2015 International Conference on Solid State Devices and Materials

2015年9月27日〜 2015年9月30日
Sapporo Convention Center, Sapporo, Japan

検索条件
検索フィルタ

検索条件

フリーワード
タイトル
発表者、著者・共著者
所属

検索条件

設定なし

検索フィルタ

この条件でさらに絞り込みできます。

発表者、著者・共著者

なし

所属

なし

894件中(201 - 210)

« 前へ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
次へ »

[J-1-4] Transient Thermal Characteristics of Packaged SiC SBDs and Its Temperature Dependence

^○T. Kim¹, T. Funaki¹ (1.Osaka Univ.(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月28日(月) 14:45 〜 15:00 |PDF ダウンロード

[J-1-5] Turn-on Analysis of Si-IGBTs with Emitter Trenches

^○S. Machida¹, Y. Yamashita¹ (1.Totoya Central R&D Labs. Inc.(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月28日(月) 15:00 〜 15:15 |PDF ダウンロード

[J-1-6] RF Characteristics of LDMOS Transistors with Superjunction Structures

^○B. Y. Chen^1,2, K. M. Chen¹, G. W. Huang¹, EdwardY. Chang² (1.National Nano Device Labs., 2.National Chiao Tung Univ.(Taiwan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月28日(月) 15:15 〜 15:30 |PDF ダウンロード

[J-2-1] Al Doping of 4H-SiC by Laser Irradiation to Coated Film and Its Application to Junction Barrier Schottky Diode

^○A. Ikeda¹, R. Sumina¹, H. Ikenoue¹, T. Asano¹ (1.Kyushu Univ.(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月28日(月) 16:05 〜 16:20 |PDF ダウンロード

[J-2-2] 4H-SiC Vertical Gate Trench with a Well-Controlled Shape Uniformly Formed by High Rate Etching and Annealing with Solid Source

^○H. Kitai¹, H. Shiomi¹, H. Tamaso¹, K. Fukuda¹ (1.AIST(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月28日(月) 16:20 〜 16:35 |PDF ダウンロード

[J-2-3] Fabrication of Nitrogen-vacancy Centers in Diamond Power Devices for Electric-Field Sensing

^○W. Naruki¹, K. Tahara¹, T. Iwasaki^1,3, H. Kato^2,3, T. Makino^2,3, M. Ogura^2,3, D. Takeuchi^2,3, S. Yamasaki^2,3, M. Hatano^1,3 (1.Tokyo Tech, 2.AIST, 3.JST-CREST(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月28日(月) 16:35 〜 16:50 |PDF ダウンロード

[J-2-4] Evaluation of Temperature Dependence of Surface Recombination Velocities for n-type 4H-SiC

^○K. Kohama¹, Y. Mori¹, M. Kato¹, M. Ichimura¹ (1.Nagoya Inst. of Tech.(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月28日(月) 16:50 〜 17:05 |PDF ダウンロード

[J-6-1] (Invited) Threshold-Voltage Instability in SiC MOSFETs

^○A. Lelis, R. Green, D. Habersat (1.U.S. Army Res. Lab.(USA))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月30日(水) 09:00 〜 09:30 |PDF ダウンロード

[J-6-2] Threshold Voltage Instability in 4H-SiC MOSFETs with Nitrided Gate Oxide Revealed by Non-relaxation Method

^○M. Sometani^1,2, D. Okamoto², S. Harada², H. Ishimori², S. Takasu², T. Hatakeyama², M. Takei^1,2, Y. Yonezawa², K. Fukuda², H. Okumura² (1.Fuji Electric Co., Ltd, 2.AIST(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月30日(水) 09:30 〜 09:45 |PDF ダウンロード

[J-6-3] Effect of Nitridation for SiO₂/SiC Interface on Defects Properties near Conduction Band Edge

^○W. Takeuchi¹, K. Yamamoto², M. Sakashita¹, T. Kanemura², O. Nakatsuka¹, S. Zaima¹ (1.Nagoya Univ., 2.DENSO Corp.(Japan))

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials |2015年9月30日(水) 09:45 〜 10:00 |PDF ダウンロード

894件中(201 - 210)

« 前へ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
次へ »

▲