一般セッション(口頭講演)

[18a-E317-1~10] 9.1 誘電材料・誘電体

2019年9月18日(水) 09:00 〜 11:45 E317 (E317)

坂本渉(中部大)、森本貴明(防衛大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[18a-E317-1] 粒界絶縁型構造を持つCaTiO₃/Ti複合誘電材料の低温作製

〇(M1)伊勢呂早希¹、上野慎太郎¹、藤井一郎¹、大槻史朗²、古川正仁²、和田智志¹ (1.山梨大学、2.TDK(株))

09:15 〜 09:30

[18a-E317-2] ソルボサーマル固化法による非鉛圧電体ナノ粒子へのBaTiO₃エピタキシャル層作製条件の最適化

〇萱沼龍生¹、上野慎太郎¹、藤井一郎¹、和田智志¹、大槻史朗²、古川正仁² (1.山梨大工、2.TDK(株))

09:30 〜 09:45

[18a-E317-3] 高容量キャパシタに向けた三次元誘電体エピタキシャル層を含むペロブスカイト型複合セラミックスの水熱法による作製

〇(M1)大島佑友¹、上野慎太郎¹、藤井一郎¹、和田智志¹ (1.山梨大工)

09:45 〜 10:00

[18a-E317-4] ニオブ酸ナトリウムナノキューブの
マイクロ波加熱ソルボサーマル合成と集積化に向けた分散液の調製

〇(M1C)長田和希¹、上野慎太郎¹、近田司¹、藤井一郎¹、和田智志¹ (1.山梨大学)

10:00 〜 10:15

[18a-E317-5] 共沈法によるアモルファスBiFeO₃の合成と一軸加圧による誘電体材料の作製

〇坂本彩斗¹、上野慎太郎¹、藤井一郎¹、和田智志¹ (1.山梨大工)

10:30 〜 10:45

[18a-E317-6] 水素結合型強誘電体の転写成膜とキャラクタリゼーション

〇(M1)渡辺寛也¹、市川結¹ (1.信州大繊)

10:45 〜 11:00

[18a-E317-7] 固相結晶育成法による高性能Bi系圧電単結晶作成のための粒成長最適条件の検討

〇(M1)廣瀬美那子¹、藤井一郎¹、上野慎太郎¹、和田智志¹ (1.山梨大学)

11:00 〜 11:15

[18a-E317-8] Bi添加KNNセラミックにおけるAサイト不足による焼結性の改善

〇森本貴明¹、松山繁裕¹、石井啓介¹ (1.防衛大)

11:15 〜 11:30

[18a-E317-9] (Bi_0.5Na_0.5)TiO₃固溶体系セラミックスの誘電特性と格子歪みに対する急冷の効果

〇高木優香¹、永田肇¹、竹中正¹ (1.東理大理工)

11:30 〜 11:45

[18a-E317-10] 0.4Bi_0.5K_0.5TiO₃-0.6BiFeO₃系強誘電体の強誘電特性、結晶・電子構造に及ぼす焼結助剤添加およびMo, W置換効果

井手本康¹、〇河本剛¹、石田直哉¹、北村尚斗¹ (1.東理大理工)

一般セッション(口頭講演)

[18p-E317-1~11] 9.1 誘電材料・誘電体

2019年9月18日(水) 13:15 〜 16:30 E317 (E317)

和田智志(山梨大)、上野慎太郎(山梨大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:15 〜 13:30

[18p-E317-1] 焼成雰囲気を変化させて作製したMnドープNaNbO₃-BaTiO₃セラミックスの電気的特性

籔内直人¹、市原若奈²、林幸壱朗³、余語利信¹、〇坂本渉² (1.名大未来研、2.中部大工、3.九大院歯)

13:30 〜 13:45

[18p-E317-2] (Bi_1/2Na_1/2)TiO₃系ペロブスカイト構造の圧力誘起相転移

〇北中佑樹¹、野口祐二¹、宮山勝¹ (1.東京大学)

