一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術
13:45 〜 14:15
〇羽根 一博1、佐々木 敬1、Thubthimthong Borriboon1 (1.東北大院工)
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14:15 〜 14:30
〇YuanHsuan Jhang1、Katsuaki Tanabe2,3、Bongyong Jang1、Satoshi Iwamoto1,2、Yasuhiko Arakawa1,2 (1.IIS, UT、2.NanoQuine, UT、3.Kyoto Univ.)
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14:30 〜 14:45
〇(M1)桑原 充輝1、高橋 和1 (1.大阪府大院工)
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14:45 〜 15:00
〇鈴木 勝大1、西山 宏昭1 (1.山形大院理工)
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15:00 〜 15:15
〇久保山 貴文1、小川 新平2、藤澤 大介2、木股 雅章1 (1.立命館大学、2.三菱電機株式会社)
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15:15 〜 15:30
〇小川 新平1、藤澤 大介1、久保山 貴文2、木股 雅章2 (1.三菱電機株式会社、2.立命館大学)
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15:30 〜 15:45
〇(M1)高橋 利昌1、桝屋 善光1、石田 隼斗1、飛沢 健1、髙橋 一浩1 (1.豊橋技科大)
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15:45 〜 16:00
〇佐布 晃昭1、小西 敏文1、山根 大輔2,4、年吉 洋3,4、曽根 正人2,4、益 一哉2,4、町田 克之1,4 (1.NTT-AT、2.東工大、3.東大、4.JST-CREST)
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16:00 〜 16:15
〇(D)中澤 謙太1、佐々木 敬1、古田 裕正2、神谷 二朗2、佐々木 秀記2、神谷 東志一2、羽根 一博1 (1.東北大院工、2.パナソニックデバイスSUNX)
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16:30 〜 16:45
〇小川 真一1、飯島 智彦1 (1.産総研)
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16:45 〜 17:00
〇岡本 裕二1,2、堤 大耀3、石垣 隆正3、Fatima Zohra Dahmani4、角谷 正友2 (1.筑波大、2.物材機構、3.法政大、4.USTO-MB.)
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17:00 〜 17:15
〇渡部 亨1、羽深 等1、齋藤 あゆ美1 (1.横国大院工)
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17:15 〜 17:30
齋藤 あゆ美1、〇山田 彩未1、羽深 等1 (1.横浜国大院工)
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17:30 〜 17:45
〇當間 拓矢1、諏訪 輝1、中村 大輔1、池上 浩1 (1.九州大工)
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17:45 〜 18:00
〇菅原 陽平1、木野 久志2、福島 誉史1、李 康旭3、小柳 光正3、田中 徹1,4 (1.東北大院工、2.東北大学際研、3.東北大未来研、4.東北大院医工)
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18:00 〜 18:15
〇古名 克也1、梁 剣波1、松原 萌子2、ダムリン マルワン2、西尾 佳高2、重川 直輝1 (1.大阪市大工、2.東洋アルミニウム)
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18:15 〜 18:30
〇小川 智輝1、梁 剣波1、荒木 建次2、神岡 武文2、重川 直輝1 (1.大阪市大工、2.豊田工大)
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