^○（DC）Omprakash Muthusamy¹，Arivanandhan Mukannan¹，Anandan Pandurangan¹，森井久史¹，青木徹¹，小山忠信¹，百瀬与志美¹，池田浩也¹，立岡浩一¹，岡野泰則²，小澤哲夫³，稲富裕光⁴，Moorthy Babu Sridharan⁵，早川泰弘¹ (静岡大電子研¹，大阪大²，静岡理工科大³，宇宙航空研究開発機構⁴，アンナ大⁵)

一般セッション(口頭講演)

[18a-F6-1~12] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2014年3月18日(火) 09:00 〜 12:15 F6 (F306)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[18a-F6-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）Al 誘起層交換成長法によるGe 結晶薄膜/絶縁基板の極低温形成

^○沼田諒平¹，都甲薫¹，大谷直生¹，宇佐美徳隆^2,3，末益崇^1,3 (筑波大院数理物質¹，名大院工²，JST-CREST³)

09:15 〜 09:30

[18a-F6-2] プラスチック基板上における非晶質Ge薄膜のAl誘起成長法

^○大谷直生¹，都甲薫¹，沼田諒平¹，中沢宏紀¹，宇佐美徳隆^2,3，末益崇^1,3 (筑波大院数理物質¹，名大院工²，JST-CREST³)

09:30 〜 09:45

[18a-F6-3] 逆 AIC 法を用いた多結晶 Ge/Al/ガラス構造の形成と拡散制御層効果

^○中沢宏紀¹，都甲薫¹，宇佐美徳隆²，末益崇¹ (筑波大院数理物質¹，名大院工²)

09:45 〜 10:00

△ [18a-F6-4] 層交換法による大粒径Ge結晶/プラスチックの直接成長－フレキシブル基板上における高移動度の実現－

^○朴ジョンヒョク^1,2，笠原健司¹，浜屋宏平¹，宮尾正信¹，佐道泰造¹ (九大・院システム情報¹，学振特別研究院²)

10:00 〜 10:15

[18a-F6-5] ガラス基板上におけるGeSnの横方向固相成長(≧50μm) －Sn溶融による核の極低温形成(≦250℃)－

^○知北大典，松村亮，木下侑紀，佐道泰造，宮尾正信 (九大シス情)

10:15 〜 10:30

[18a-F6-6] ラス基板上におけるSnドットの自己組織的形成 -横方向固相成長のリソグラフィーレス化-

^○松村亮，知北大典，佐道泰造，宮尾正信 (九大・院システム情報)

休憩 10:30〜10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[18a-F6-7] a-GeSn/絶縁膜構造の固液共存アニールによる大粒径Ge(Sn)成長 -表面モホロジの初期Sn濃度依存性-

^○甲斐友樹，知北大典，松村亮，佐道泰造，宮尾正信 (九大院システム情報)

11:00 〜 11:15

[18a-F6-8] 非晶質GeSn/Ge基板の低温固相エピタキシャル成長－低温成長による非平衡Sn濃度の向上－

^○大跡明¹，朴鍾?^1,2，宮尾正信¹，佐道泰造¹ (九大システム情報¹，学振特別研究員²)

11:15 〜 11:30

△ [18a-F6-9] 横方向液相エピタキシャル成長法によりY2O3層上に形成した局所GOI層の電気特性評価

^○梶村恵子，松江将博，細井卓治，志村孝功，渡部平司 (阪大院工)

11:30 〜 11:45

[18a-F6-10] 横方向液相成長法により作製したn型Ge-on-insulator層の直接遷移発光の増強

^○梶村恵子，松江将博，細井卓治，志村孝功，渡部平司 (阪大院工)

11:45 〜 12:00

[18a-F6-11] 横方向液相成長法で作製した局所GeSn-on-insulator層の優先結晶方位

^○冨永幸平，松江将博，細井卓治，志村孝功，渡部平司 (阪大院工)

12:00 〜 12:15

△ [18a-F6-12] 横方向液相成長によって作製したGeSn-on-insulator構造のバンドギャップ変調評価

^○冨永幸平，松江将博，細井卓治，志村孝功，渡部平司 (阪大院工)

一般セッション(口頭講演)

[18p-F6-1~20] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2014年3月18日(火) 13:30 〜 18:45 F6 (F306)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 12:15〜13:30 （12:15 〜 13:30）

13:30 〜 13:45

[18p-F6-1] Si基板上アモルファスGe/Cのアニール処理によるGeドットの形成に関する検討

^○畠山真慈¹，伊藤友樹¹，奥野颯²，川島知之^1,2，鷲尾勝由^1,2 (東北大院工¹，東北大工²)

13:45 〜 14:00

[18p-F6-2] サブモノレイヤカーボンによるGe/Siミキシングの抑制に関する検討

^○伊藤友樹¹，早瀬凌²，畠山真慈¹，川島知之^1,2，鷲尾勝由^1,2 (東北大院工¹，東北大工²)

14:00 〜 14:15

[18p-F6-3] Si基板上での低温Ge薄膜成長

^○早瀬凌¹，伊藤友樹²，川島知之^1,2，鷲尾勝由^1,2 (東北大工¹，東北大院工²)

