〇(D)YouJin Kim¹、 Shinya Konishi¹、 Yuichiro Hayasaka²、 Itsuhiro Kakeya³、 Katsuhisa Tanaka¹ (1.Department of Material Chemistry, Graduate School of Engineering, Kyoto Univ.、2.The Electronic Microscopy Center, Tohoku Univ.、3.Departement of Electronic Science and Engineering, Graduate School of Engineering ,Kyoto Univ.)

14:15 〜 14:30

△ [18p-E311-5] 希土類単酸化物CeOエピタキシャル薄膜のp型電気輸送特性

〇阿部展人¹、山本卓¹、齋藤大地¹、神永健一²、岡大地¹、福村知昭^1,2,3,4 (1.東北大院理、2.東北大WPI-AIMR & Core Research Cluster、3.東北大CSIS、4.東北大CSRN)

14:30 〜 14:45

△ [18p-E311-6] EuNbO_3-xN_x 薄膜における負の磁気抵抗効果

〇丸山敬裕¹、近松彰¹、廣瀬靖¹、片山司¹、長谷川哲也¹ (1.東大院理)

14:45 〜 15:00

△ [18p-E311-7] 新高温強磁性半導体：希土類単酸化物GdO

〇(M2)山本卓¹、神永健一²、斎藤大地¹、岡大地¹、福村知昭^1,2,3 (1.東北大院理、2.東北大WPI-AIMR ＆ Core Research Cluster、3.東北大CSIS・CSRN)

15:00 〜 15:15

△ [18p-E311-8] エピタキシャル酸化物界面におけるスピン流の検出

〇(M2)寺林真輝¹、関真一郎^2,3、高木里奈^2,3、中村優男²、川﨑雅司^2,3、石橋幸治²、齋藤智彦¹、松野丈夫^2,4,5 (1.東理大理、2.理研 CEMS、3.東大工、4.阪大理、5.JSTさきがけ)

15:30 〜 15:45

[18p-E311-9] LaO/EuOヘテロエピタキシャル薄膜のスピンホール磁気抵抗

〇神永健一¹、岡大地²、岡博文¹、福村知昭^1,2,3,4 (1.東北大WPI-AIMR、2.東北大院理、3.東北大CSIS、4.東北大CSRN)

15:45 〜 16:00

[18p-E311-10] 六方晶窒化ホウ素上のVO₂における抵抗跳躍の電極間距離依存性

〇玄地真悟¹、山本真人¹、神吉輝夫¹、渡邊賢司²、谷口尚²、田中秀和¹ (1.阪大産研、2.物材機構)

16:00 〜 16:15

[18p-E311-11] VO₂/TiO₂:Nb接合界面を活用したVO₂薄膜の仕事関数の評価

〇村岡祐治¹、壽賀友貴²、脇田高徳¹、横谷尚睦¹ (1.岡山大基礎研、2.岡山大院自然科学)

16:15 〜 16:30

[18p-E311-12] VO₂モットトランジスタにおける微細化の影響

〇矢嶋赳彬^1,2、佐俣勇祐¹、西村知紀¹、田中貴久¹、内田建¹、鳥海明¹ (1.東大、2.JSTさきがけ)

16:30 〜 16:45

[18p-E311-13] 透明Li_1−xNbO₂薄膜におけるシングルバンド二次元ホール超伝導

〇(D)相馬拓人¹、吉松公平¹、堀場弘司^2,3、組頭広志^2,3、大友明^1,3 (1.東工大物質理工学院、2.KEK-PF、3.元素戦略)

16:45 〜 17:00

[18p-E311-14] 傾斜格子歪み希土類鉄ガーネットにおけるフレクソ分極とフェリ磁性の共存

〇山原弘靖¹、 Sarker Md. Shamim¹、関宗俊¹、長康雄²、田畑仁¹ (1.東大院工、2.東北大通研)

17:00 〜 17:15

[18p-E311-15] キャッピング層によるSrTiO₃界面の電気伝導度制御

〇李智蓮¹、リップマーミック¹ (1.東大物性研)

17:15 〜 17:30

[18p-E311-16] NdNiO₃ナノ細線における金属-絶縁体相転移特性の歪み効果

〇山中天志¹、服部梓¹、田中秀和¹ (1.阪大産研)

