セッション一覧

06．薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

一般セッション(ポスター講演)

[17a-P15-1~9] 6.2 カーボン系薄膜

2013年9月17日(火) 09:30 〜 11:30 P15 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:30 〜 11:30

[17a-P15-1] Arの高周波プラズマを用いたテトラメチルシランの分解反応

^○茂木紳令，伊藤治彦 (長岡技科大工)

09:30 〜 11:30

[17a-P15-2] C₆H₆/N₂混合気体のマイクロ波フロー放電におけるラジカル計測

^○小嶋翔，津留紘樹，岡田亘太郞，山元愛弓，伊藤治彦 (長岡技科大工)

09:30 〜 11:30

[17a-P15-3] パルスバイアスプラズマによるDLC-Si膜の作製

^○立花裕也，池永訓昭，花岡良一，作道訓之 (金沢工大)

09:30 〜 11:30

[17a-P15-4] 白色発光に向けた窒化炭素薄膜のRF電力変化による発光特性

^○佐竹聖樹¹，大川貴史¹，寺本統人²，伊藤國雄²，亀友健太³，財部健一³，福井一俊⁴，山本伸一¹ (龍谷大理工¹，津山高専²，岡山理大³，福井大⁴)

09:30 〜 11:30

[17a-P15-5] CVDダイヤモンド薄膜における非輻射欠陥評価法の開発

^○堀敬憲，毎田修，伊藤利道 (阪大院工)

09:30 〜 11:30

[17a-P15-6] 特殊形状の金属反応容器内におけるマイクロ波プラズマCVDによる高品質ダイヤモンド薄膜作製プロセスの開発

^○宮田昌和¹，毎田修¹，南光正平²，伊藤利道¹ (阪大院工¹，ニッシン²)

09:30 〜 11:30

[17a-P15-7] 縦型ノーマリオフCVDダイヤモンドFETにおける素子構造の適正化

^○見尾和俊，毎田修，伊藤利道 (阪大院工)

09:30 〜 11:30

[17a-P15-8] 高電力密度マイクロ波プラズマCVD法を用いた(001)微斜面基板上の多層燐δドープダイヤモンド積層薄膜の成長プロセスの適正化

^○大橋統正，毎田修，伊藤利道 (阪大院工)

09:30 〜 11:30

[17a-P15-9] 高品質CVDダイヤモンド微細柱状構造の作製プロセスの適正化とそのデバイス応用

^○橋本竜一，毎田修，伊藤利道 (阪大院工)

一般セッション(口頭講演)

[17p-D1-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

2013年9月17日(火) 13:30 〜 18:45 D1 (MK 1F-101)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:30 〜 13:45

[17p-D1-1] 反射率のその場計測によるスーパーDLC膜の膜厚制御

細尾倫成¹，^○田上英人¹，須田善行¹，滝川浩史¹，神谷雅男²，瀧真³，長谷川祐史³，辻信広³，サーレアブスアイリキ⁴ (豊橋技科大¹，伊藤光学工業²，オンワード技研³，日立ツール⁴)

13:45 〜 14:00

[17p-D1-2] 超微量水素添加テトラへドラル・アモルファスカーボン膜

^○稲葉宏，松村徹，松本浩之 (HGSTジャパン研究所)

14:00 〜 14:15

[17p-D1-3] バンド型スーパーマグネトロンプラズマによるa-CNx:H膜のCVD（Ⅲ）

^○木下治久，八木俊輔 (静大工学研)

14:15 〜 14:30

[17p-D1-4] 表面プラズモン共鳴法を用いた電圧印加状態における水素化アモルファス炭素膜の耐酸性のその場観察

^○中谷恭之，大塩茂夫，小松啓志，戸田育民，村松寛之，齋藤秀俊 (長岡技科大(院))

14:30 〜 14:45

[17p-D1-5] 水素化アモルファス炭素膜の水酸化カリウムに対する耐食性の評価

^○中谷恭之，大塩茂夫，小松啓志，戸田育民，村松寛之，齋藤秀俊 (長岡技科大(院))

14:45 〜 15:00

[17p-D1-6] 分光エリプソメトリーによる水素化アモルファス炭素膜の屈折率及び消光係数の波長依存性

^○荒川悟，吉岡久志，水口和也，大塩茂夫，小松啓志，戸田育民，村松寛之，齋藤秀俊 (長岡技大)

