2015 International Conference on Solid State Devices and Materials

2015年9月27日〜 2015年9月30日
Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan

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[C-7-3] Temperature-Dependent Minority Carrier Lifetime of Crystalline Silicon Wafers Passivated by High Quality Amorphous Silicon Oxide

^○M. Inaba¹, S. Todoroki¹, K. Nakada¹, S. Miyajima¹ (1.Tokyo Tech(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月30日(水) 11:15 〜 11:30 |PDF ダウンロード

[C-7-4] Investigation of New Stacking Surface Passivation Structures with Interfacial Tuning Layers on p-type Crystalline Silicon for Solar Cell Applications

^○N. Ikeno^{1, 4}, T. Katsumata^{1, 2}, H. Yoshida^{3, 5}, K. Arafune^{3, 5}, S. Satoh^{3, 5}, T. Chikyow², A. Ogura^{1, 5} (1.Meiji Univ., 2.NIMS, 3.Univ. of Hyogo, 4.JSPS Res. Fellow, 5.JST-CREST(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月30日(水) 11:30 〜 11:45 |PDF ダウンロード

[C-7-5] Catalytic Doping of Phosphorus and Boron Atoms onto Hydrogenated Amorphous Silicon Films

^○J. Seto^1,2, K. Ohdaira^1,2, H. Matsumura^1,2 (1.JAIST, 2.JST-CREST, (Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月30日(水) 11:45 〜 12:00 |PDF ダウンロード

[C-7-6] Activation of Silicon Implanted with Phosphorus and Boron Atoms by Microwave Rapid Annealing

^○S. Kimura¹, M. Hasumi¹, K. Ota¹, T. Sameshima¹ (1.Tokyo Univ. of Agri. & Tech.(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月30日(水) 12:00 〜 12:15 |PDF ダウンロード

[C-7-7] Combination Accelerating Test for Crystalline Si Photovoltaic Modules

^○A. Masuda¹, C. Yamamoto¹, N. Uchiyama¹, K. Ueno², T. Yamazaki² (1.AIST, 2.Choshu Industry Co., Ltd.(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月30日(水) 12:15 〜 12:30 |PDF ダウンロード

[D-2-1] (Invited) Atomically-thin Semiconductors

^○K. Tsukagoshi (1.NIMS(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月28日(月) 16:05 〜 16:35 |PDF ダウンロード

[D-2-2] Ultra-Sensitive 2D Photodetectors Based on Large-Scale Molybdenum Disulfide Crystals

^○Z. P. Ling¹, R. Yang¹, J. W. Chai², S. J. Wang², Y. Tong¹, D. Lei¹, Q. Zhou¹, X. Gong¹, D. Z. Chi², K. W. Ang¹ (1.National Univ. of Singapore, 2.Institute of Materials Research and Engineering(Singapore))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月28日(月) 16:35 〜 16:50 |PDF ダウンロード

[D-2-3] Source/Drain Contact Engineering of Molybdenum Disulphide (MoS₂) Devices

^○W. S. Leong¹, X. Luo¹, Y. Li¹, K. H. Khoo¹, S. Y. Quek¹, J. T. L. Thong¹ (1.National Univ. of Singapore(Singapore))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月28日(月) 16:50 〜 17:05 |PDF ダウンロード

[D-2-4] Tolerance to UV-O₃ Exposure of CVD and Mechanically Exfoliated MoS₂ & Fabrication of Top-Gated CVD MoS₂ FETs

^○S. Kurabayashi¹, K. Nagashio^1,2 (1.Univ. of Tokyo, 2.JST-PRESTO(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月28日(月) 17:05 〜 17:20 |PDF ダウンロード

[D-2-5] HfS₂ Electron Double Layer Transistor with High Drain Current

^○T. Kanazawa¹, T. Amemiya^1,2, A. Ishikawa^2,3, V. Upadhyaya¹, T. Tanaka², K. Tsuruta³, Y. Miyamoto¹ (1.Tokyo Tech, 2.RIKEN, 3.Okayama Univ.(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月28日(月) 17:20 〜 17:35 |PDF ダウンロード

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