一般セッション(ポスター講演)

[27a-PB1-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

2013年3月27日(水) 09:30 〜 11:30 PB1 (第二体育館)

ポスター掲示時間9:30〜11:30(PB会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[27a-PB1-1] ウェットプロセスを用いた強誘電体薄膜の結晶配向の制御 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○白田和也，梶村恵子，山本伸一 (龍谷大理工)

[27a-PB1-2] MOD法を用いて作製した強誘電体薄膜の圧電応答 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○梶村恵子¹，山本伸一¹，町田絵美²，浦岡行治² (龍谷大理工¹，奈良先端科学技術大学院大²)

[27a-PB1-3] 希土類を添加したGaN薄膜の相境界付近における巨大圧電性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○鈴木雅視，伊藤一也，柳谷隆彦 (名工大)

[27a-PB1-4] ミスカット基板上に作製した(Bi,Pr)(Fe,Mn)O₃極薄膜の表面モフォロジと電気特性の評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

塚田祥賀¹，^○川江健²，森本章治² (金沢大院自然¹，金沢大理工²)

[27a-PB1-5] Nd置換BiFeO₃強誘電体薄膜における光起電力特性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○（M1）山崎修平¹，川江健²，森本章治² (金沢大院自然¹，金沢大理工²)

[27a-PB1-6] 六方晶YMnO₃薄膜の光誘起電流Ⅲ (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○宇賀洋志，奥村優太，芦田淳，吉村武，藤村紀文 (阪府大工)

[27a-PB1-7] ウェットプロセスを用いて作製した圧電高分子膜の評価 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○林恵，山本伸一 (龍谷大理工)

[27a-PB1-8] p型/n型有機半導体層間に挿入した有機強誘電体薄膜の界面電気物性 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

^○大杉拓也，小柴康子，三崎雅裕，石田謙司，上田裕清 (神戸大院工)

[27a-PB1-9] プロトンビームによる強誘電体および白金薄膜パターンの形成 (9:30 AM ～ 11:30 AM)

渡辺和貴，^○山口正樹，西川宏之，塩嵜忠 (芝浦工大工)

一般セッション(口頭講演)

[28a-D3-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

2013年3月28日(木) 10:00 〜 12:45 D3 (C5号館 3F-324)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[28a-D3-1] ⁵⁷Fe濃縮BiFeO₃薄膜の微構造制御とメスバウア･スペクトル (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○田中清高¹，塚本美徳²，岡村総一郎³，吉田豊² (静理大総技研¹，静理大理工²，東理大理³)

[28a-D3-2] △MOD法BiFeO₃薄膜焼成プロセスの改良 (10:15 AM ～ 10:30 AM)

^○（B）河原英彰，山下馨，野田実 (京工繊工芸)

[28a-D3-3] BiFeO₃エピタキシャル薄膜の正方晶歪の制御とその圧電特性 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○川原祐作，氏本勝也，吉村武，藤村紀文 (阪府大工)

[28a-D3-4] BiFeO₃エピタキシャル薄膜の非線形圧電応答 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

氏本勝也，川原祐作，^○吉村武，藤村紀文 (阪府大院工)

[28a-D3-5] RFプレーナマグネトロンスパッタ法を用いたエピタキシャルBiFeO₃薄膜の作製(III) (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○内田智久¹，高田祐介¹，伊藤太紀¹，榎本裕也¹，貴傳名健吾¹，中嶋誠二¹，藤沢浩訓¹，小舟正文¹，坂田修身²，勝矢良雄²，清水勝¹ (兵庫県大工¹，NIMS/SPring-8²)

[28a-D3-5.1] 休憩(15分)

[28a-D3-6] 磁場印加PLDで作製したBiFeO₃薄膜の柱状構造成長過程の検討 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

^○金島岳¹，朴正敏¹，奥山雅則² (阪大基礎工¹，阪大ナノサイエンスデザイン教育研究セ²)

[28a-D3-7] BiFeO₃/B添加ダイヤモンド積層構造における欠陥準位評価 (11:45 AM ～ 12:00 AM)

^○（B）木下昂洋¹，川崎寛樹²，野村幸寛²，野村圭介¹，立居卓志²，川江健¹，森本章治¹ (金沢大理工¹，金沢大院自然²)

[28a-D3-8] (111)配向BiFeO3系マルチフェロイック薄膜の低温形成－スパッタリング成膜中におけるVHFプラズマ照射の効果－ (12:00 PM ～ 12:15 AM)

菅原祐輔，^○吉村哲，齊藤準 (秋田大院工資)

[28a-D3-9] △面直電場印加によるBiFeO₃/CoFe₂O₄積層薄膜の電気磁気効果 (12:15 PM ～ 12:30 AM)

