^〇（P）Papichaya Chaisakul^1,2，Vladyslav Vakarin²，Delphine Marris-Morini²，Jacopo Frigerio³，Giovanni Isella³，Kazumi Wada¹，Laurent Vivien² (The University of Tokyo¹，University of Paris-Sud²，Politecnico di Milano³)

09:45 〜 10:00

▲ [18a-A18-2] Traveling Plasmon Interaction with Light

^〇（M1C）Deng Yugao，Wada Kazumi (Department of Material Engineering, University of Tokyo)

10:00 〜 10:15

△ [18a-A18-3] 表面活性化接合を用いたIII–V/SOIハイブリッド光デバイスにおけるIII–V層部分エッチングプロセスの検討

^○鈴木純一¹，林侑介¹，久能雄輝¹，姜晙炫¹，雨宮智宏²，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2 (東工大電電¹，量エレ²)

10:15 〜 10:30

[18a-A18-4] ECRプラズマCVD法により作製したSiON導波路のN-H基低減

^○岡崎功太^1,2，西英隆^1,2，土澤泰^1,2，山本剛²，山田浩治^1,2 (NTT NPC¹，NTT MI研²)

10:30 〜 10:45

[18a-A18-5] チップ上における高密度波長多重通信のための物理蒸着による窒化シリコンプラットフォームに関する研究

^○張梓懿¹，八子基樹¹，寿寛¹，河合直行¹，土澤泰²，山田浩治²，福田浩²，和田一実¹ (東大¹，NTT MI研²)

10:45 〜 11:00

△ [18a-A18-6] SiNx薄膜による第二次好調波発生

^○（M1）北尾明大，今北健二，河村息吹，藤井稔 (神戸大院)

11:00 〜 11:15

△ [18a-A18-7] 磁気光学結晶上a-Si:H導波路光アイソレータ

^○三浦謙悟¹，平澤崇佳¹，姜晙炫¹，庄司雄哉¹，岡田幸大²，横井秀樹²，西山伸彦¹，荒井滋久¹ (東工大¹，芝浦工大²)

11:15 〜 11:30

[18a-A18-8] a-Si導波路を用いた偏波無依存型光アイソレータの設計

^○石田瑛一¹，庄司雄哉¹，三浦謙悟¹，横井秀樹²，水本哲弥¹ (東工大¹，芝浦工大²)

11:30 〜 11:45

[18a-A18-9] 広波長可変帯域を持つシリコンフォトニックレーザ

^○北智洋，唐睿，山田博仁 (東北大工)

一般セッション(口頭講演)

[18p-A18-1~15] 3.15 シリコンフォトニクス

2014年9月18日(木) 13:15 〜 17:15 A18 (E310)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

昼食11:45～13:15 （11:45 〜 13:15）

13:15 〜 13:30

[18p-A18-1] 磁気光学材料を用いたフォトニック結晶光スイッチの研究

^○（M1）野田和希¹，千日拓馬¹，本澤圭太¹，岡田一也¹，原田祥典²，雨宮嘉照¹，田部井哲夫¹，横山新¹ (広大ナノデバ研¹，TDK²)

13:30 〜 13:45

[18p-A18-2] 磁気光学材料Bi₃Fe₅O₁₂とSiリング共振器を用いた光スイッチの研究

^○岡田一也，野田和希，雨宮嘉照，田部井哲夫，横山新 (広大ナノデバ研)

13:45 〜 14:00

[18p-A18-3] 梁構造付加スロットリング共振器型光学素子の改善

^○雨宮嘉照，アムリタクマルサナ，岡田一也，本澤圭太，野田和希，千日拓馬，福山正隆，横山新 (広島大)

14:00 〜 14:15

[18p-A18-4] ドーピングの最適化によるSiフォトニック結晶導波路光変調器の位相変化量増大

^○寺田陽祐，伊藤寛之，馬場俊彦 (横国大院工)

14:15 〜 14:30

[18p-A18-5] 高群屈折率シリカクラッドSiフォトニック結晶導波路を用いた位相シフタ長90 μmマッハツェンダー光変調器での25 Gbps動作

^○雛倉陽介，田村卓也，寺田陽祐，伊藤寛之，馬場俊彦 (横国大)

14:30 〜 14:45

[18p-A18-6] シリコンフォトニック結晶導波路光変調器のオンチップ多波長動作

^○伊藤寛之，寺田陽祐，石倉徳洋，馬場俊彦 (横国大)

14:45 〜 15:00

[18p-A18-7] PINダイオードを用いたシリコン変調器によるαV_πLの低減

^○馬場威¹，秋山傑¹，今井雅彦¹，堀川剛²，臼杵達哉¹ (光電子融合¹，産総研²)

15:00 〜 15:15

[18p-A18-8] ArFリソグラフィで作製したシリコン光変調器の諸特性

秋山傑，馬場威，今井雅彦，森雅彦，^○臼杵達哉 (光電子融合基盤技術研)

15:15 〜 15:30

[18p-A18-9] インターリーブ型PN接合を有するシリコンマイクロリング装荷型マッハ・ツェンダー光変調器の解析

^○本間洋行，Rajdeep Gautam，荒川太郎，國分泰雄 (横国大院工)