17:30 〜 17:45

[18p-E311-17] パルスレーザー堆積法を用いたYbFe₂O₄/Fe₃O₄積層膜の作製

平岡恭也¹、寺地勇博¹、岡本卓也¹、山田隼平¹、〇岩田展幸¹ (1.日本大学理工学部)

17:45 〜 18:00

[18p-E311-18] LaFeO₃/CaFeO_x人工超格子および積層膜のCaFeOxの酸化度およびLaFeO₃膜厚が磁気特性に与える影響

岡本卓也¹、平岡恭也¹、寺地勇博¹、坂本洸大¹、〇岩田展幸¹ (1.日本大学理工学部)

一般セッション(口頭講演)

[19a-E311-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年9月19日(木) 09:30 〜 11:45 E311 (E311)

奈良安雄(兵庫県立大学)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:30 〜 09:45

△ [19a-E311-1] 紫外レーザ照射によるYO_xH_yエピタキシャル薄膜の可逆的な絶縁体-金属転移

〇(M2)小松遊矢¹、清水亮太^1,2、西尾和記¹、宮内雅浩¹、ビルデマーカス³、福谷克之³、一杉太郎¹ (1.東工大物質理工、2.JSTさきがけ、3.東大生産研)

09:45 〜 10:00

△ [19a-E311-2] Nanogap-IL-FET構造を用いた酸素欠陥及びキャリア密度の変調による金属酸化物薄膜の導電性制御

〇酒井貴弘¹、木下健太郎¹ (1.東理大理)

10:00 〜 10:15

[19a-E311-3] CoO/ITO二層構造で発現するノンポーラ閾値セレクタ特性

〇齋藤修平¹、木下健太郎¹ (1.東理大理)

10:15 〜 10:30

[19a-E311-4] HfO₂を用いたチャージトラップメモリのアナログ動作に対するPDA効果

〇吉仲泰萌¹、大西寿仁¹、奈良安雄¹ (1.兵庫県立大工)

10:45 〜 11:00

△ [19a-E311-5] アモルファスMoO_3-x並びにW_yMo_1-yO_3-x薄膜の光学特性と誘電関数

〇(M1)長命翔太¹、帶刀理沙¹、賈軍軍²、柏木誠¹、重里有三¹ (1.青学大理工、2.早大国際理工)

11:00 〜 11:15

▲ [19a-E311-6] Highly reversible Li-ion (de)intercalation to metastable β-MoO₃

〇(M1)Shuxin Zhang¹、 Takuto Soma¹、 Tatsuya Yajima¹、 Akira Ohtomo^1,2 (1.Tokyo Tech.、2.MCES)

11:15 〜 11:30

▲ [19a-E311-7] Fabrication of CoMnGaO₄ thin films with phase separated-structure

〇(M2)Jiaxin Chen¹、 Munetoshi Seki¹、 Hitoshi Tabata¹ (1.Univ. Tokyo)

11:30 〜 11:45

[19a-E311-8] チタンドープ二酸化バナジウム薄膜の構造解析

〇河原正美¹、内田貴司²、ヴァンニュハイ²、藤城雄飛²、高橋静香¹、佐村剛¹、立木隆² (1.高純度化学研、2.防衛大電気電子)

一般セッション(口頭講演)

[19p-E311-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年9月19日(木) 13:15 〜 17:00 E311 (E311)

島久(産総研)、鶴岡徹(物材機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:15 〜 13:30

[19p-E311-1] メモリ層にイオン液体を用いた導電性ブリッジメモリの高速動作

〇佐藤洋士^1,2、木下健太郎¹、本間祐晟²、島久²、内藤泰久²、秋永広幸²、伊藤敏幸³ (1.東理大理、2.産総研、3.鳥取大)

13:30 〜 13:45

[19p-E311-2] 導電性ブリッジメモリにおけるナノポイントコンタクト形成機構の解明

〇福本紳智¹、木下健太郎¹ (1.東理大理)

13:45 〜 14:00

△ [19p-E311-3] CBRAM抵抗変化に伴う電気化学パラメ-タ変化のインピーダンス解析

〇川並将太朗¹、五十嵐聡人¹、木下健太郎¹ (1.東理大理)

