一般セッション(口頭講演)

[19a-A15-1~9] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

2014年9月19日(金) 09:30 〜 12:00 A15 (E306)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 09:45

[19a-A15-1] バッチ式湿式洗浄機の水噴出ノズル設計

^○小野伸賢¹，羽深等¹，後藤昭広² (横国大院工¹，プレテック²)

09:45 〜 10:00

[19a-A15-2] バッチ式超音波洗浄におけるウエハガイド起因洗浄むらの低減

^○高橋広毅¹，大川真樹² (日立横研¹，国際電気セミコンダクターサービス²)

10:00 〜 10:15

[19a-A15-3] 犠牲酸化によるSi表面平坦化の基板面方位依存性

^○工藤聡也，Nithi Atthi，大見俊一郎 (東工大)

10:15 〜 10:30

[19a-A15-4] 表面処理が高抵抗CZ-Siウェーハのライフタイム測定に与える影響

^○荒木延恵，日髙洋美，宮下守也 (グローバルウェーハズ・ジャパン)

10:30 〜 10:45

[19a-A15-5] Si酸化膜とSi窒化膜中における金属原子の安定性に関する第一原理解析

^○（M2）柴田大生，小林駿介，末岡浩治 (岡山県立大院)

休憩10:45～11:00 （10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

[19a-A15-6] シリコン結晶中ヒ素欠陥の第一原理X線光電子分光計算

^○山内淳，岸大季，宮澤美希 (慶大理工)

11:15 〜 11:30

[19a-A15-7] 金属/Ge界面近傍における点欠陥の密度増加の起源

^○佐々木奨悟，中山隆史 (千葉大)

11:30 〜 11:45

[19a-A15-8] ZrN, HfN/Geコンタクトの電気特性と界面微細構造解析

^○野口竜太郎¹，光原昌寿²，山本圭介³，西田稔²，中島寛³，原徹⁴ (九大・総理工（院生）¹，九大・総理工²，九大・産学連携センター³，物材機構⁴)

11:45 〜 12:00

[19a-A15-9] 非晶質Ge界面層とNによるGeコンタクトの外因性準位とSファクターの変調

^○山本圭介¹，王冬²，中島寛¹ (九大産学連携センター¹，九大総合理工学研究院²)

一般セッション(口頭講演)

[19p-A15-1~12] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

2014年9月19日(金) 13:30 〜 16:45 A15 (E306)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食12:00～13:30 （12:00 〜 13:30）

13:30 〜 13:45

[19p-A15-1] 極薄歪みSOIにおけるUVラマンスペクトルの厚さ依存性

^○多田哲也，原未来也，ウラジミールポボロッチ (産総研)

13:45 〜 14:00

▲ [19p-A15-2] Study of Heat Conduction in Corrugated Si Nanowires Using Raman mapping

^〇Vladimir Poborchii，Yukinori Morita，Tetsuya Tada (NeRI-AIST)

14:00 〜 14:15

[19p-A15-3] BおよびPをドープしたSi量子ドットの電子状態

^○金田千穂子 (富士通研究所)

14:15 〜 14:30

[19p-A15-4] P添加Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性

^○竹内大智¹，牧原克典¹，大田晃生²，池田弥央³，宮崎誠一¹ (名大院工¹，名大VBL²，広大院先端研³)

14:30 〜 14:45

[19p-A15-5] 不純物添加Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス

^○山田敬久¹，牧原克典¹，池田弥央²，宮崎誠一¹ (名大院工¹，広大院先端研²)

14:45 〜 15:00

[19p-A15-6] 二光子吸収過程を用いた半導体デバイスの放射線照射効果の評価

^○井辻宏章^1,2，小林大輔^1,2，廣瀬和之^1,2 (東大院工¹，宇宙研²)

休憩15:00～15:15 （15:00 〜 15:15）

15:15 〜 15:30

[19p-A15-7] ポリシリコンの結晶性を考慮したモンテカルロイオン注入計算手法

^○関野勇樹¹，横田義徳¹，伊藤早苗¹，青木伸俊¹，石丸一成¹，宮野清孝² (東芝S&S社¹，NFT²)