休憩15:30～15:45 （15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

[18p-A18-10] MOS型Si光変調器とGe受光器の集積化とCMOS駆動による高速動作

^○藤方潤一¹，高橋重樹¹，高橋正志²，野口将高¹，野口栄実³，栗原充¹，堀川剛²，中村隆宏¹，荒川泰彦⁴ (PETRA¹，産総研²，NEC³，東大⁴)

16:00 〜 16:15

[18p-A18-11] レーザーアニールを用いたSi上Ge pinフォトダイオードの高性能化

^○永友翔¹，川俣勇太¹，井澤友策²，星野聡彦³，石川靖彦¹ (東大院工¹，東京エレクトロン宮城²，東京エレクトロン³)

16:15 〜 16:30

[18p-A18-12] 極薄膜Geシード層を適用したSi(001)基板上Ge層の低暗電流の観察

^○奥村滋一，下山峰史，小野英輝，三浦真，野口将高，藤方潤一，最上徹，堀川剛，田中有，森戸健 (技術研究組合)

16:30 〜 16:45

[18p-A18-13] シリコン上に直接成長されたゲルマニウムの発光寿命測定

^○加古敏^1,2，小田克矢^3,4,5，谷和樹^3,4,5，井戸立身^3,4,5，荒川泰彦^1,2,4 (東大生研¹，東大ナノ量子機構²，PETRA³，PECST⁴，日立中研⁵)

16:45 〜 17:00

▲ [18p-A18-14] Ge-on-Insulator Fabrication by Smartcut Technology for Ge CMOS Photonics Platform

^○（D）亢健^1,2，玉虓^1,2，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)

17:00 〜 17:15

[18p-A18-15] グラフェンフォトディテクタの高性能化に向けた金属/グラフェン界面におけるフェルミ準位変化の評価

^○（M1）佐々木和哉^1,2，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)

一般セッション(口頭講演)

[19a-A18-1~9] 3.15 シリコンフォトニクス

2014年9月19日(金) 09:30 〜 11:45 A18 (E310)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:30 〜 09:45

[19a-A18-1] 量子ドットレーザを搭載するSiプラットフォーム上ハイブリッド集積光源に向けた低結合損失トリプルコア型SSC

^○羽鳥伸明¹，清水隆徳¹，岡野誠^1,2，石坂政茂¹，山本剛之¹，賣野豊¹，森雅彦^1,2，中村隆宏¹，荒川泰彦³ (PETRA¹，産総研²，東大³)

09:45 〜 10:00

[19a-A18-2] Si細線導波路に対応した偏波無依存型スポットサイズ変換器

^○宮村悟史，岡部豊，小野英輝，亀井明夫，徳島正敏，堀川剛，佐々木浩紀 (PETRA)

10:00 〜 10:15

[19a-A18-3] 空間光多重伝送に向けた3次元SiOx導波路型フォトニックランタン

^○開達郎^1,2，土澤泰^1,2，西英隆^1,2，碓氷光男²，山本剛²，山田浩治^1,2 (NTT NPC¹，NTT MI研²)

10:15 〜 10:30

[19a-A18-4] 微小貫通孔列型グレーティングカプラ

^○田之岡宙，平野秀，北智洋，山田博仁 (東北大工)

10:30 〜 10:45

△ [19a-A18-5] 円形空隙を用いた金属ミラー装荷アポダイズドグレーティングカプラの理論検討

^○久能雄輝¹，姜晙炫¹，林侑介¹，鈴木純一¹，雨宮智宏²，西山伸彦¹，荒井滋久² (東工大電気電子¹，東工大量子ナノ²)

10:45 〜 11:00

[19a-A18-6] 異なる次数のモードを利用した偏波無依存カプラ

^○太縄陽介，岡山秀彰，八重樫浩樹，佐々木浩紀 (沖電気工業)

11:00 〜 11:15

[19a-A18-7] アニール処理によるシリコン立体曲り導波路の伝搬損失改善

^○（M2）田島渉吾^1,2，吉田知也²，西孝²，武井亮平²，面田恵美子²，長尾昌善²，三浦登¹，森雅彦²，榊原陽一² (明大院理工¹，産総研²)

11:15 〜 11:30

△ [19a-A18-8] 特性ばらつき低減に向けたSi細線光導波路コアサイズの検討

^○相馬宗厳¹，北智洋¹，外山宗博^1,2，関三好²，横山信幸²，大塚実²，山田博仁¹ (東北大院工¹，産総研²)

11:30 〜 11:45

[19a-A18-9] SOIスラブ導波路光回路

^○邉見ふゆみ¹，北智洋²，山田博仁² (東北大工¹，東北大院工²)

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03．光・フォトニクス » 3.15 シリコンフォトニクス

[17p-PA3-1~7] 3.15 シリコンフォトニクス

△ [17p-PA3-4] シリコン導波路集積型グラフェン光変調構造の最適化

[18a-A18-1~9] 3.15 シリコンフォトニクス

▼ [18a-A18-1] Mid-refractive index GeSi photonics for Telecommunication applications