14:00 〜 14:15

△ [19p-E311-4] Point Contact Spectroscopyによる硫化物原子スイッチの動作機構の解明

〇(D)相場諒¹、小泉凌太¹、金子哲¹、木口学¹ (1.東工大)

14:15 〜 14:30

[19p-E311-5] 連続パルス電圧印加による ReRAM 抵抗変化推移のレーザー励起光電子顕微鏡観察

〇(M2)奥田裕司^1,2,3、川北純平^2,3、谷内敏之^2,3、島久^2,4、清水敦史^1,4、内藤泰久^2,4、木下健太郎¹、秋永広幸^2,4、辛埴^2,3 (1.東理大理、2.産総研・東大 OIL、3.東大物性研、4.産総研ナノエレ)

14:30 〜 14:45

△ [19p-E311-6] Pt/TaO_x/Ta₂O₅/Pt素子における2種類のバイポーラ型抵抗変化の遷移過程で見られるアナログ抵抗変化

〇(M2)宮谷俊輝¹、西佑介¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

14:45 〜 15:00

△ [19p-E311-7] PtまたはTiN下部電極上の遷移金属酸化物の結晶性および抵抗変化特性

〇山田和尚¹、西佑介¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

15:00 〜 15:15

△ [19p-E311-8] Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnO_x/Pt素子における界面型抵抗変化現象の解析

〇金上尚毅¹、西佑介¹、木本恒暢¹ (1.京大院工)

15:30 〜 15:45

△ [19p-E311-9] ITO, IZO, AZOを用いたガスバリア膜特性の評価

〇(M1)對馬圭佑¹、柏木誠¹、賈軍軍²、小野大祐³、松中繁樹³、重里有三¹ (1.青学大院、2.早大国際理工学センター、3.芝浦メカトロニクス)

15:45 〜 16:00

▲ [19p-E311-10] Persistent Photoconductive Characteristic of ZnO Polycrystalline films

〇(D)Suchada Worasawat^1,2、 Yoichiro Neo²、 Yoshinori Hatanaka²、 Wisanu Pecharapa³、 Hidenori Mimura² (1.GSST, Shizuoka Univ.、2.RIE, Shizuoka Univ.、3.College of Nanotechology, KMITL)

16:00 〜 16:15

▲ [19p-E311-11] Photo-induced super-hydrophilic anatase thin film fabricated via electrospray deposition from molecular precursor solution onto a quartz glass substrate

〇(D)Natangue Heita Shafudah¹、 Hiroki Nagai²、 Yukihiro Kudoh³、 Taiju Takahashi⁴、 Mitsunobu Sato⁵ (1.Appl Chem Chem Eng、2.Appl Phys、3.Infor and commu Eng、4.Inform and commu Eng、5.Apply Phys)

16:15 〜 16:30

▲ [19p-E311-12] Electron and heat transports of oxygen deficient WO_x (2.83 < x < 3) epitaxial films

〇(DC)GOWOON KIM¹、 Hai Jun Cho¹、 Bin Feng²、 Yuichi Ikuhara²、 Hiromichi Ohta¹ (1.Hokkaido Univ.、2.Univ. Tokyo)

16:30 〜 16:45

[19p-E311-13] 液体原料（GaCp*）を用いた高純度Ga₂O₃薄膜の原子層堆積

〇水谷文一¹、東慎太郎¹、井上万里²、生田目俊秀² (1.高純度化学研究所、2.NIMS)

16:45 〜 17:00

[19p-E311-14] ドロップ蒸発法によって作製したMg(OH)₂透明薄膜

〇(M1)リトウ¹、市村正也¹ (1.名工大工)

一般セッション(口頭講演)

[21p-N302-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年9月21日(土) 13:15 〜 16:00 N302 (N302)

島久(産総研)、野田啓(慶大)、木下健太郎(東理大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:30

[21p-N302-1] 可視光照射下での酸化鉄ナノチューブアレイ/酸化銅複合体における気相光触媒水素生成

〇(D)柵木光¹、 Shivaji B. Sadale²、野田啓¹ (1.慶大理工、2.シバジ大学)