休憩　（15:00 〜 15:15）

15:15 〜 15:30

[17p-D1-7] Si基板上に合成したアモルファスカーボン膜の整流特性

^○吉岡久志，大塩茂夫，小松啓志，戸田育民，村松寛之，齋藤秀俊 (長岡技術科学大)

15:30 〜 15:45

[17p-D1-8] ダイヤモンドライクカーボン膜の抵抗率の温度依存性

^○吉岡久志，大塩茂夫，小松啓志，戸田育民，村松寛之，齋藤秀俊 (長岡技術科学大)

15:45 〜 16:00

[17p-D1-9] 水素化アモルファス炭素膜の化学気相析出過程からの水除去

^○周小龍，小松啓志，戸田育民，大塩茂夫，村松寛之，齋藤秀俊 (長岡技科大(院))

16:00 〜 16:15

[17p-D1-10] 高周波プラズマにパルスバイアス電圧を印加した水素化アモルファス炭素膜の化学気相析出

^○周小龍，小松啓志，戸田育民，大塩茂夫，村松寛之，齋藤秀俊 (長岡技科大(院))

16:15 〜 16:30

△ [17p-D1-11] 軟X線照射による水素化DLC膜のグラファイト化

^○今井亮，新部正人，神田一浩 (兵庫県立大高度研)

16:30 〜 16:45

[17p-D1-12] マイクロ波表面波プラズマCVDによるカーボン膜の光電流の分光感度特性

^○市村進^1,2，ギミレディィップ. チャンドラ¹，アディカリスディープ¹，内田秀雄¹，脇田紘一¹，林靖彦²，梅野正義¹ (中部大・総合学術研究院¹，岡山大・院自然科学研究科²)

休憩　（16:45 〜 17:00）

17:00 〜 17:30

[17p-D1-13] 「薄膜・表面分科内招待講演」（30分）DLC（アモルファスカーボン）の生体適合性とバイオ応用

^○平栗健二 (東京電機大工)

17:30 〜 17:45

[17p-D1-14] a-C:H被膜によるQCMセンサ細胞接着感度の向上

^○大越康晴¹，Sanin Nurhanisah¹，安部智子¹，平塚傑工²，山名昌男¹，平栗健二¹，本間章彦¹，舟久保昭夫¹，福井康裕¹ (電機大理工¹，ナノテック²)

17:45 〜 18:00

[17p-D1-15] ダイヤモンドライクカーボン薄膜のラマン解析とXPS解析との関係

^○鷹林将¹，高萩隆行² (東北大・通研¹，広島大院・先端研²)

18:00 〜 18:15

[17p-D1-16] ヨウ素添加アモルファスカーボン薄膜の作製

^○枩藤崇¹，中尾節男²，岸直希¹，曽我哲夫¹ (名工大¹，産総研²)

18:15 〜 18:30

[17p-D1-17] Arのマイクロ波放電フローを用いたa-SiC_ｘ:H 膜の形成

^○熊倉基起，鈴木常生，斎藤秀俊，伊藤治彦 (長岡技術科学大)

18:30 〜 18:45

△ [17p-D1-18] 基板バイアスがSiおよびN共添加DLC膜特性に及ぼす影響

^○真柄晃平，奥野さおり，大西悠介，中澤日出樹 (弘前大院理工)

一般セッション(口頭講演)

[18a-D1-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

2013年9月18日(水) 09:15 〜 12:00 D1 (MK 1F-101)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:15 〜 09:30

[18a-D1-1] High rate homoepitaxial growth of Diamond (111) by MPCVD using spherical cavity

^○Ryusuke Morimoto¹, Shunsuke Watanabe¹, Junya Yaita¹, Norio Tokuda^1,2,3, Masahiko Ogura^2,3, Satoshi Yamasaki^2,3, Takao Inokuma¹ (Grad. School of Natural Sci. & Tech. Kanazawa Univ.¹, AIST², CREST(JST)³)

09:30 〜 09:45

[18a-D1-2] Highly purified ¹²C-enriched homoepitaxial diamond films growth

^○Tokuyuki TERAJI¹, Takashi YAMAMOTO^1,2, Satoshi KOIZUMI¹, Kenji WATANABE¹, Takashi TANIGUCHI¹, Sinobu ONODA², Takeshi OHSHIMA², Boris NAYDENOV³, Fedor JELEZ (NIMS¹, JAEA², Univ. Ulm³, Univ. Tsukuba⁴)

