〇(D)ABDELLAOUI imane IMANE¹、 Mikas Remeika¹、 Shigeru Ikeda²、 Takato Kawaguchi²、 M.Monirul Islam¹、 Tsuyoshi Maeda³、 Takayoshi Kusumoto³、 Takahiro Wada³、 Christian Budich⁴、 Takeaki Sakurai¹ (1.Tsukuba Univ.、2.Konan Univ.、3.Ryukoku Univ.、4.Tokyo Instruments)

一般セッション(ポスター講演)

[19p-PB1-1~37] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2018年9月19日(水) 13:30 〜 15:30 PB (白鳥ホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:30 〜 15:30

[19p-PB1-1] 二元同時電子ビーム蒸着法により形成した透明太陽電池用半導体薄膜

〇森田廣¹、平野雅也¹、合田和矢¹ (1.山口東京理科大工)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-2] TiO₂メソ多孔体とポリアニリンのナノ複合膜を用いたモノリシック光蓄電池

〇秋好恭兵¹、有馬稜一¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹、小ヶ口晃² (1.鹿児島大院、2.JSSJ)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-3] 焼成温度によるg-C₃N₄粉末の光触媒反応評価

〇(B)大畑裕介¹、番貴彦¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-4] TiO₂薄膜の電子線照射に対する耐性

〇(M1)吉野光祐¹、下迫直樹¹、島崎一紀²、宮崎英治²、坂間弘¹ (1.上智大、2.JAXA)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-5] 紫外光照射TiO₂単結晶ｙ及び微粒子膜表面における表面電位計測と接触角測定

〇古川拓弥¹、野田啓¹ (1.慶大院)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-6] 色素増感したＷＯ₃ナノファイバの光蓄電池への応用

〇(M2)松田拓也¹、隈元大登¹、小牧平知¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹ (1.鹿児島大理工)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-7] パルス電着法による酸化鉄ナノチューブアレイと酸化銅ナノ粒子との複合体形成

〇柵木光¹、 Shivaji B. Sadale²、野田啓¹ (1.慶應大理工、2.シバジ大学)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-8] 全固体薄膜電池作製・in-situ評価装置の構築

〇白木将¹ (1.日工大)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-9] スパッタ法により作製したBa(Ce_1-xTi_x)_yY_1-yO₃薄膜の化学的安定性

橋本智之¹、高柳真¹、山田庸公¹、堀場弘司²、湯川龍²、組頭広志²、〇樋口透¹ (1.東理大理、2.高エネ研)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-10] Yb-doped BaPr_0.9Yb_0.1O_3-_d薄膜の電子-イオン混合伝導性と電子構造

濱田宏幸¹、山田庸公¹、湯川龍²、堀場弘司²、組頭広志²、〇樋口透¹ (1.東理大、2.高エネ研)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-11] TiO₂上に形成したNiOナノ粒子による光触媒特性への影

及川純平¹、関根正貴¹、山田庸公¹、湯川龍²、堀場弘司²、組頭広志²、〇樋口透¹ (1.東理大理、2.高エネ研)

13:30 〜 15:30

△ [19p-PB1-12] リチウム空気電池におけるORR触媒の理論設計

〇添野壮大¹、西方聖真²、高羽洋充^2,1 (1.工学院大学院工、2.工学院大学先進工)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-13] 相転移VO₂の金属的状態間を推移する発振現象 (２)

〇青戸智寛¹、戸部龍太¹、沖村邦雄¹、ムスタファザグリウィ²、坂井穣² (1.東海大院工、2.トゥール大 GREMAN UMR-CNRS 7347)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-14] ITO上にICP支援スパッタ成長したM2相VO₂薄膜の電気的特性

〇戸部龍太¹、沖村邦雄¹、ミヤモハメッド　シュルズ¹ (1.東海大院工)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-15] ZnOナノロッド/glass上へのVO₂薄膜堆積と光学特性

