〇池進一^1,2,3、Simoen Eddy³、志村洋介^3,4,5、Hikavyy Andriy³、Vandervorst Wilfried^3,4、Loo Roger³、竹内和歌奈¹、中塚理¹、財満鎭明^1,6 (1.名古屋大院工、2.学振特別研究員、3.Imec、4.KU Leuven、5.FWO PMC Fellow、6.名古屋大エコトピア)

15:45 〜 16:00

△ [13p-2W-10] MOCVD法によるGe基板上でのGe_1-xSn_xエピタキシャル成長 (3)

〇須田耕平¹、石原聖也¹、澤本直美¹、町田英明²、石川真人²、須藤弘²、大下祥雄³、臼田宏治⁴、広沢一郎⁵、小椋厚志¹ (1.明治大、2.気相成長、3.豊田工大、4.東芝、5.高輝度光科学研究セ)

16:00 〜 16:15

△ [13p-2W-11] 液浸ラマン分光法によるGe基板上Ge_1-xSn_x薄膜の応力評価

〇武内一真¹、山本章太郎¹、横川凌¹、澤本直美¹、須田耕平¹、石原聖也¹、小椋厚志¹ (1.明治大理工)

16:15 〜 16:30

[13p-2W-12] 固相成長法によるSi_1-x-ySn_xC_y多結晶薄膜の形成および結晶構造評価

〇矢野翔大¹、山羽隆^1,2、黒澤昌志^1,3、竹内和歌奈¹、坂下満男¹、中塚理¹、財満鎭明^1,3 (1.名古屋大院工、2.学振特別研究員、3.名古屋大エコトピア)

16:30 〜 16:45

[13p-2W-13] Si_1-x-ySn_xC_y三元混晶薄膜のエピタキシャル成長および結晶性評価

〇山羽隆^1,2、矢野翔太¹、髙橋恒太¹、黒澤昌志^1,3、坂下満男¹、中塚理¹、財満鎭明^1,3 (1.名古屋大院工、2.学振特別研究員、3.名古屋大エコトピア)

16:45 〜 17:00

[13p-2W-14] Si_1-xSn_x薄膜の固相エピタキシャル成長に与えるSn組成の効果

〇(M2)加藤元太¹、黒澤昌志^1,2,3、中塚理¹、財満鎭明^1,2 (1.名古屋大院工、2.名古屋大エコトピア、3.名古屋大高等研究院)

17:00 〜 17:15

[13p-2W-15] Ge_1-x-ySi_xSn_y/Ge_1-xSn_x/Ge_1-x-ySi_xSn_y二重ヘテロ接合の形成および結晶性評価

〇福田雅大¹、山羽隆^1,2、浅野孝典^1,2、藤浪俊介¹、黒澤昌志^1,3、中塚理¹、財満鎭明^1,3 (1.名古屋大院工、2.学振特別研究員、3.名古屋大エコトピア)

17:15 〜 17:30

▲ [13p-2W-16] Effects of in-situ Sb-Doping on Crystalline and Electrical Characteristics of Ge_1-xSn_x Epitaxial Layer

〇(M1)Jihee Jeon¹, Takanori Asano^1,2, Wakana Takeuchi¹, Masashi Kurosawa^1,3, Mitsuo Sakashita¹, Osamu Nakatsuka¹, Shigeaki Zaima^1,3 (1.Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ., 2.JSPS Research Fellow, 3.EcoTopia Sci. Inst., Nagoya Univ.))

一般セッション(ポスター講演)

[14a-PB6-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

2015年9月14日(月) 09:30 〜 11:30 PB6 (白鳥ホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[14a-PB6-1] 硬X線光電子分光法（HAXPES）によるゲルマニウムスズ薄膜の深さ方向化学結合状態評価

〇臼田宏治¹、高石理一郎¹、吉木昌彦¹、須田耕平²、小椋厚志²、富田充裕¹ (1.東芝、2.明治大学)

09:30 〜 11:30

[14a-PB6-2] Ge₁₋_xSn_xエピタキシャル層中における欠陥形成に対する Sn 組成の影響

〇浅野孝典^1,2、柴山茂久^1,2、竹内和歌奈¹、坂下満男¹、中塚理¹、財満鎭明^1,3 (1.名大院工、2.学振、3.名大エコトピア)

09:30 〜 11:30

[14a-PB6-3] めっき法Ge膜のCu誘起低温多結晶化2 -成膜条件依存性-

〇内田恭敬¹、舩山朋子¹、木暮嘉明¹、葉文昌² (1.帝京科学大、2.島根大総理工)

09:30 〜 11:30

▲ [14a-PB6-4] Solid Phase Epitaxy of Si Film on poly-Si Seed Layer formed by Aluminum-induced Crystallization

〇(M2)Joko Suwardy^1,2, Wipakorn Jevasuwan¹, Kaoru Toko², Takashi Suemasu², Naoki Fukata^1,2 (1.NIMS, 2.Univ. of Tsukuba)

09:30 〜 11:30

[14a-PB6-5] Au(111)表面上におけるGeのSTM観察

〇若林陽介¹、橋口浩平¹、神子公男²、弓野健太郎^1,3 (1.芝浦工大、2.東大生研、3.SIT グリーンイノベーション研究センター)

09:30 〜 11:30

[14a-PB6-6] AuとGeの同時スパッタによる Ge薄膜の結晶化の膜厚依存性

〇山本怜¹、杉山貴俊¹、神子公男²、弓野健太郎^1,3 (1.芝浦工大、2.東大生研、3.SIT RCGI)