^○曽根圭太¹，伊藤正樹¹，永沼博²，宮崎孝道²，中嶋宇史²，岡村総一郎¹ (東理大¹，東北大²)

[28a-D3-10] ｢講演奨励賞受賞記念講演｣（15分）
放射光 X 線を用いた(111)/(11-1)配向菱面体晶エピタキシャルPb(Zr,Ti)O₃膜の電場印加による非分極軸ドメインスイッチングのその場観察 (12:30 PM ～ 12:45 AM)

^○江原祥隆¹，安井信太郎¹，及川貴弘¹，白石貴久¹，山田智明²，今井康彦³，田尻寛男³，坂田修身⁴，舟窪浩¹ (東工大院¹，名大²，JASRI/SPring-8³，NIMS/SPrin-8⁴)

一般セッション(口頭講演)

[28p-D3-1~17] 6.1 強誘電体薄膜

2013年3月28日(木) 14:00 〜 18:45 D3 (C5号館 3F-324)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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[28p-D3-0] 昼食(75分)

[28p-D3-1] 面内分極軸配向した(100)PbTiO₃エピタキシャル薄膜のドメイン構造 (2:00 PM ～ 2:15 PM)

^○江原祥隆¹，山田智明^2,3，舟窪浩¹ (東工大¹，名大²，JSTさきがけ³)

[28p-D3-2] ゾルゲル法によるPbZrxTi1-xO3膜作製時の応力発生 (2:15 PM ～ 2:30 PM)

^○土井利浩，桜井英章，曽山信幸 (三菱マテリアル)

[28p-D3-3] △強誘電体Pb(Zr ,Ti)O₃薄膜における抵抗スイッチング効果 (2:30 PM ～ 2:45 PM)

^○大塚尚之¹，中嶋宇史²，岡村総一郎¹ (東理大理¹，東北大金研²)

[28p-D3-4] △収束イオンビーム加工によるPb(Zr,Ti)O₃薄膜アイランドの作製と回復アニール (2:45 PM ～ 3:00 PM)

^○田中春輝¹，山形直也¹，中嶋宇史²，飯島高志³，岡村総一郎¹ (東理大理¹，東北大金研²，産総研³)

[28p-D3-5] シリコン基板上に作製したPZT薄膜積層アクチュエータ (3:00 PM ～ 3:15 PM)

^○岸本真哉¹，黒川文弥²，神野伊策¹ (神大院工¹，京大院工²)

[28p-D3-6] 繰り返し電界印加によるMEMS用Pb(Zr,Ti)O₃膜の特性評価 (3:15 PM ～ 3:30 PM)

^○和田亜由美¹，江原祥隆¹，安井伸太郎¹，中島光雅¹，及川貴弘¹，小林健²，森岡仁³，舟窪浩¹ (東工大¹，産総研²，ブルカー・エイエックスエス³)

[28p-D3-6.1] 休憩(15分)

[28p-D3-7] テトラ組成PZT薄膜の配向性、強誘電・圧電特性に高電圧印加が与える影響 (3:45 PM ～ 4:00 PM)

^○牧本なつみ¹，前田龍太郎¹，及川貴弘²，和田亜由美²，舟窪浩²，小林健¹ (産総研¹，東工大²)

[28p-D3-8] 微細加工したMPB組成PZT薄膜の圧電特性に高電圧印加が与える影響 (4:00 PM ～ 4:15 PM)

^○小林健¹，牧本なつみ¹，前田龍太郎¹，及川貴弘²，和田亜由美²，舟窪浩² (産総研¹，東工大²)

[28p-D3-9] △マイクロカンチレバー上MPB組成PZT薄膜に対する高電圧印加の影響 (4:15 PM ～ 4:30 PM)

^○水嵜英明¹，牧本なつみ²，前田龍太郎²，及川貴弘³，和田亜由美³，舟窪浩³，小林健² (長野県工技セ¹，産総研²，東工大³)

[28p-D3-10] 振動発電応用に向けたLaNiO₃を用いたBiFeO₃薄膜の配向制御 (4:30 PM ～ 4:45 PM)

^○苅谷健人，吉村武，藤村紀文 (阪府大工)

[28p-D3-11] BiFeO₃薄膜を用いたMEMS振動発電素子の発電特性 (4:45 PM ～ 5:00 PM)

^○若園佳佑¹，苅谷健人¹，吉村武¹，村上修一²，藤村紀文¹ (大阪府立大¹，大阪府立産業技術総合研究所²)

[28p-D3-11.1] 休憩(15分)

[28p-D3-12] △高分子強誘電体VDF/TrFE超薄膜を用いたFTJ素子の作製 (5:15 PM ～ 5:30 PM)

^○臼井翔吾¹，中嶋宇史²，古川猛夫³，岡村総一郎¹ (東理大理¹，東北大金研²，小林理研³)