09:45 〜 10:00

△ [18a-D1-3] Defect examination of heteroepitaxial diamond by etch pit method Ⅳ

^○Kimiyoshi Ichikawa¹, Hideyuki Kodama¹, Kazuhiro Suzuki², Atsuhito Sawabe¹ (Aoyama Gakuin Univ.¹, TOPLAS ENG.²)

10:00 〜 10:15

△ [18a-D1-4] High quality heteroepitaxial diamond growth using fine-line nucleation region-2 -Dislocation density examination-

^○Genta Nozaki¹, Hideyuki Kodama¹, Kazuhiro Suzuki², Shozo Kono¹, Atsuhito Sawabe¹ (Aoyama Gakuin Univ.¹, TOPLAS ENGINEERING CO.,LTD.²)

10:15 〜 10:30

△ [18a-D1-5] Improvement of the electrical characteristics by the boron δ-doping

^○Takuma Minamiyama¹, Norio Tokuda^1,2,3, Masahiko Ogura^2,3, Satoshi Yamasaki^2,3, Takao Inokuma¹ (Grad. School of Natural Sci. & Tech. Kanazawa Univ.¹, AIST², JST,CREST³)

Break （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[18a-D1-6] Hole diffusion from heavily-doped degenerate p-type diamond thin layer in a state of separated islands

^○Daichi Ichikawa¹, Osamu Maida¹, Toshimichi Ito¹ (Osaka Univ.¹)

11:00 〜 11:15

△ [18a-D1-7] The transmittance and sheet resistance optimization of the Boron-doped P-type transparent conducting films

^○Taisuke Kageura¹, Mitsuyasu Koga¹, Ishak Khairul¹, Yukihiro Shintani¹, Masataka Hasegawa², Atsushi Hiraiwa¹, Hiroshi Kawarada¹ (Waseda Univ.¹, AIST²)

11:15 〜 11:30

[18a-D1-8] Evolution from impurity band to diamond-like valence band in boron doped diamond

^○Takashi Inushima¹, Yuuichi Ota¹ (Tokai Univ.¹)

11:30 〜 11:45

△ [18a-D1-9] Thermal stability of surface C-H bonds of diamond

^○Yuji Seshimo¹, Tomohiro Hakamata¹, Wako Ono¹, Yuki Yokoyama¹, Daiki Utsunomiya¹, Atsushi Hiraiwa¹, Hiroshi Kawarada¹ (Waseda Univ.¹)

11:45 〜 12:00

△ [18a-D1-10] Fluorine Termination of Diamond Surface by F₂ gas

^○Mikinori Kobayashi¹, Yukihiro Shintani^1,2, Miho Myodo¹, Hiroshi Kawarada¹ (Waseda Univ.¹, Yokogawa Electric Corp.²)

一般セッション(口頭講演)

[18p-D1-1~17] 6.2 カーボン系薄膜

2013年9月18日(水) 13:00 〜 17:45 D1 (MK 1F-101)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

昼食　（12:00 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

[18p-D1-1] Ti/n型ダイヤモンド薄膜界面におけるカーボン層形成後の酸素プラズマアッシングの効果

^○（DC）松本翼^1,2,3，白田和也^1,2,3，加藤宙光^2,3，徳田規夫^2,3,4，竹内大輔^2,3，牧野俊晴^2,3，小倉政彦^2,3，大串秀世^2,3，山崎聡^1,2,3 (筑波大¹，産総研²，CREST c/o AIST³，金沢大⁴)

13:15 〜 13:30

▼ [18p-D1-2] Homogeneity of WC p-type diamond Schottky interfaces

^○Alexandre Fiori，Tokuyuki Teraji，Yasuo Koide (NIMS)

13:30 〜 13:45

△ [18p-D1-3] 高温アニールによる原子層堆積(ALD)Al₂O₃膜絶縁耐圧の向上

^○車一宏，齊藤達也，大長央，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

13:45 〜 14:00

△ [18p-D1-4] Al₂O₃パッシベーションを施した水素終端ダイヤモンドMOSFETの高温動作特性

^○許トクシン，坪井秀俊，成尾智也，山田哲也，大長央，斉藤達也，車一宏，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