09:30 〜 11:30

[14a-PB6-7] AuとGeの同時スパッタによる結晶Ge薄膜の作製：リンドープの影響

〇(M1)鈴木竜也¹、高鳥毛怜¹、杉山貴俊¹、神子公男²、弓野健太郎^1,3 (1.芝浦工大、2.東大生研、3.SITグリーンイノベーション研究センター)

セッション一覧

15 結晶工学 » 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[13a-2W-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[13a-2W-1] Si及びSiO₂上に製膜した非晶質Ge膜の固相結晶成長に関する検討(Ⅱ)

[13a-2W-2] 局所的金誘起低温層交換法による擬似単結晶Ge/絶縁基板の位置制御成長(≦300℃)

[13a-2W-3] 非晶質Ge薄膜のAu誘起成長に及ぼす熱処理温度の影響（２）－Au膜厚依存性－

[13a-2W-4] Al誘起成長法による大粒径Si_0.5Ge_0.5(111)/絶縁体の形成

[13a-2W-5] Al誘起成長におけるa-Si層の厚膜化が
poly-Siの成長メカニズムに及ぼす影響

[13a-2W-6] パルスレーザーアニールによる非晶質GeSn/絶縁膜の非熱平衡成長

[13a-2W-7] ガラス上多結晶Ge薄膜におけるSnパッシベーション効果

△ [13a-2W-8] 横方向液相成長法による石英基板上単結晶GeSn細線の作製と光学特性評価

△ [13a-2W-9] GeSn多結晶膜の移動度に与える下地絶縁膜の効果

[13p-2W-1~16] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[13p-2W-1] Si-C結合による表面再構成を用いたGeドット形成におけるGe堆積温度と堆積速度の影響に関する検討

[13p-2W-2] Si-C/Ge-C結合がGeドット形成に及ぼす影響

[13p-2W-3] c面サファイア基板上のGe(111)薄膜成長の検討

[13p-2W-4] Si(110)基板上SiGe膜の歪み緩和におけるイオン注入の効果

[13p-2W-5] イオン注入による欠陥制御を用いて作製した圧縮歪みSi/Si_1-xC_x ヘテロ構造の熱的安定性

[13p-2W-6] PデルタドープしたGe基板の３次元アトムプローブ評価

[13p-2W-7] 成長温度の最適化によるSi基板上Ge層の結晶性改善

[13p-2W-8] 有機金属化学気相成長法を用いたGe薄膜選択成長

△ [13p-2W-9] エピタキシャルSi_1-xGe_x薄膜中の欠陥構造に対する前駆体ガス原料の効果

△ [13p-2W-10] MOCVD法によるGe基板上でのGe_1-xSn_xエピタキシャル成長 (3)

△ [13p-2W-11] 液浸ラマン分光法によるGe基板上Ge_1-xSn_x薄膜の応力評価

[13p-2W-12] 固相成長法によるSi_1-x-ySn_xC_y多結晶薄膜の形成および結晶構造評価

[13p-2W-13] Si_1-x-ySn_xC_y三元混晶薄膜のエピタキシャル成長および結晶性評価

[13p-2W-14] Si_1-xSn_x薄膜の固相エピタキシャル成長に与えるSn組成の効果

[13p-2W-15] Ge_1-x-ySi_xSn_y/Ge_1-xSn_x/Ge_1-x-ySi_xSn_y二重ヘテロ接合の形成および結晶性評価

▲ [13p-2W-16] Effects of in-situ Sb-Doping on Crystalline and Electrical Characteristics of Ge_1-xSn_x Epitaxial Layer

[14a-PB6-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[14a-PB6-1] 硬X線光電子分光法（HAXPES）によるゲルマニウムスズ薄膜の深さ方向化学結合状態評価

[14a-PB6-2] Ge₁₋_xSn_xエピタキシャル層中における欠陥形成に対する Sn 組成の影響

[14a-PB6-3] めっき法Ge膜のCu誘起低温多結晶化2 -成膜条件依存性-

▲ [14a-PB6-4] Solid Phase Epitaxy of Si Film on poly-Si Seed Layer formed by Aluminum-induced Crystallization

[14a-PB6-5] Au(111)表面上におけるGeのSTM観察

[14a-PB6-6] AuとGeの同時スパッタによる Ge薄膜の結晶化の膜厚依存性

[14a-PB6-7] AuとGeの同時スパッタによる結晶Ge薄膜の作製：リンドープの影響

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15 結晶工学 » 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[13a-2W-1~9] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [13a-2W-8] 横方向液相成長法による石英基板上単結晶GeSn細線の作製と光学特性評価

△ [13a-2W-9] GeSn多結晶膜の移動度に与える下地絶縁膜の効果

[13p-2W-1~16] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [13p-2W-9] エピタキシャルSi1-xGex薄膜中の欠陥構造に対する前駆体ガス原料の効果

△ [13p-2W-10] MOCVD法によるGe基板上でのGe1-xSnxエピタキシャル成長 (3)

△ [13p-2W-11] 液浸ラマン分光法によるGe基板上Ge1-xSnx薄膜の応力評価

▲ [13p-2W-16] Effects of in-situ Sb-Doping on Crystalline and Electrical Characteristics of Ge1-xSnx Epitaxial Layer

[14a-PB6-1~7] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

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△ [13p-2W-9] エピタキシャルSi_1-xGe_x薄膜中の欠陥構造に対する前駆体ガス原料の効果

△ [13p-2W-10] MOCVD法によるGe基板上でのGe_1-xSn_xエピタキシャル成長 (3)

△ [13p-2W-11] 液浸ラマン分光法によるGe基板上Ge_1-xSn_x薄膜の応力評価

▲ [13p-2W-16] Effects of in-situ Sb-Doping on Crystalline and Electrical Characteristics of Ge_1-xSn_x Epitaxial Layer