〇福住達郎¹、伊藤大樹²、児島永悟²、陳飛²、星野寛明¹、沖村邦雄¹ (1.東海大院工、2.東海大工)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-16] 酸化物機能材料のための非還元性SiO₂-PECVDの検討

〇座間秀昭¹、小林忠正¹ (1.アルバック超材研)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-17] Nd:YAGレーザーを用いたPLD法で作製したNb:SrTiO₃薄膜の
ポストアニール効果

〇高嶋佑伍¹、千葉一樹¹、平智幸¹、中村基訓¹、篁耕司¹ (1.旭川高専)

13:30 〜 15:30

△ [19p-PB1-18] 機械的変形を利用した遷移金属酸化物の物性制御

〇(M2)松本笙¹、菅大介¹、島川祐一¹ (1.京大化研)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-19] マルチフェロイックYbFe₂O₄エピタキシャル薄膜の磁気輸送特性

〇田中淳平¹、三浦光平¹、桐谷乃輔¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹ (1.大阪府立大学)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-20] Au/CuOx/(CuxNiySiz)mOn/NixSi/n-Si 構造の抵抗変化型不揮発性メモリ

〇仲山広記¹、ジアンミインチャイ¹、塚本貴広²、雑賀章浩³、加藤格³、鮫島俊之¹、須田良幸¹ (1.東京農工大院工、2.電気通信大、3.東京高専)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-21] 金属イオンドープ量の違いによる原子スイッチ動作特性の変化

〇荒木聖人¹、長谷川剛¹ (1.早大先進理工)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-22] 分子膜ギャップ型原子スイッチのコンダクタンス保持率の研究

〇鈴木彩菜¹、鶴岡徹²、長谷川剛¹ (1.早大先進理工、2.物材機構)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-23] Ag/Ta₂O₅/Pt素子の一定電圧印加による抵抗変化計測

〇(M2)重岡祐貴¹、長谷川剛¹ (1.早大先進理工)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-24] 分子膜ギャップ型原子スイッチを用いた多値抵抗変化の安定性

〇(M2)葛西亜衣¹、鶴岡徹²、長谷川剛¹ (1.早大先進理工、2.物材機構)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-25] RFマグネトロンスパッタ法で作製したTi_0.9Fe_0.1O_2-δ薄膜の電子構造とI-V特性

〇(M1)石田潤一郎¹、西岡大貴¹、山田庸公¹、湯川龍²、堀場弘司²、組頭広志²、樋口透¹ (1.東理大理、2.高エネ研)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-26] Ag₂Sアイランドネットワークへの電圧印加による応答について

〇尾島慶太¹、長谷川剛¹ (1.早大先進理工)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-27] Ag/TiO₂/Pt接合型原子スイッチの動作特性

〇(B)寺村まどか¹、竹内晴哉¹、三上舞子¹、長谷川剛¹ (1.早大応物)

13:30 〜 15:30

△ [19p-PB1-28] Hf酸化物を用いた抵抗変化メモリの人工シナプス素子への応用検討

〇(M2)東篤志¹、中島諒¹、清水智弘¹、伊藤健¹、新宮原正三¹ (1.関西大学大学院理工学研究科)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-29] Ag/HfO₂/Pt接合型原子スイッチの動作特性

〇(B)和田直也¹、甲賀優希¹、長谷川剛¹ (1.早大応物)

13:30 〜 15:30

△ [19p-PB1-30] NbOx膜における閾値スイッチングのI-V特性評価

〇(M2)中島諒¹、東篤志¹、清水智弘¹、伊藤健¹、新宮原正三¹ (1.関西大学)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-31] 圧力勾配型プラズマガンを用いて作製したIWO薄膜の電気・光学特性

〇山田義春¹、橋本典晃²、古屋英二²、近藤裕佑¹、筧芳治¹、佐藤和郎¹、森隆志¹、田中剛¹ (1.大阪技術研、2.中外炉工業(株))