13:30 〜 13:45

▲ [21p-N302-2] Peering into Carrier Transport Mechanism of Anatase/Rutile Core/Shell TiO₂ NFs Photocatalysts by Photo-Kelvin Probe Force Microscopy

〇YinHsuan Chang¹、 Kai-Chi Hsiao¹、 Krisztian Kordas²、 Ming-Chung Wu¹ (1.Chang Gung Univ.、2.University of Oulu)

13:45 〜 14:00

[21p-N302-3] 結晶面方位を制御したCaTaO₂N薄膜へのCoO_xの光析出と光電極特性への影響

〇若杉択人¹、廣瀬靖¹、熊谷啓²、前田和彦²、長谷川哲也¹ (1.東大院理、2.東工大)

14:00 〜 14:15

[21p-N302-4] 電気化学堆積法による酸化鉄薄膜太陽電池の作製

〇(M1)高柳遼平¹、市村正也¹、小林悟史¹ (1.名工大工)

14:15 〜 14:30

[21p-N302-5] 電気化学堆積法によるZnO/Co₃O₄へテロ接合の作製

〇(M1)冨田悠月¹、市村正也¹ (1.名工大工)

14:45 〜 15:00

[21p-N302-6] 原子層堆積法によるリン酸マグネシウム固体電解質膜の作製

〇鶴岡徹¹、蘇進¹、辻田卓司²、西谷雄²、濱村朋史²、稲富友²、名倉健祐²、寺部一弥¹ (1.物材機構、2.パナソニック(株))

15:00 〜 15:15

△ [21p-N302-7] 新規酸水素化ランタンLaH_3−2xO_xの合成と高ヒドリドイオン伝導

〇(D)福井慧賀¹、飯村壮史¹、多田朋史¹、藤津悟¹、笹瀬雅人¹、玉造博夢²、本田孝志²、池田一貴²、大友季哉²、細野秀雄¹ (1.東工大、2.高エネ研)

15:15 〜 15:30

△ [21p-N302-8] ルチル型NbドープTiO₂エピタキシャル薄膜モデル電極を用いた全固体Li電池における電池特性: 電極結晶方位依存性

〇(M1)今関大輔¹、 Christopher van Gils³、西尾和記¹、清水亮太^1,2、一杉太郎¹ (1.東工大物質理工、2.JST さきがけ、3.University of Twente)

15:30 〜 15:45

[21p-N302-9] 界面エンジニアリングによる全固体Li電池動作の実現：LaAlO₃挿入による5 V級LiNi_0.5Mn_1.5O₄正極/Nb:SrTiO₃集電体界面抵抗低減

〇西尾和記¹、今関大輔¹、清水亮太^1,2、一杉太郎¹ (1.東工大物質理工、2.さきがけ)

15:45 〜 16:00

[21p-N302-10] 金属／Liイオン伝導性固体電解質界面における空間電荷層の可視化

〇山本和生¹ (1.JFCC)

一般セッション(ポスター講演)

[21a-PA2-1~31] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2019年9月21日(土) 09:30 〜 11:30 PA2 (第一体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[21a-PA2-1] GdBaCo₂O_5.5膜の強磁性-反強磁性転移の異方性制御

〇片山司¹、近松彰¹、 Zhang Yujun²、和達大樹²、眞柄健斗¹、長谷川哲也¹ (1.東大院理、2.兵庫県立大)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-2] フレキシブル単結晶VO₂細線における歪み効果の温度依存性解明

〇遠藤史也¹、神吉輝夫¹、 Luca Pellegrino²、 Nicola Manca³、 Daniele Marre^2,3、田中秀和¹ (1.阪大産研、2.CNR-SPIN、3.Genova Univ.)