15:30 〜 15:45

△ [19p-A15-8] 酸化膜トラップ電荷によるSiナノワイヤトランジスタの電流ばらつきの統計的解析

^○鈴木晃人¹，神岡武文²，鎌倉良成³，渡邉孝信¹ (早大理工¹，豊田工大²，阪大院工³)

15:45 〜 16:00

[19p-A15-9] シリコン量子細線における弾道的フォノン熱輸送に与えるヒ素ドーピングの影響

^○服部淳一^1,2,3，宇野重康^2,3 (産総研¹，立命館大²，JST, CREST³)

16:00 〜 16:15

△ [19p-A15-10] 酸化被膜型Siナノワイヤにおける熱伝導率低下の起源に関する考察

^○図師知文^1,3，大毛利健治²，山田啓作²，渡邉孝信¹ (早大理工¹，筑波大²，学振特別研究員DC2³)

16:15 〜 16:30

[19p-A15-11] 高熱伝導率 BOX SOI FinFET のアナログおよび I/O 動作特性評価

^○高橋綱己^1,2，内田建^1,2 (慶應大理工電子工¹，CREST, JST²)

16:30 〜 16:45

[19p-A15-12] 放射線による局所昇温現象を考慮したソフトエラーシミュレーション

^○小林大輔^1,2，伊藤大智¹，廣瀬和之^1,2 (JAXA宇宙研¹，東大院工²)

一般セッション(ポスター講演)

[20a-PA2-1~11] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

2014年9月20日(土) 09:30 〜 11:30 PA2 (第1体育館)

ポスター掲示時間9:30～11:30(PA2会場)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[20a-PA2-1] 複雑な断面形状を持つSi NWMOSFETにおける量子輸送シミュレーション

^○森本剛司，笹岡健二，相馬聡文，小川真人 (神大院工)

09:30 〜 11:30

[20a-PA2-2] サブ60mV/decadeスイッチングを実現する異なるFETゲート制御機構のシミュレーションによる比較解析

石田智也，福嶋賢介，笹岡健二，小川真人，^○相馬聡文 (神戸大院工)

09:30 〜 11:30

[20a-PA2-3] Analysis of Heat Escape Paths in FinFETs Using Phonon Monte Carlo Simulation

^○Indra Nur Adisusilo¹，久木田健太郎¹，脇村豪¹，鎌倉良成^1,2 (阪大¹，JST CREST²)

09:30 〜 11:30

△ [20a-PA2-4] InGaAS n-MOSFETにおけるドレイン電流解析モデルを用いた反転層移動度の抽出

^○松田明大，廣木彰，後藤悠太 (京都工芸繊維大)

09:30 〜 11:30

[20a-PA2-5] ボディ短絡型自己バイアスチャネルダイオードの逆回復特性のシミュレーション解析

^○山田大輔¹，工藤嗣友¹，菅原文彦² (神奈川工科大¹，東北学院大²)

09:30 〜 11:30

△ [20a-PA2-6] サウンドエフェクト回路設計のためのGeダイオードのモデルパラメータ抽出

^○小田宏和，廣木彰，大山喬矢 (京都工芸繊維大)

09:30 〜 11:30

△ [20a-PA2-7] ディストーション回路設計のためのオペアンプのマクロモデリング

^○大和谷祐貴，廣木彰，大山喬也 (京都工芸繊維大)

09:30 〜 11:30

[20a-PA2-8] 乾燥シリコン表面における多成分系有機分子吸着脱離挙動

中込健，ジェハチェ，^○羽深等 (横国大院工)

09:30 〜 11:30

△ [20a-PA2-9] シリコン酸化膜熱脱離時に形成される微細構造形成機構

^○長内翔大，吉田太祐，遠田義晴 (弘前大院)

09:30 〜 11:30

[20a-PA2-10] 電子線照射したSi_0.99C_0.01 S/D n-MOSFETに及ぼす熱処理の影響

^○堀眞聡¹，米岡将士¹，中島敏之²，Eddy Simoen³，Cor Claeys³，角田功¹，高倉健一郎¹ (熊本高専¹，中央電子工業²，imec³)