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-32] RFスパッタ法により非加熱堆積したNiO薄膜を用いたp型透明薄膜トランジスタの試作

〇岡田浩明¹、田沼涼¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-33] スパッタ法によりZn膜上に堆積したAZO薄膜の検討

〇清水英彦¹、岩野春男¹、川上貴浩¹、福嶋康夫¹、永田向太郎¹ (1.新潟大工)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-34] 水溶液から新規高速電気化学的反応法によるZnO膜の製膜

〇芳賀洋典¹、陣内意康¹、鈴木厚紀¹、小川隼平¹、黒田達也¹、加藤那征¹、石崎博基¹ (1.埼工大工)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-35] 高温製膜法による高結晶TiO₂多孔質薄膜の形成

〇一條杏名¹、芳賀洋典¹、陣内意康¹、鈴木厚紀¹、沼田岳士¹、石崎博基¹ (1.埼工大工)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-36] Tuning Up or Down the Critical Thickness in LaAlO₃/SrTiO₃ through In-Situ Deposition of Metal Overlayers

〇永沼博^1,2、 Castro Vaz Diogo²、 Lesne Edouard²、 Sander Anke²、 Jacquet Eric²、 Santamaria Jacobo³、 Barthelemy Agnes²、 Bibes Manuel² (1.東北大、2.CNRS/Thales、3.Complutense Madrid)

13:30 〜 15:30

[19p-PB1-37] ノンコリニア型反強磁性SmFeO₃／垂直磁化Mn₃GaN_1-xヘテロ構造の作製と特性評価

〇棚橋直也¹、石野直¹、尹智誠¹、黒田基規¹、羽尻哲也¹、浅野秀文¹ (1.名大院工)

セッション一覧

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18a-223-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18a-223-1] トポタクテックフッ素ドープによるSr2IrO4-xFy薄膜の作成

△ [18a-223-2] Ti4O7薄膜の電子物性制御：膜厚依存性

△ [18a-223-3] ダブルペロブスカイト型GdBaCo2Ox薄膜(x = 5.5-6)の磁気・輸送特性

△ [18a-223-4] スピン流熱電変換素子の磁性層としてのLa2NiMnO6

[18p-223-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18p-223-1] O3-NaCo1-xFexO2(x≦0.05)のFe-M結合長のx依存性

△ [18p-223-5] n型シリコン基板上の酸化タングステン極薄膜の5d軌道への電子蓄積

△ [18p-223-6] 遍歴強磁性体SrRuO3薄膜の軌道磁気モーメントの温度依存性

△ [18p-223-7] 異常原子価NdOエピタキシャル薄膜の強磁性と異常ホール効果

△ [18p-223-8] λ相Ti3O5エピタキシャル薄膜の合成及び物性評価

△ [18p-223-9] 重い電子系スピネルLiV2O4 の薄膜成長と電気化学的Li 挿入

△ [18p-223-10] (La1-xSrx)VO3/p-Si(100)の接合の作製と電気特性評価

△ [18p-223-11] VO2 フリースタンディングナノ細線を用いた静電引力歪み制御による電気伝導変調の結晶方位依存性解明

△ [18p-223-14] Li3PO4固体電解質/LiCoO2正極のガス吸着界面形成による電池特性変化

[20a-222-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [20a-222-1] 多結晶HfO2薄膜における酸素欠陥の凝集・拡散に関する理論的検討

△ [20a-222-2] TaOx界面層を用いたPt/Nb:SrTiO3接合の伝導特性制御

△ [20a-222-3] Pt/Nb:SrTiO3界面動作型抵抗変化メモリにおける抵抗変化領域の赤外線イメージング

△ [20a-222-4] Cu上部電極を用いたTa2O5-δ抵抗変化型多値メモリ特性の実現

△ [20a-222-5] Pt/TaOx/Ta2O5/Pt抵抗変化素子の直流および交流電気的特性の解析

△ [20a-222-6] パルス電圧を用いた電圧記録型メモリにおけるメモリ動作

△ [20a-222-7] Cu/MoOx/Al2O3 CBRAMの微小領域におけるフィラメント形状観察

△ [20a-222-8] 合成領域の微細化による高品質 MOF 結晶の選択成長

△ [20a-222-9] 化学状態の非破壊ナノイメージングを可能にする光電子顕微鏡開発

[21a-222-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [21a-222-1] 溶液塗布法によるガラス基板へのWO3薄膜の作製と特性評価