09:30 〜 11:30

▲ [21a-PA2-3] Film thickness variation mediated interfacial strain crossover in epitaxial VO₂ films

〇(P)Dooyong Lee^1,2、 Sehwan Song¹、 Jiwoong Kim¹、 Sungkyun Park¹ (1.Pusan National University、2.Institute for Molecular Science)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-4] NiFe/IrO₂界面における電流-スピン流変換効率

〇(M1)森内直輝¹、福島健太¹、木田孝則²、萩原政幸²、上田浩平¹、松野丈夫¹ (1.阪大理、2.阪大先端強磁場)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-5] Y₃Fe₅O₁₂/IrO₂界面におけるスピン流物性

〇(M1)福島健太¹、森内直輝¹、木田孝則²、萩原政幸²、上田浩平¹、松野丈夫¹ (1.阪大理、2.阪大先端強磁場)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-6] YbFe₂O₄エピタキシャル薄膜の組成制御と電気・磁気・光学特性におよぼす影響

〇(M2)田中淳平¹、三浦光平¹、桐谷乃輔¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-7] 非対称2端子電極を有するReNiO₃プロトン駆動抵抗変調デバイスの作製と
そのスイッチング特性

〇野中信¹、 Umar Sidik¹、服部梓¹、田中秀和¹ (1.阪大産研)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-8] 電子強誘電体YbFe₂O₄薄膜のエピタキシャル成長過程におよぼす下部電極の影響

〇嶋本健人¹、三浦光平¹、田中淳平¹、桐谷乃輔¹、吉村武¹、芦田淳¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

09:30 〜 11:30

△ [21a-PA2-9] LSAT 基板上にMBE 成長したWO₃薄膜の構造評価

〇中村領太¹、水野樹生¹、小池一歩¹、矢野満明¹、稲葉克彦²、小林信太郎² (1.大阪工大ナノ材研、2.リガクX線研究所)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-10] 超高圧下におけるα-Al₂O₃単結晶基板と圧媒体中に含まれる水の表面反応

〇(D)笹原悠輝¹、金谷航葵¹、松久将之¹、和田雄二¹、清水亮太^1,2、西山宣正³、一杉太郎¹ (1.東工大物質理工、2.JSTさきがけ、3.東工大フロンティア)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-11] RFスパッタを用いたVO₂の成膜及び温度による光学特性の評価

〇金胄男^1,2、江尻拓斗¹、杉山睦^1,2 (1.東京理科大学、2.東京理科大学総研)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-12] ミスト化学気相成長法によるCu₂Oエピタキシャル薄膜の合成

〇岡大地¹、福村知昭^1,2 (1.東北大理、2.東北大AIMR & CRC)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-13] SrFeO_3-x薄膜のナノスケールトポタクティック酸化還元における基板の効果

〇廣瀬靖¹、田中駿也¹、長谷川哲也¹ (1.東大院理)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-14] ZnOナノロッド/glass上へVO₂薄膜成長及び光学特性(Ⅲ)

〇福住達郎¹、沖村邦雄²、山口巌³、土屋哲男³ (1.東海大院工、2.東海大工、3.産総研)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-15] 積層型VO₂デバイスのシミュレーションモデル作製と協調発振現象への適用

〇戸部龍太¹、沖村邦雄²、ミヤモハメッド　シュルズ² (1.東海大院工、2.東海大工)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-16] Pt/Ti_0.99Sc_0.01O_2-_d/Ptクロスポイント構造膜の脳型的な抵抗変化特性

藤田健史¹、川村欣也¹、山田庸公¹、湯川龍²、堀場弘司²、組頭広志²、〇樋口透¹ (1.東理大理、2.高エネ研)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-17] NiO/ Al₂O₃上におけるVO₂薄膜の電子構造と金属-絶縁体転移の制御

今川雄洋¹、及川純平¹、山田庸公¹、湯川龍²、堀場弘司²、組頭広志^2,3、〇樋口透¹ (1.東理大理、2.高エネ研、3.東北大)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-18] 分子膜ギャップ型原子スイッチを用いた安定的かつ連続的な多値抵抗変化

〇(M2)葛西亜衣¹、長谷川剛¹ (1.早大先進理工)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-19] 湿式, 乾式成膜によるTa₂O₅薄膜を用いた抵抗変化型素子の作製と比較

〇(B)小牧秀和¹、番貴彦¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-20] 塗布法による酸化亜鉛透明導電膜の抵抗率改善

〇野尻拓見¹、大谷直毅¹ (1.同志社大理工)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-21] マグネトロンスパッタ法によるAZO薄膜へのZn添加方法の検討

