一般セッション(口頭講演)
[8a-A411-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
09:00 〜 09:15
〇加藤 弘一1、 福谷 克之1 (1.東大生産研)
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09:15 〜 09:30
〇(M2)中根 滉稀1、 富田 基裕1,2、 渡邉 孝信1 (1.早大理工、2.学振特別研究員)
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09:30 〜 09:45
〇野村 啓太1,2、 井辻 宏章1,2、 小林 大輔1,2、 廣瀬 和之1,2 (1.東大院工、2.JAXA宇宙研)
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09:45 〜 10:00
▼ [8a-A411-4] Heavy Ion Generated Current Leading to Long Line-type Soft Errors in Thin BOX SOI SRAMS
〇(D)ChinHan Chung1,2、 Daisuke Kobayashi1,2、 Kazuyuki Hirose1,2 (1.Univ. of Tokyo、2.ISAS/JAXA)
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10:00 〜 10:15
〇井辻 宏章1,2、 小林 大輔1,2、 川崎 治3、 松浦 大介4、 成田 貴則4、 加藤 昌浩4、 石井 茂4、 益川 一範4、 廣瀬 和之1,2 (1.東大院工、2.JAXA宇宙研、3.JAXA研開部門、4.三菱重工業（株）)
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10:30 〜 10:45
〇張江 貴大1,2、 小林 大輔2、 山本 知之1、 廣瀬 和之1,2 (1.早大理工、2.宇宙研)
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10:45 〜 11:00
〇阪本 大樹1、 下間 靖彦1、 坂倉 政明2、 三浦 清貴1、 八戸 啓3 (1.京大院工、2.次世代レーザープロセッシング技術研究組合、3.株式会社プラウド)
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11:00 〜 11:15
〇(DC)工藤 聡也1、 Mailig R.M.D.1、 石松 慎1、 大見 俊一郎1 (1.東工大)
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11:15 〜 11:30
村田 晃一1,2、 〇三木 一司1,2,5、 Kirkham Christopher1,2,3、 坪松 悟史1,2、 金澤 孝1,2、 新田 清文4、 寺田 靖子4、 宇留賀 朋哉4、 日塔 光一1、 David R. Bowler1,3 (1.物材機構、2.筑波大、3.LCN-UCL、4.JASRI、5.兵庫県立大)
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11:30 〜 11:45
〇滝沢 優1、 畑 彰宏1、 光原 圭1、 田中 武司1 (1.立命館大)
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