一般セッション(口頭講演)
[11a-N205-1~11] CS.9 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス/配線/集積化技術のコードシェアセッション
2021年9月11日(土) 09:00 〜 12:00 N205 (口頭)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇藤原 弘和1、 谷内 敏之2、 Bareille Cédric2、 小林 正治3、 辛 埴2,4 (1.東大物性研、2.東大新領域MIRC、3.東大d.lab、4.東大特別教授室)
09:15 〜 09:30
〇田沼 将一1、 Joong-Won Shin1、 大見 俊一郎1 (1.東工大院工)
09:30 〜 09:45
〇JoongWon Shin1、 Masakazu Tanuma1、 Shun-ichiro Ohmi1 (1.Tokyo Inst. of Technology)
09:45 〜 10:00
〇(M2)齋藤 瑞1、 Mohit Mohit1、 徳光 永輔1 (1.北陸先端大)
10:00 〜 10:15
〇和泉 賢人1、 太田 裕登1、 河原崎 光2、 谷村 英昭2、 加藤 慎一2、 奈良 安雄1 (1.兵県大工、2.SCREENセミコン)
10:15 〜 10:30
〇(PC)女屋 崇1,2,3、 生田目 俊秀2、 井上 万里2、 澤田 朋実2、 太田 裕之1、 森田 行則1 (1.産総研、2.物材機構、3.学振PD)
10:45 〜 11:00
〇(DC)Xuan Luo1、 Kasidit Toprasertpong1、 Mitsuru Takenaka1、 Shinichi Takagi1 (1.Univ. of Tokyo)
11:00 〜 11:15
〇トープラサートポン カシディット1、 田原 建人1、 彦坂 幸信2、 中村 亘2、 齋藤 仁2、 竹中 充1、 高木 信一1 (1.東大院工、2.富士通セミコンダクターメモリソリューション)
11:15 〜 11:30
〇(M2)Xiaoran Mei1、 Fei Mo1、 Toshiro Hiramoto1、 Masaharu Kobayashi1 (1.IIS, Univ. of Tokyo)
11:30 〜 11:45
Fei Mo1、 Jiawen Xiang1、 Xiaoran Mei1、 Yoshiki Sawabe1、 Takuya Saraya1、 Toshiro Hiramoto1、 Chun-Jung Su2、 Vita Pi-Ho Hu3、 〇Masaharu Kobayashi1,4 (1.IIS, Univ. Tokyo、2.TSRI、3.Nat. Taiwan Univ.、4.d.lab, Univ. Tokyo)
11:45 〜 12:00
〇(P)Jixuan Wu1、 Fei Mo1、 Takuya Saraya1、 Toshiro Hiramoto1、 Mototaka Ochi2、 Hiroshi Goto3、 Masaharu Kobayashi1,4 (1.IIS, Univ. of Tokyo、2.Kobe Steel, Ltd、3.Kobelco Inst., Inc、4.d.lab,Univ. of Tokyo)