14:15 〜 14:30

△ [18p-F6-4] MOCVD法によるGeエピタキシャル成長

^○須田耕平¹，石原聖也¹，町田英明²，石川真人²，須藤弘²，大下祥雄³，小椋厚志¹ (明治大¹，気相成長²，豊田工大³)

14:30 〜 14:45

[18p-F6-5] Si結晶中へのMnδドーピング: キャリア輸送特性評価

^○村田晃一^1,2，坪松悟史^1,2，金澤孝^1,2，古谷野有²，日塔光一¹，三木一司^1,2 (物材機構¹，筑波大院数物²)

14:45 〜 15:00

[18p-F6-6] Pデルタドープによるn型Geへの極浅オーミック接触の形成

^○山田道洋¹，竹内嘉寛²，澤野憲太郎²，伊藤公平¹ (慶大理工¹，東京都市大²)

15:00 〜 15:15

[18p-F6-7] Biサーファクタントを用いたGeナノドットの低温形成

^○岡本浩¹，林一稀¹，小林弓華¹，俵毅彦²，舘野功太²，章国強²，後藤秀樹² (弘前大¹，NTT物性基礎研²)

15:15 〜 15:30

[18p-F6-8] フォトニック・テクスチャダブル構造を利用した太陽電池の作製

^○星裕介¹，青沼理¹，太野垣健²，宇佐美徳隆¹ (名大院工¹，京大化研²)

15:30 〜 15:45

△ [18p-F6-9] 太陽電池用Ge結晶におけるIV族添加元素の安定性に関する第一原理解析

^○（M1）松谷亮，末岡浩治，神山栄治 (岡山県大院情報工)

15:45 〜 16:00

[18p-F6-10] コロイド状Si_1-xGe_xナノ結晶の作製と光学特性（II）

^○管野天，杉本泰，今北健二，藤井稔 (神戸大院工)

休憩 16:00〜16:15 （16:00 〜 16:15）

16:15 〜 16:30

[18p-F6-11] Si基板上に直接成長させたGeのTOF-SIMS測定

^○河野健一郎¹，朴成鳳²，石川靖彦²，和田一実² (物材機構量子ビームU¹，東大工学部²)

16:30 〜 16:45

[18p-F6-12] Al₂O₃挿入層を有する貼り合わせGeOI基板の電気特性評価

^○吉田啓資¹，中村芳明¹，竹内正太郎¹，守山佳彦^1,2，手塚勉²，酒井朗¹ (阪大院基礎工¹，産総研グリーンナノエレクトロニクスセンター²)

16:45 〜 17:00

△ [18p-F6-13] 軟Ｘ線源を用いたSiGe多層膜の低温結晶化

^○（M1）草壁史¹，丸山裕樹¹，部家彰¹，松尾直人¹，神田一浩²，望月孝晏²，伊藤和博³，高橋誠³ (兵庫県立大院工¹，兵庫県立大高度研²，阪大・接合研³)

17:00 〜 17:15

△ [18p-F6-14] X線マイクロ回折法による埋め込みGe_1−xSn_x/Ge微細構造内部の局所歪評価

^○池進一¹，守山佳彦²，黒澤昌志^1,3，田岡紀之¹，中塚理¹，今井康彦⁴，木村滋⁴，手塚勉²，財満鎭明¹ (名大院工¹，産総研GNC²，学振特別研究員(PD)³，JASRI⁴)

17:15 〜 17:30

△ [18p-F6-15] 液相SnへのGe優先溶融を利用したSiGeSn薄膜の極低温エピタキシャル成長

^○加藤元太¹，黒澤昌志^1,2，山羽隆¹，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振PD²)

17:30 〜 17:45

[18p-F6-16] Si添加によるSnドット化抑制と層交換成長への応用

^○黒澤昌志^1,2，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振PD²)

17:45 〜 18:00

△ [18p-F6-17] nチャネルGe_1-xSn_x MOSFETの電流-電圧特性へのSn組成依存性

^○浅野孝典¹，田岡紀之¹，加藤公彦¹，坂下満男¹，張睿²，横山正史²，竹中充²，高木信一²，財満鎭明¹ (名大院工¹，東大院工²)

18:00 〜 18:15

△ [18p-F6-18] 固相エピタキシー法により形成したGe_1-x-ySn_xC_y三元混晶薄膜の結晶構造

^○小田裕貴¹，山羽隆¹，寺澤謙吾¹，黒澤昌志^1,2，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名古屋大院工¹，学振特別研究員(PD)²)

18:15 〜 18:30

△ [18p-F6-19] 高C組成Ge_1-x-ySn_xC_y薄膜の結晶成長および結晶性評価

^○山羽隆¹，寺澤謙吾¹，黒澤昌志^1,2，竹内和歌奈¹，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名古屋大院工¹，学振特別研究員(PD)²)

18:30 〜 18:45

[18p-F6-20] Ge_1-x-ySi_xSn_yエピタキシャル層の結晶構造の成長温度および熱処理依存性

^○寺島辰也，山羽隆，浅野孝典，田岡紀之，中塚理，財満鎭明 (名古屋大工)

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15．結晶工学 » 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[17a-PG2-1~5] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

▲ [17a-PG2-5] Ga添加SiGeバルク結晶の熱電特性