[28p-D3-13] P(VDF-TrFE)薄膜の圧電特性が焦電特性に及ぼす影響 (5:30 PM ～ 5:45 PM)

^○（M1）谷地宣紀，吉村武，藤村紀文 (阪府大院工)

[28p-D3-14] △Au薄膜と強誘電体LiNbO₃単結晶界面に励起される表面プラズモンの分極方向依存性 (5:45 PM ～ 6:00 PM)

^○佐藤良春¹，片山美季¹，中嶋宇史²，飯島高志³，岡村総一郎¹ (東理大理¹，東北大金研²，産総研³)

[28p-D3-15] ナノチャネルを有する強誘電体ゲートTFTの電気特性評価 (6:00 PM ～ 6:15 PM)

^○野村侑平，吉村武，藤村紀文 (阪府大院工)

[28p-D3-16] バルク及び薄膜の圧電定数の新規測定方法：交流静電容量法 (6:15 PM ～ 6:30 PM)

^○符徳勝¹，鈴木久男² (静岡大GRL¹，静岡大創造²)

[28p-D3-17] PFMを用いた強誘電体薄膜の面内および鉛直方向の圧電性評価 (6:30 PM ～ 6:45 PM)

^○瀬戸翔太，高田祐介，中嶋誠二，藤沢浩訓，清水勝 (兵庫県立大工)

一般セッション(口頭講演)

[29a-D3-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

2013年3月29日(金) 09:00 〜 11:45 D3 (C5号館 3F-324)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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[29a-D3-1] 水熱合成(K_xNa_1-x)NbO₃膜の作製と結晶構造評価 (9:00 AM ～ 9:15 AM)

^○白石貴久¹，金子祈之¹，栄西弘¹，石河睦生^1,2，黒澤実¹，内田寛³，舟窪浩¹ (東工大¹，桐蔭²，上智大³)

[29a-D3-2] スパッタ法(K,Na)NbO3薄膜の自発分極制御による低誘電率膜の実現 (9:15 AM ～ 9:30 AM)

^○柴田憲治，末永和史，渡辺和俊，堀切文正，野口将希 (日立電線)

[29a-D3-3] 応力を制御した(Na,Bi)TiO₃－BaTiO₃エピタキシャル薄膜の結晶構造と圧電特性 (9:30 AM ～ 9:45 AM)

^○田中良明¹，張替貴聖¹，足立秀明²，藤井映志²，坂元尚紀³，脇谷尚樹³，鈴木久男³ (パナソニック　デバイス社¹，パナソニック　先端研²，静大工³)

[29a-D3-4] MOD法BaTiO₃強誘電体薄膜抵抗ヒステリシスの膜厚依存性の検討 (9:45 AM ～ 10:00 AM)

王洲，^○河原英彰，山下馨，野田実 (京工繊)

[29a-D3-5] △チタン酸バリウムナノキューブ規則配列集合膜の作製と電気特性 (10:00 AM ～ 10:15 AM)

^○三村憲一，加藤一実 (産総研)

[29a-D3-5.1] 休憩(15分)

[29a-D3-6] (1-x)BiFeO₃-xBiCoO₃エピタキシャル薄膜の結晶構造および電気特性の組成依存性 (10:30 AM ～ 10:45 AM)

^○大沼航，北條元，東正樹 (東工大)

[29a-D3-7] コンビナトリアル成膜によるBZT-BCT薄膜の組成依存性評価 (10:45 AM ～ 11:00 AM)

^○（M1）森亮¹，黒川文弥²，神野伊策¹ (神大院工¹，京大院工²)

[29a-D3-8] PLD法によるBi(Mg_1/2Ti_1/2)O₃基固溶体膜の作製と評価 (11:00 AM ～ 11:15 AM)

^○（D）及川貴弘¹，安井伸太郎¹，真鍋直人¹，渡邉隆之²，薮田久人²，三浦薫²，小林健³，舟窪浩¹ (東工大¹，キヤノン²，産総研³)

[29a-D3-9] PLD法を用いたBi₄Ti₃O₁₂ナノプレート構造の作製とその圧電性 (11:15 AM ～ 11:30 AM)

^○山田智明^1,2，柴田貴明¹，吉野正人¹，舟窪浩³，長崎正雅¹ (名大工¹，JSTさきがけ²，東工大総理工³)

[29a-D3-10] 添加物に基づくビスマス層状構造誘電体薄膜の絶縁性向上 (11:30 AM ～ 11:45 AM)

近藤陽太¹，小川正太²，木村純一²，舟窪浩²，^○内田寛¹ (上智大理工¹，東工大総理工²)

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[28a-D3-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

[28p-D3-1~17] 6.1 強誘電体薄膜

[29a-D3-1~10] 6.1 強誘電体薄膜