〇(D)Rahul Kumar¹、 Tun Naing Aye¹、 Fumitaka Ohashi²、 Himanshu Shekhar Jha²、 Tetsuji Kume^1,2 (1.Division of Environmental and Renewable Energy Systems, Graduate School of Engineering, Gifu University、2.Department of Electrical, Electronic and Computer Engineering, Faculty of Engineering, Gifu University)

15:45 〜 16:00

Si多結晶積層構造における1.5 μm発光の寿命評価

〇吉原怜¹、寺井慶和¹ (1.九工大情報工)

16:00 〜 16:15

[11p-N304-10] β-FeSi₂/Si変調ドーピング構造の作製と電気特性評価

〇山戸一輝¹、神田秀和¹、寺井慶和¹ (1.九工大情報工)

16:15 〜 16:30

[11p-N304-11] SrSi₂の合成と物性評価

〇今井基晴¹、 Alinejad Babak²、鵜殿治彦² (1.物材機構、2.茨城大工)

16:30 〜 16:45

[11p-N304-12] 混成汎関数法による狭ギャップ半導体α-SrSi₂熱電輸送特性の第一原理計算

〇塩尻大士¹、飯田努¹、山口諒人¹、平山尚美²、今井庸二¹ (1.東京理科大、2.島根大)

16:45 〜 17:00

△ [11p-N304-13] 等電子不純物をドーピングしたα-SrSi₂の熱電輸送特性の第一原理計算

〇(M2)山口諒人¹、塩尻大士¹、平山尚美²、今井庸二¹、飯田努¹ (1.東京理科大、2.島根大)

一般セッション(ポスター講演)

[23a-P04-1~5] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2021年9月23日(木) 09:00 〜 10:40 P04 (ポスター)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 10:40

[23a-P04-1] 遷移金属、希土類元素を導入したペロブスカイト結晶の電子構造解析

〇鈴木厚志¹、大江真梨¹、岸本杏人¹、奥健夫¹ (1.滋賀県大工)

09:00 〜 10:40

[23a-P04-2] トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃エピタキシャル膜における偏光ラマンスペクトルの膜厚依存性

〇野崎孝武¹、近藤智裕¹、寺井慶和¹ (1.九工大情報工)

09:00 〜 10:40

[23a-P04-3] MnCl₂溶融塩を用いたMnSi_1.7ナノシート束の作製

〇米田文緒¹、伊藤聖悟²、志村洋介^2,3、高橋尚久⁴、立岡浩一² (1.静大工、2.静大院工、3.静大電研、4.ヤマハ発　基盤研)

09:00 〜 10:40

[23a-P04-4] 溶融MgCl₂-Mg溶媒を用いたMg₂Siナノシート束の作製

〇古賀友也¹、志村洋介^1,2、高橋尚久³、立岡浩一¹ (1.静大院工、2.静大電研、3.ヤマハ発　基盤研)

09:00 〜 10:40

[23a-P04-5] 溶融MgCl₂-Mg・低融点金属混合溶媒を用いたMg₂Siナノシート束の作製

〇佐々木啓悟¹、古賀友也¹、立岡浩一¹、志村洋介^2,1、高橋尚久³ (1.静大院工、2.静大電研、3.ヤマハ発　基盤研)

セッション一覧

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11a-N304-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11a-N304-1] [講演奨励賞受賞記念講演] n⁺-AZO/p-BaSi₂薄膜太陽電池の高効率化に向けたZn_1-xGe_xO界面層探索

