一般セッション(ポスター講演)

[16a-PB04-1~1] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2023年3月16日(木) 09:30 〜 11:30 PB04 (ポスター)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:30 〜 11:30

[16a-PB04-1] ナノスケール半導体中の電子の時間発展から不純物分布を予測するモデル化

〇村口正和¹、原田和輝¹、小林祐貴¹、伊藤佳卓¹、須子統太² (1.北科大工、2.早大社学)

一般セッション(口頭講演)

[17p-B414-1~15] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2023年3月17日(金) 13:00 〜 17:00 B414 (2号館)

嵯峨幸一郎(ソニー)、森伸也(阪大)、田中一(阪大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:00 〜 13:15

△ [17p-B414-1] 平板上で相対運動するPVAブラシノジュールの変形及び接触軌跡解析

〇(M1C)鈴木翔大¹、水嶋祐基¹、濱田聡美²、小篠諒太²、福永明²、真田俊之¹ (1.静大工、2.荏原製作所)

13:15 〜 13:30

△ [17p-B414-2] 二流体ジェット噴射面に形成される液膜厚さ測定

〇渡部真将¹、山川健翔¹、水嶋祐基¹、高橋広毅²、濱田聡美²、今井正芳²、真田俊之¹ (1.静岡大学、2.荏原製作所)

13:30 〜 13:45

[17p-B414-3] TMAH水溶液を用いた平坦化Ge(111)表面の作製

〇松尾一輝¹、鈴木仁¹、坂上弘之¹ (1.広島大先進理工)

13:45 〜 14:00

[17p-B414-4] フッ硝酸Siエッチングプロセスの基板結晶面方位依存性解析

〇大井上昂志¹、黒木佳奈¹、平野智暉¹、西尾賢哉¹、齋藤卓¹、奥山敦¹、萩本賢哉¹、岩元勇人¹ (1.ソニーセミコンダクタ)

14:00 〜 14:15

△ [17p-B414-5] 負バイアス条件での酸化グラフェンアシストシリコンエッチング

〇(M1)後藤雄太¹、窪田航¹、宇都宮徹¹、一井崇¹、杉村博之¹ (1.京都大院)

14:15 〜 14:30

▲ [17p-B414-6] The effect of post metallization annealing sequence on the Pt gate etching immunity of MFSFET with ferroelectric non-doped HfO₂

〇Zhang Xinyue¹、 Joong-Won Shin¹、 Tanuma Masakazu¹、 Ohmi Shun-ichiro¹ (1.Tokyo Inst. of Technology)

14:30 〜 14:45

[17p-B414-7] AFM/KFMによる熱酸化SOI基板上に自己組織化形成したSi量子ドットの局所帯電特性評価

〇(D)今井友貴¹、牧原克典¹、山本裕司²、 Wen Wei-Chen²、田岡紀之¹、大田晃生¹、宮﨑誠一¹ (1.名大院工、2.IHP)

15:00 〜 15:15

[17p-B414-8] 平衡状態におけるマクロステップのファセティング・ダイアグラム

〇阿久津典子¹、阿久津泰弘² (1.大阪電通大工、2.阪大院理)

15:15 〜 15:30

▲ [17p-B414-9] First-Principles Simulation of Electronic Structure of Bulk and Surfaces SnS

〇(D)Rohit Sanjay Dahule¹、 Kenta Hongo¹、 Ryo Maezono¹ (1.JAIST)

15:30 〜 15:45

[17p-B414-10] Si(111) p型空間電荷層のバンド湾曲形状の価電子量子化による平坦化

〇武田さくら¹、 Nur Idayu Ayob²、大門寛¹、稲垣剛¹ (1.奈良先端大、2.IIUM)

15:45 〜 16:00

[17p-B414-11] 単層カーボンナノチューブ二端子対回路の熱電物性

〇林大介¹、青柳里果¹ (1.成蹊大学　理工学部)

16:00 〜 16:15

[17p-B414-12] 界面準位を含むMOSキャパシタの回路モデリング

〇福田浩一¹、服部淳一¹、浅井栄大¹、井手利英¹、清水三聡¹ (1.産総研)

16:15 〜 16:30

[17p-B414-13] MONOS SiN膜中キャリア移動度の電界・温度依存性モデリング

〇内藤慶太郎¹、竹田裕¹、大倉孝之¹、下川淳二¹、津田宗幸¹、山下博幸¹、澤敬一¹、来栖貴史¹ (1.キオクシア株式会社)

16:30 〜 16:45

[17p-B414-14] 異方性を有する自立シリコン板における音響フォノン散乱

〇森伸也¹ (1.阪大院工)

16:45 〜 17:00

[17p-B414-15] 3次元モンテカルロデバイスシミュレーションにおける電界分布数値計算の機械学習による高速化

〇(M1C)倉元俊亮¹、森伸也¹ (1.阪大院工)

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[17p-B414-1~15] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [17p-B414-1] 平板上で相対運動するPVAブラシノジュールの変形及び接触軌跡解析

△ [17p-B414-2] 二流体ジェット噴射面に形成される液膜厚さ測定

[17p-B414-3] TMAH水溶液を用いた平坦化Ge(111)表面の作製

[17p-B414-4] フッ硝酸Siエッチングプロセスの基板結晶面方位依存性解析

△ [17p-B414-5] 負バイアス条件での酸化グラフェンアシストシリコンエッチング

▲ [17p-B414-6] The effect of post metallization annealing sequence on the Pt gate etching immunity of MFSFET with ferroelectric non-doped HfO₂

[17p-B414-7] AFM/KFMによる熱酸化SOI基板上に自己組織化形成したSi量子ドットの局所帯電特性評価

[17p-B414-8] 平衡状態におけるマクロステップのファセティング・ダイアグラム

▲ [17p-B414-9] First-Principles Simulation of Electronic Structure of Bulk and Surfaces SnS

[17p-B414-10] Si(111) p型空間電荷層のバンド湾曲形状の価電子量子化による平坦化

[17p-B414-11] 単層カーボンナノチューブ二端子対回路の熱電物性

[17p-B414-12] 界面準位を含むMOSキャパシタの回路モデリング

[17p-B414-13] MONOS SiN膜中キャリア移動度の電界・温度依存性モデリング

[17p-B414-14] 異方性を有する自立シリコン板における音響フォノン散乱

[17p-B414-15] 3次元モンテカルロデバイスシミュレーションにおける電界分布数値計算の機械学習による高速化

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[16a-PB04-1~1] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[17p-B414-1~15] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

△ [17p-B414-1] 平板上で相対運動するPVAブラシノジュールの変形及び接触軌跡解析

△ [17p-B414-2] 二流体ジェット噴射面に形成される液膜厚さ測定

△ [17p-B414-5] 負バイアス条件での酸化グラフェンアシストシリコンエッチング

▲ [17p-B414-6] The effect of post metallization annealing sequence on the Pt gate etching immunity of MFSFET with ferroelectric non-doped HfO2

▲ [17p-B414-9] First-Principles Simulation of Electronic Structure of Bulk and Surfaces SnS

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▲ [17p-B414-6] The effect of post metallization annealing sequence on the Pt gate etching immunity of MFSFET with ferroelectric non-doped HfO₂