13:45 〜 14:00

△ [18p-E317-3] 自立構造のスパッタエピタキシャルPbTiO₃薄片の共振特性と温度特性

〇松田友佳^1,2、柳谷隆彦^1,2,3 (1.早大先進理工、2.材研、3.JSTさきがけ)

14:00 〜 14:15

△ [18p-E317-4] YbAlN圧電薄膜のUHF帯における電気機械結合係数k_t²の増幅

〇(M1)木原流唯^1,2、柳谷隆彦^1,2,3 (1.早大先進理工、2.材研、3.JSTさきがけ)

14:15 〜 14:30

△ [18p-E317-5] レクテナ昇圧素子に向けた傾斜反転ScAlN圧電薄膜HBAR型トランス

〇(M1)木下紗里那^1,2、柳谷隆彦^1,2,3 (1.早大先進理工、2.材研、3.JSTさきがけ)

14:45 〜 15:00

[18p-E317-6] 複屈折イメージング法による量子常誘電体SrTiO₃の誘電分布状態の評価

〇真中浩貴¹、興梠彰太¹、三浦陽子² (1.鹿大院理工、2.鈴鹿高専)

15:00 〜 15:15

[18p-E317-7] 複屈折変調イメージング法による透明強誘電体の分極ドメイン観察

〇(D)上村洋平¹、松岡悟志¹、堤潤也²、堀内佐智雄²、荒井俊人¹、長谷川達生¹ (1.東大院工、2.産総研)

15:15 〜 15:30

[18p-E317-8] TmFe₂O₄への電場印加に伴う鉄イオン間の電荷移動：STEM-EELSによる直接観察

〇小西伸弥¹、大多亮²、有馬孝尚³、田中勝久¹ (1.京大院工、2.北大院工、3.東大新領域)

15:30 〜 15:45

[18p-E317-9] ナノコンポジットエポキシ樹脂の電気絶縁特性

〇馬渕貴裕¹、殷暁紅¹、三村研史¹ (1.三菱電機(株))

16:00 〜 16:15

[18p-E317-10] 正方晶タングステンブロンズ型 K₂RNb₅O₁₅（R：希土類）における反極性構造と電界下誘電特性

〇村田智城¹、赤松寛文²、平井大介¹、大場史康³、廣瀬左京¹ (1.村田製作所、2.九州大学、3.東京工業大学)

16:15 〜 16:30

[18p-E317-11] (Pb,La)(Zr,Ti)O₃セラミックスの正と負の電気熱量効果

〇真岩宏司¹ (1.湘南工大工)

一般セッション(ポスター講演)

[19a-PB1-1~11] 9.1 誘電材料・誘電体

2019年9月19日(木) 09:30 〜 11:30 PB1 (第二体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[19a-PB1-1] 第一原理計算によるMg,Nb共添加AlNの圧電特性評価

〇森雄登¹、平田研二²、 Anggraini Sri Ayu²、秋山守人²、上原雅人^1,2、山田浩志^1,2 (1.九大総理工、2.産総研)

09:30 〜 11:30

[19a-PB1-2] Mg+Me(Me=Cr,Mo,W)添加AlNにおける圧電定数の第一原理計算

〇平田研二¹、山田浩志¹、 Anggraini Sri Ayu¹、上原雅人¹、秋山守人¹ (1.産総研)

09:30 〜 11:30

[19a-PB1-3] c軸配向したYb_xAl_1-xN圧電薄膜のXRDによる結晶構造解析

〇天野雄貴¹、上原雅人^1,2、 Anggraini Sri Ayu²、平田研二²、山田浩志^1,2、秋山守人² (1.九大総理工、2.産総研)

09:30 〜 11:30

▲ [19a-PB1-4] Effect of MgTa addition on the piezoelectric response of aluminum nitride thin films