〇清水英彦¹、岩野春男¹、川上貴浩¹、福嶋康夫¹、永田向太郎¹ (1.新潟大工)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-22] スパッタ成膜後のその場アニールによるglass基板上AlドープZnO薄膜の特性改善効果

〇諏訪翁紀¹、中村忠¹、沖村邦雄¹ (1.東海大院工)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-23] Fe添加量によるNFO薄膜の物性変化

〇(M2)平野雅也¹、別府海渡¹、森田廣¹ (1.山口東理大)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-24] 低ダメージマグネトロンスパッタ法で成膜したn形酸化物半導体薄膜を用いるCu₂O系ヘテロ接合太陽電池の作製

〇徳永浩己¹、宮田俊弘¹、南内嗣¹ (1.金沢工大)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-25] 積層インターディジット構造を有する酸化チタン-ポリアニリン3D蓄電池の充放電特性

〇(M1)幸森雄三¹、秋好恭兵¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹、小ヶ口晃² (1.鹿児島大院、2.ジョイソン・セイフティ・システムズ・ジャパン)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-26] Cu₂o担持したTio₂ナノ構造体における気相メタノール光触媒分解

〇五藤隼登¹、柵木光¹、野田啓¹ (1.慶應大・理工)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-27] Fe₂O₃で増感したWO₃ナノファイバの光充放電特性

〇(M1C)田口和樹¹、松田拓也¹、隈元大登¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹ (1.鹿児島大院　理工)

09:30 〜 11:30

▲ [21a-PA2-28] Recombination Mechanism in BiVO4 Photocatalyst Studied by Photoluminescence

〇(D)ABDELLAOUI imane IMANE¹、 Kazuya Tajima¹、 Takato kawagushi²、 Shigeru Ikeda²、 Mohamed Monirul Islam¹、 Takeaki Sakurai¹ (1.Tsukuba Univ、2.Konan Univ)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-29] シリコン切粉-黒鉛シート複合体を用いたリチウムイオン電池負極の創製―サイクル特性のバインダー・黒鉛シートサイズ依存性

〇崔載英¹、松本健俊¹、小林光¹ (1.阪大産研)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-30] 5V級正極材料薄膜の作製とその電気化学評価

〇白木将¹ (1.日工大)

09:30 〜 11:30

[21a-PA2-31] 電気二重層をゲートとしたInGaZnOトランジスタ用のアモルファス固体電解質膜の作製と評価

〇藤本康平¹、浅野哲也¹、藤井茉美¹、 Juan Paolo Bermundo¹、石河泰明¹、浦岡行治¹、足立秀明¹ (1.奈良先端大)

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6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18a-E311-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[18p-E311-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [18p-E311-1] ペロブスカイト型La2FeCoO6人工超格子薄膜の作製

△ [18p-E311-2] PLD法による層状岩塩型LiVO2とスピネル型LiV2O4の選択的薄膜成長

△ [18p-E311-3] 固相エピタキシャル成長Ca2RuO4薄膜における電流依存金属絶縁体転移の観測

▼ [18p-E311-4] Electrical Transport and Magnetic Properties of LuFe2O4 Epitaxial Thin Films

△ [18p-E311-5] 希土類単酸化物CeOエピタキシャル薄膜のp型電気輸送特性

△ [18p-E311-6] EuNbO3-xNx 薄膜における負の磁気抵抗効果

△ [18p-E311-7] 新高温強磁性半導体：希土類単酸化物GdO

△ [18p-E311-8] エピタキシャル酸化物界面におけるスピン流の検出

[19a-E311-1~8] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19a-E311-1] 紫外レーザ照射によるYOxHyエピタキシャル薄膜の可逆的な絶縁体-金属転移

△ [19a-E311-2] Nanogap-IL-FET構造を用いた酸素欠陥及びキャリア密度の変調による金属酸化物薄膜の導電性制御

△ [19a-E311-5] アモルファスMoO3-x並びにWyMo1-yO3-x薄膜の光学特性と誘電関数

▲ [19a-E311-6] Highly reversible Li-ion (de)intercalation to metastable β-MoO3

▲ [19a-E311-7] Fabrication of CoMnGaO4 thin films with phase separated-structure

[19p-E311-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19p-E311-3] CBRAM抵抗変化に伴う電気化学パラメ-タ変化のインピーダンス解析