[11a-N304-2] BaSi₂太陽電池に適した電子・正孔輸送層のデータベース駆動型材料探索

△ [11a-N304-3] ポストアニールを施したAs-doped BaSi₂膜の特性評価

[11a-N304-4] B-doped BaSi₂ 膜へのポストアニール効果の Ba/Si 堆積レート比依存性

[11a-N304-5] 真空蒸着法により作製したMg₂Si薄膜の高品質化に向けたface-to-faceアニールの効果

[11a-N304-6] 2元同時スパッタリング法によるMg₂Si_1-xSn_x薄膜の形成

△ [11a-N304-7] RFスパッタ成長時におけるBa/Si堆積比がガラス基板上BaSi₂膜に及ぼす影響

[11a-N304-8] Ba ターゲット及び BaSi₂ターゲットの同時スパッタによる BaSi₂膜の形成

[11a-N304-9] スパッタリング法によるB-doped BaSi₂膜の作製と評価

[11a-N304-10] 絶縁膜上への多結晶 BaSi₂膜の形成と電気特性評価

△ [11a-N304-11] Mg₂Si-Mg₂Ge系固溶体ナノシート束の作製

[11p-N304-1~13] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[11p-N304-1] Mg₂Siショットキーダイオードの電気特性の解析

[11p-N304-2] メッシュ状電極Mg₂Si-PDの低温におけるアバランシェ増幅

[11p-N304-3] CF₄ガスによるMg₂Si基板の反応性イオンエッチング特性

[11p-N304-4] X線ロッキングカーブ測定によるMg₂Si基板の評価

[11p-N304-5] ミュオンによる二酸化バナジウム中の水素シミュレーション

△ [11p-N304-6] 非ペロブスカイト型3元系CuBiI₄薄膜の作製と物性評価

[11p-N304-7] 偏光ラマンスペクトルによるトポロジカル絶縁体Bi₂Se₃エピタキシャル膜の評価

▼ [11p-N304-8] Synthesis of Type-II Ge Clathrate Films with Various Film Thickness

[11p-N304-9] Si/β-(Fe_1-xRu_x)Si₂/Si多結晶積層構造における1.5 μm発光の寿命評価

[11p-N304-10] β-FeSi₂/Si変調ドーピング構造の作製と電気特性評価

[11p-N304-11] SrSi₂の合成と物性評価

[11p-N304-12] 混成汎関数法による狭ギャップ半導体α-SrSi₂熱電輸送特性の第一原理計算

△ [11p-N304-13] 等電子不純物をドーピングしたα-SrSi₂の熱電輸送特性の第一原理計算

[23a-P04-1~5] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[23a-P04-1] 遷移金属、希土類元素を導入したペロブスカイト結晶の電子構造解析

[23a-P04-2] トポロジカル絶縁体Bi₂Se₃エピタキシャル膜における偏光ラマンスペクトルの膜厚依存性

[23a-P04-3] MnCl₂溶融塩を用いたMnSi_1.7ナノシート束の作製

[23a-P04-4] 溶融MgCl₂-Mg溶媒を用いたMg₂Siナノシート束の作製

[23a-P04-5] 溶融MgCl₂-Mg・低融点金属混合溶媒を用いたMg₂Siナノシート束の作製

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[11a-N304-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [11a-N304-3] ポストアニールを施したAs-doped BaSi2膜の特性評価

△ [11a-N304-7] RFスパッタ成長時におけるBa/Si堆積比がガラス基板上BaSi2膜に及ぼす影響

△ [11a-N304-11] Mg2Si-Mg2Ge系固溶体ナノシート束の作製

[11p-N304-1~13] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [11p-N304-6] 非ペロブスカイト型3元系CuBiI4薄膜の作製と物性評価

▼ [11p-N304-8] Synthesis of Type-II Ge Clathrate Films with Various Film Thickness

△ [11p-N304-13] 等電子不純物をドーピングしたα-SrSi2の熱電輸送特性の第一原理計算

[23a-P04-1~5] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

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△ [11a-N304-3] ポストアニールを施したAs-doped BaSi₂膜の特性評価

△ [11a-N304-7] RFスパッタ成長時におけるBa/Si堆積比がガラス基板上BaSi₂膜に及ぼす影響

△ [11a-N304-11] Mg₂Si-Mg₂Ge系固溶体ナノシート束の作製

△ [11p-N304-6] 非ペロブスカイト型3元系CuBiI₄薄膜の作製と物性評価

△ [11p-N304-13] 等電子不純物をドーピングしたα-SrSi₂の熱電輸送特性の第一原理計算