〇Sri Ayu Anggraini¹、 Masato Uehara¹、 Kenji Hirata¹、 Hiroshi Yamada¹、 Morito Akiyama¹ (1.AIST)

09:30 〜 11:30

[19a-PB1-5] 静電気力顕微鏡によるZnOナノ粒子の比誘電率サイズ依存性と周波数依存性の測定

〇山本達也¹、和泉遼¹、内藤賀公¹、李艶君¹、菅原康弘¹ (1.阪大工)

09:30 〜 11:30

[19a-PB1-6] プロトン伝導体CsHSO₄のラマン分光から見た中間相

〇寺西亮太朗¹、松本芳幸¹ (1.近畿大総理研)

09:30 〜 11:30

[19a-PB1-7] マイクロ波誘電体への応用に向けたアモルファスTiO₂-ZrO₂固溶体のゾル－ゲル法による作製

〇(M1C)趙良宵¹、上野慎太郎¹、藤井一郎¹、和田智志¹ (1.山梨大学)

09:30 〜 11:30

[19a-PB1-8] レーザー加熱FZ法による高圧窒素下におけるCr₂Nバルク単結晶の育成

〇阪口良一¹、田中功¹、綿打敏司¹、長尾雅則¹、丸山裕樹¹、丸山恵李佳²、進藤勇² (1.山梨大学、2.クリスタルシステム)

09:30 〜 11:30

[19a-PB1-9] Bi_0.5K_0.5TiO₃-BiFeO₃-K(Nb_0.5Ta_0.5)O₃系強誘電体の強誘電特性、結晶・電子構造に及ぼす他元素置換の効果

〇真家純一郎¹、石田直哉¹、北村尚斗¹、井手本康¹ (1.東理大理工)

09:30 〜 11:30

[19a-PB1-10] Mn添加した(Bi_0.5Na_0.5)TiO₃系セラミックスの脱分極温度に対する急冷効果

〇江口浩太郎¹、髙木優香¹、永田肇¹、竹中正¹ (1.東理大理工)

09:30 〜 11:30

[19a-PB1-11] (Bi_0.5Na_0.5)TiO₃-ZnO複合体セラミックスの脱分極温度に対する急冷効果

〇板倉佑宇人¹、高木優香¹、永田肇¹、竹中正¹ (1.東理大院理工研電工)

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9 応用物性 » 9.1 誘電材料・誘電体

[18a-E317-1~10] 9.1 誘電材料・誘電体

[18a-E317-1] 粒界絶縁型構造を持つCaTiO₃/Ti複合誘電材料の低温作製

[18a-E317-2] ソルボサーマル固化法による非鉛圧電体ナノ粒子へのBaTiO₃エピタキシャル層作製条件の最適化

[18a-E317-3] 高容量キャパシタに向けた三次元誘電体エピタキシャル層を含むペロブスカイト型複合セラミックスの水熱法による作製

[18a-E317-4] ニオブ酸ナトリウムナノキューブの
マイクロ波加熱ソルボサーマル合成と集積化に向けた分散液の調製

[18a-E317-5] 共沈法によるアモルファスBiFeO₃の合成と一軸加圧による誘電体材料の作製

[18a-E317-6] 水素結合型強誘電体の転写成膜とキャラクタリゼーション

[18a-E317-7] 固相結晶育成法による高性能Bi系圧電単結晶作成のための粒成長最適条件の検討

[18a-E317-8] Bi添加KNNセラミックにおけるAサイト不足による焼結性の改善

[18a-E317-9] (Bi_0.5Na_0.5)TiO₃固溶体系セラミックスの誘電特性と格子歪みに対する急冷の効果

[18a-E317-10] 0.4Bi_0.5K_0.5TiO₃-0.6BiFeO₃系強誘電体の強誘電特性、結晶・電子構造に及ぼす焼結助剤添加およびMo, W置換効果

