09:00 〜 09:15
〇入田 賢1、小船 想士朗1、黒瀬 智洋1、早瀬 仁則1、Vasiljevic Natasa2 (1.東理大理工、2.Univ. of Bristol)
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
2019年9月19日(木) 09:00 〜 12:00 E304 (E304)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇入田 賢1、小船 想士朗1、黒瀬 智洋1、早瀬 仁則1、Vasiljevic Natasa2 (1.東理大理工、2.Univ. of Bristol)
09:15 〜 09:30
〇渡部 善幸1、加藤 睦人1、矢作 徹1、村山 裕紀1、九里 伸治2、吉田 賢一2、指田 和之2、新井 大輔2、池田 克弥2、池田 康亮2、竹森 俊之2 (1.山形工技セ、2.新電元)
09:30 〜 09:45
〇鈴木 克也1、佐々木 敬1、羽根 一博1 (1.東北大)
09:45 〜 10:00
〇柳 永シュン1、田中 宏幸1,2、古賀 和博2、根本 一正1、クンプアン ソマワン1,2、長尾 昌善1、松川 貴1、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ)
10:00 〜 10:15
〇村上 修一1、吉村 武2、金岡 祐介1、津田 和城1、細山 亮1、堀口 翔伍1、佐藤 和郎1、神田 健介3、藤村 紀文2 (1.大阪技術研、2.大阪府大工、3.兵庫県立大工)
10:15 〜 10:30
〇Mark TsoFu Chang1、Yu-An Chien1、Haochun Tang1、Chun-Yi Chen1、Daisuke Yamane1、Hiroyuki Ito1、Katsuyuki Machida1、Kazuya Masu1、Masato Sone1 (1.IIR Tokyo Tech)
10:30 〜 10:45
〇市川 崇志1、乙部 翔太1、渥美 賢1、古賀 達也1、山根 大輔1、飯田 慎一2、伊藤 浩之1、石原 昇1、町田 克之1、曽根 正人1、益 一哉1 (1.東京工業大学、2.NTT-AT)
10:45 〜 11:00
〇(M1)齊藤 正樹1、割澤 伸一1、米谷 玲皇1 (1.東大院新領域)
11:00 〜 11:15
弓削 英翔1、鈴木 大瑛1、〇佐々木 実1 (1.豊田工大)
11:15 〜 11:30
〇三輪 侑紀1、李 晟豪2、梁 芮1、熊原 宏征1、木野 久志3、福島 誉史2、田中 徹1,2 (1.東北大院医工、2.東北大院工、3.東北大学際研)
11:30 〜 11:45
〇(M2C)Rui Liang1、Sungho Lee1、Yuki Miwa1、Kousei Kumahara1、Hisashi Kino3、Takafumi Fukushima2、Tetsu Tanaka1,2 (1.BME of Tohoku Univ.、2.ME of Tohoku Univ.、3.FIRS of Tohoku Univ.)
11:45 〜 12:00
〇熊原 宏征1、三輪 侑紀1、李 晟豪2、梁 芮1、木野 久志3、福島 誉史1,2、田中 徹1,2 (1.東北大院医工、2.東北大院工、3.東北大学際研)
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