09:30 〜 11:30

[20a-PA2-11] 分子シミュレーションによるSi表面の空孔クラスタとNi原子の相互作用の解析

^○木谷哲¹，橋本修一郎¹，武良光太郎¹，今津研太¹，小花絃暉¹，神岡武文²，渡邉孝信¹ (早大理工¹，豊田工大²)

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[19a-A15-1~9] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[19a-A15-1] バッチ式湿式洗浄機の水噴出ノズル設計

[19a-A15-2] バッチ式超音波洗浄におけるウエハガイド起因洗浄むらの低減

[19a-A15-3] 犠牲酸化によるSi表面平坦化の基板面方位依存性

[19a-A15-4] 表面処理が高抵抗CZ-Siウェーハのライフタイム測定に与える影響

[19a-A15-5] Si酸化膜とSi窒化膜中における金属原子の安定性に関する第一原理解析

[19a-A15-6] シリコン結晶中ヒ素欠陥の第一原理X線光電子分光計算

[19a-A15-7] 金属/Ge界面近傍における点欠陥の密度増加の起源

[19a-A15-8] ZrN, HfN/Geコンタクトの電気特性と界面微細構造解析

[19a-A15-9] 非晶質Ge界面層とNによるGeコンタクトの外因性準位とSファクターの変調

[19p-A15-1~12] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[19p-A15-1] 極薄歪みSOIにおけるUVラマンスペクトルの厚さ依存性

▲ [19p-A15-2] Study of Heat Conduction in Corrugated Si Nanowires Using Raman mapping

[19p-A15-3] BおよびPをドープしたSi量子ドットの電子状態

[19p-A15-4] P添加Si量子ドット多重集積構造の電界電子放出特性

[19p-A15-5] 不純物添加Si量子ドット多重集積構造のエレクトロルミネッセンス

[19p-A15-6] 二光子吸収過程を用いた半導体デバイスの放射線照射効果の評価

[19p-A15-7] ポリシリコンの結晶性を考慮したモンテカルロイオン注入計算手法

△ [19p-A15-8] 酸化膜トラップ電荷によるSiナノワイヤトランジスタの電流ばらつきの統計的解析

[19p-A15-9] シリコン量子細線における弾道的フォノン熱輸送に与えるヒ素ドーピングの影響

△ [19p-A15-10] 酸化被膜型Siナノワイヤにおける熱伝導率低下の起源に関する考察

[19p-A15-11] 高熱伝導率 BOX SOI FinFET のアナログおよび I/O 動作特性評価

[19p-A15-12] 放射線による局所昇温現象を考慮したソフトエラーシミュレーション

[20a-PA2-1~11] 13.1 基礎物性・表面界面現象・シミュレーション

[20a-PA2-1] 複雑な断面形状を持つSi NWMOSFETにおける量子輸送シミュレーション

[20a-PA2-2] サブ60mV/decadeスイッチングを実現する異なるFETゲート制御機構のシミュレーションによる比較解析

[20a-PA2-3] Analysis of Heat Escape Paths in FinFETs Using Phonon Monte Carlo Simulation

△ [20a-PA2-4] InGaAS n-MOSFETにおけるドレイン電流解析モデルを用いた反転層移動度の抽出

[20a-PA2-5] ボディ短絡型自己バイアスチャネルダイオードの逆回復特性のシミュレーション解析

△ [20a-PA2-6] サウンドエフェクト回路設計のためのGeダイオードのモデルパラメータ抽出

△ [20a-PA2-7] ディストーション回路設計のためのオペアンプのマクロモデリング

[20a-PA2-8] 乾燥シリコン表面における多成分系有機分子吸着脱離挙動

△ [20a-PA2-9] シリコン酸化膜熱脱離時に形成される微細構造形成機構

[20a-PA2-10] 電子線照射したSi_0.99C_0.01 S/D n-MOSFETに及ぼす熱処理の影響

[20a-PA2-11] 分子シミュレーションによるSi表面の空孔クラスタとNi原子の相互作用の解析