△ [21a-222-2] ZnO薄膜に対する重水素イオンビーム照射による巨大同位体効果の観測

▼ [21a-222-3] Formation of Al-Doped ZnO Nanotubes via Simultaneous Etching and Doping of H2O-oxidized ZnO Nanorods for Perovskite Solar Cells

▲ [21a-222-5] Synthesis and Characterization of Ga Doped ZnO 1-D Nanostructures by Using Advanced Spray Pyrolysis Deposition Technique at Different Spraying Angles

▲ [21a-222-11] Effect of Zr doping on the structural and optical properties of BiVO4

[19p-PB1-1~37] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19p-PB1-12] リチウム空気電池におけるORR触媒の理論設計

△ [19p-PB1-18] 機械的変形を利用した遷移金属酸化物の物性制御

△ [19p-PB1-28] Hf酸化物を用いた抵抗変化メモリの人工シナプス素子への応用検討

△ [19p-PB1-30] NbOx膜における閾値スイッチングのI-V特性評価

認証

△ [18a-223-1] トポタクテックフッ素ドープによるSr₂IrO_4-_xF_y薄膜の作成

△ [18a-223-2] Ti₄O₇薄膜の電子物性制御：膜厚依存性

△ [18a-223-3] ダブルペロブスカイト型GdBaCo₂O_x薄膜(x = 5.5-6)の磁気・輸送特性

△ [18a-223-4] スピン流熱電変換素子の磁性層としてのLa₂NiMnO₆

△ [18p-223-1] O3-NaCo_1-xFe_xO₂(x≦0.05)のFe-M結合長のx依存性

△ [18p-223-6] 遍歴強磁性体SrRuO₃薄膜の軌道磁気モーメントの温度依存性

△ [18p-223-8] λ相Ti₃O₅エピタキシャル薄膜の合成及び物性評価

△ [18p-223-9] 重い電子系スピネルLiV₂O₄ の薄膜成長と電気化学的Li 挿入

△ [18p-223-10] (La_1-xSr_x)VO₃/p-Si(100)の接合の作製と電気特性評価

△ [18p-223-11] VO₂フリースタンディングナノ細線を用いた静電引力歪み制御による電気伝導変調の結晶方位依存性解明

△ [18p-223-14] Li₃PO₄固体電解質/LiCoO₂正極のガス吸着界面形成による電池特性変化

△ [20a-222-1] 多結晶HfO₂薄膜における酸素欠陥の凝集・拡散に関する理論的検討

△ [20a-222-2] TaO_x界面層を用いたPt/Nb:SrTiO₃接合の伝導特性制御

△ [20a-222-3] Pt/Nb:SrTiO₃界面動作型抵抗変化メモリにおける抵抗変化領域の赤外線イメージング

△ [20a-222-4] Cu上部電極を用いたTa₂O₅_-δ抵抗変化型多値メモリ特性の実現

△ [20a-222-5] Pt/TaO_x/Ta₂O₅/Pt抵抗変化素子の直流および交流電気的特性の解析

△ [20a-222-7] Cu/MoO_x/Al₂O₃CBRAMの微小領域におけるフィラメント形状観察

▼ [21a-222-3] Formation of Al-Doped ZnO Nanotubes via Simultaneous Etching and Doping of H₂O-oxidized ZnO Nanorods for Perovskite Solar Cells

▲ [21a-222-11] Effect of Zr doping on the structural and optical properties of BiVO₄