△ [19p-E311-4] Point Contact Spectroscopyによる硫化物原子スイッチの動作機構の解明

△ [19p-E311-6] Pt/TaOx/Ta2O5/Pt素子における2種類のバイポーラ型抵抗変化の遷移過程で見られるアナログ抵抗変化

△ [19p-E311-7] PtまたはTiN下部電極上の遷移金属酸化物の結晶性および抵抗変化特性

△ [19p-E311-8] Ti/Pr0.7Ca0.3MnOx/Pt素子における界面型抵抗変化現象の解析

△ [19p-E311-9] ITO, IZO, AZOを用いたガスバリア膜特性の評価

▲ [19p-E311-10] Persistent Photoconductive Characteristic of ZnO Polycrystalline films

▲ [19p-E311-11] Photo-induced super-hydrophilic anatase thin film fabricated via electrospray deposition from molecular precursor solution onto a quartz glass substrate

▲ [19p-E311-12] Electron and heat transports of oxygen deficient WOx (2.83 < x < 3) epitaxial films

[21p-N302-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [21p-N302-2] Peering into Carrier Transport Mechanism of Anatase/Rutile Core/Shell TiO2 NFs Photocatalysts by Photo-Kelvin Probe Force Microscopy

△ [21p-N302-7] 新規酸水素化ランタンLaH3−2xOxの合成と高ヒドリドイオン伝導

△ [21p-N302-8] ルチル型NbドープTiO2エピタキシャル薄膜モデル電極を用いた全固体Li電池における電池特性: 電極結晶方位依存性

[21a-PA2-1~31] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [21a-PA2-3] Film thickness variation mediated interfacial strain crossover in epitaxial VO2 films

△ [21a-PA2-9] LSAT 基板上にMBE 成長したWO3 薄膜の構造評価

▲ [21a-PA2-28] Recombination Mechanism in BiVO4 Photocatalyst Studied by Photoluminescence

認証

△ [18p-E311-1] ペロブスカイト型La₂FeCoO₆人工超格子薄膜の作製

△ [18p-E311-2] PLD法による層状岩塩型LiVO₂とスピネル型LiV₂O₄の選択的薄膜成長

△ [18p-E311-3] 固相エピタキシャル成長Ca₂RuO₄薄膜における電流依存金属絶縁体転移の観測

▼ [18p-E311-4] Electrical Transport and Magnetic Properties of LuFe₂O₄ Epitaxial Thin Films

△ [18p-E311-6] EuNbO_3-xN_x 薄膜における負の磁気抵抗効果

△ [19a-E311-1] 紫外レーザ照射によるYO_xH_yエピタキシャル薄膜の可逆的な絶縁体-金属転移

△ [19a-E311-5] アモルファスMoO_3-x並びにW_yMo_1-yO_3-x薄膜の光学特性と誘電関数

▲ [19a-E311-6] Highly reversible Li-ion (de)intercalation to metastable β-MoO₃

▲ [19a-E311-7] Fabrication of CoMnGaO₄ thin films with phase separated-structure

△ [19p-E311-6] Pt/TaO_x/Ta₂O₅/Pt素子における2種類のバイポーラ型抵抗変化の遷移過程で見られるアナログ抵抗変化

△ [19p-E311-8] Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnO_x/Pt素子における界面型抵抗変化現象の解析

▲ [19p-E311-12] Electron and heat transports of oxygen deficient WO_x (2.83 < x < 3) epitaxial films

▲ [21p-N302-2] Peering into Carrier Transport Mechanism of Anatase/Rutile Core/Shell TiO₂ NFs Photocatalysts by Photo-Kelvin Probe Force Microscopy

△ [21p-N302-7] 新規酸水素化ランタンLaH_3−2xO_xの合成と高ヒドリドイオン伝導

△ [21p-N302-8] ルチル型NbドープTiO₂エピタキシャル薄膜モデル電極を用いた全固体Li電池における電池特性: 電極結晶方位依存性

▲ [21a-PA2-3] Film thickness variation mediated interfacial strain crossover in epitaxial VO₂ films

△ [21a-PA2-9] LSAT 基板上にMBE 成長したWO₃薄膜の構造評価