[18p-E317-1~11] 9.1 誘電材料・誘電体

[18p-E317-1] 焼成雰囲気を変化させて作製したMnドープNaNbO₃-BaTiO₃セラミックスの電気的特性

[18p-E317-2] (Bi_1/2Na_1/2)TiO₃系ペロブスカイト構造の圧力誘起相転移

△ [18p-E317-3] 自立構造のスパッタエピタキシャルPbTiO₃薄片の共振特性と温度特性

△ [18p-E317-4] YbAlN圧電薄膜のUHF帯における電気機械結合係数k_t²の増幅

△ [18p-E317-5] レクテナ昇圧素子に向けた傾斜反転ScAlN圧電薄膜HBAR型トランス

[18p-E317-6] 複屈折イメージング法による量子常誘電体SrTiO₃の誘電分布状態の評価

[18p-E317-7] 複屈折変調イメージング法による透明強誘電体の分極ドメイン観察

[18p-E317-8] TmFe₂O₄への電場印加に伴う鉄イオン間の電荷移動：STEM-EELSによる直接観察

[18p-E317-9] ナノコンポジットエポキシ樹脂の電気絶縁特性

[18p-E317-10] 正方晶タングステンブロンズ型 K₂RNb₅O₁₅（R：希土類）における反極性構造と電界下誘電特性

[18p-E317-11] (Pb,La)(Zr,Ti)O₃セラミックスの正と負の電気熱量効果

[19a-PB1-1~11] 9.1 誘電材料・誘電体

[19a-PB1-1] 第一原理計算によるMg,Nb共添加AlNの圧電特性評価

[19a-PB1-2] Mg+Me(Me=Cr,Mo,W)添加AlNにおける圧電定数の第一原理計算

[19a-PB1-3] c軸配向したYb_xAl_1-xN圧電薄膜のXRDによる結晶構造解析

▲ [19a-PB1-4] Effect of MgTa addition on the piezoelectric response of aluminum nitride thin films

[19a-PB1-5] 静電気力顕微鏡によるZnOナノ粒子の比誘電率サイズ依存性と周波数依存性の測定

[19a-PB1-6] プロトン伝導体CsHSO₄のラマン分光から見た中間相

[19a-PB1-7] マイクロ波誘電体への応用に向けたアモルファスTiO₂-ZrO₂固溶体のゾル－ゲル法による作製

[19a-PB1-8] レーザー加熱FZ法による高圧窒素下におけるCr₂Nバルク単結晶の育成

[19a-PB1-9] Bi_0.5K_0.5TiO₃-BiFeO₃-K(Nb_0.5Ta_0.5)O₃系強誘電体の強誘電特性、結晶・電子構造に及ぼす他元素置換の効果

[19a-PB1-10] Mn添加した(Bi_0.5Na_0.5)TiO₃系セラミックスの脱分極温度に対する急冷効果

[19a-PB1-11] (Bi_0.5Na_0.5)TiO₃-ZnO複合体セラミックスの脱分極温度に対する急冷効果

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9 応用物性 » 9.1 誘電材料・誘電体

[18a-E317-1~10] 9.1 誘電材料・誘電体

[18p-E317-1~11] 9.1 誘電材料・誘電体

△ [18p-E317-3] 自立構造のスパッタエピタキシャルPbTiO3薄片の共振特性と温度特性

△ [18p-E317-4] YbAlN圧電薄膜のUHF帯における電気機械結合係数kt2の増幅

△ [18p-E317-5] レクテナ昇圧素子に向けた傾斜反転ScAlN圧電薄膜HBAR型トランス

[19a-PB1-1~11] 9.1 誘電材料・誘電体

▲ [19a-PB1-4] Effect of MgTa addition on the piezoelectric response of aluminum nitride thin films

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△ [18p-E317-3] 自立構造のスパッタエピタキシャルPbTiO₃薄片の共振特性と温度特性

△ [18p-E317-4] YbAlN圧電薄膜のUHF帯における電気機械結合係数k_t²の増幅