:30

[19a-P9-10] 4H-SiCへの高ドーズAlイオン注入における注入条件の最適化(Ⅱ)

^○吉田謙一，二木佐知，川野輪仁，長町信治 (イオンテクノセンター)

セッション一覧

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[17a-B3-1~11] 15.6 IV族系化合物

△ [17a-B3-4] VLD型終端構造を適用した3.3 kV SiC-SBDの作製および評価

△ [17a-B3-5] 4H-SiC熱酸化膜の界面近傍の構造変化に対する面方位と酸化雰囲気の効果

▼ [17a-B3-8] Diffusivity of Mobile Ions Inherent to Thermal SiO2/SiC Structures in Deposited SiO2 Gate Dielectrics

△ [17a-B3-11] X線光電子分光法によるラジカル窒化処理をしたSiO2/4H-SiC界面における窒素分布の評価

[17p-B3-1~17] 15.6 IV族系化合物

△ [17p-B3-5] 4H-SiCを用いた即時ガンマ線量率計の開発

△ [17p-B3-6] アルファ粒子を利用したHPSI 4H-SiC中の欠陥評価

△ [17p-B3-14] 表面活性化ボンディング法によるSi/4H-SiC接合のブレークダウン特性

△ [17p-B3-15] 4H-SiC微傾斜エピタキシャル成長における基底面転位の貫通刃状転位への変換

△ [17p-B3-16] レーザーアブレーション法によるSi基板上3C-SiC薄膜成長

[18a-B3-1~9] 15.6 IV族系化合物

▼ [18a-B3-3] SiC溶液成長過程における基底面転位の形成

△ [18a-B3-4] SiCフラックス成長におけるSi-NiフラックスのAl添加効果

▲ [18a-B3-7] PVT成長法におけるAlexander-Haasenモデルを用いた4H-SiC単結晶の転位密度塑性挙動モデル化

[19a-P9-1~10] 15.6 IV族系化合物

▲ [19a-P9-2] ホール測定による高Al濃度４H-SiC厚膜の電気特性評価

△ [19a-P9-8] アンモニア水溶液中レーザー照射による4H-SiC中への窒素ドーピング

▼ [17a-B3-8] Diffusivity of Mobile Ions Inherent to Thermal SiO₂/SiC Structures in Deposited SiO₂ Gate Dielectrics

△ [17a-B3-11] X線光電子分光法によるラジカル窒化処理をしたSiO₂/4H-SiC界面における窒素分布の評価

▲ [18a-B3-7] PVT成長法におけるAlexander-Haasenモデルを用いた
4H-SiC単結晶の転位密度塑性挙動モデル化