14:00 〜 14:15

△ [18p-D1-5] Al₂O₃ゲート絶縁膜を利用した水素終端ダイヤモンドMOSFETの耐電圧特性

^○山田哲也，成尾智也，坪井秀俊，許德琛，大長央，斎藤達也，車一宏，平岩篤，川原田洋 (早大理工)

休憩　（14:15 〜 14:30）

14:30 〜 14:45

[18p-D1-6] ダイヤモンド励起子LEDのパルス電流注入のオンオフ比・温度依存性

^○桑原大輔^1,2,3，牧野俊晴^2,3，小泉聡^3,4，加藤宙光^2,3，竹内大輔^2,3，小倉政彦^2,3，大串秀世^2,3，山崎聡^2,3 (筑波大¹，産総研エネ部門²，CREST/JST³，物材機構⁴)

14:45 〜 15:00

[18p-D1-7] Ibダイヤモンドからの低印加電圧での電子放出

^○工藤唯義^1,2,3,4，竹内大輔^2,3,4，牧野俊晴^2,3,4，小倉政彦^2,3,4，加藤宙光^2,3,4，大串秀世^2,3,4，山崎聡^1,2,3,4 (筑波大¹，産総研²，CREST(JST)³，ALCA(JST)⁴)

15:00 〜 15:15

[18p-D1-8] 高濃度ボロンドープダイヤモンド薄膜のCEES測定

^○近藤駿介¹，福井一俊¹，山本晃司²，犬島喬³ (福井大工¹，福井大遠赤セ²，東海大³)

15:15 〜 15:30

[18p-D1-9] 低キャリア濃度で高T_cを示すホットフィラメントCVD法製ダイヤモンド超伝導膜

^○村岡祐治¹，平松千明¹，脇田高徳¹，横谷尚睦¹，組頭広志²，尾嶋正治³ (岡山大院自然科学¹，KEK物構研²，東大院工³)

15:30 〜 15:45

[18p-D1-10] KOH電解液を用いた天然黒鉛の電解剥離によるグラフェンの作製

^○秋山蒼太郎^1,2，狩野絵美^1,2，猪狩智彦¹，陳秀琴¹，竹口雅樹³，村上勝久^1,2，藤田淳一^1,2 (筑波大数理¹，TIMS²，NIMS³)

休憩　（15:45 〜 16:00）

16:00 〜 16:15

△ [18p-D1-11] 炭素薄膜DLCを用いたグラフェンの形成及び評価

^○（M1）龍直宏¹，竹内載二¹，今永友里子¹，中尾基¹，奥林里子²，長町信治³ (九州工大工¹，京都工繊大　²，長町サイエンスラボ³)

16:15 〜 16:30

[18p-D1-12] 半導体単層カーボンナノチューブ/Siヘテロ接合型太陽電池の構造と太陽電池特性の関係

^○（M1）中野陸¹，緒方啓典¹，庄司真雄¹，金知論¹ (法政大理¹)

16:30 〜 16:45

[18p-D1-13] MRI造影剤用化学修飾ナノダイヤモンド粒子の作製

^○中村挙子¹，大花継頼¹，土屋哲男¹，薮野元²，笠井ルミ子³，鈴木哲也²，長谷部光泉⁴ (産総研¹，慶大院理工²，東邦大医³，東海大医⁴)

16:45 〜 17:00

[18p-D1-14] 熱分解法によるNドープDLC薄膜の作製・評価

^○村田悠馬¹，田中勝己¹，小野洋¹，チャオキョンチュウ¹，永井豊¹ (電通大情報研先進理工¹)

17:00 〜 17:15

△ [18p-D1-15] バンドギャップ傾斜アモルファス窒化炭素薄膜の作製

^○田村尚之，青野祐美，原田人萌，北沢信章，渡邉芳久 (防大材料)

17:15 〜 17:30

△ [18p-D1-16] アモルファス窒化炭素薄膜における光誘起体積変化の波長依存性

^○原田人萌，青野祐美，田村尚之，北沢信章，渡邉芳久 (防大材料)

17:30 〜 17:45

[18p-D1-17] N₂の放電フローによるC₂H₂の分解 : レーザー分光法を用いたラジカル計測

^○津留紘樹，伊藤治彦 (長岡技科大工)