2022 International Conference on Solid State Devices and Materials

2022年9月26日〜 2022年12月23日
幕張メッセ

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[F-10-02] Neural Network Hardware Accelerator using Memristive Crossbar Array based on Wafer-Scale 2D HfSe2

〇Sifan Li¹, Samarth Jain¹, Mei-Er Pam¹, Li Chen¹, Yu-Chieh Chien¹, Xuanyao Fong¹, Dongzhi Chi², Kah-Wee Ang^1,2 (1. National Univ. of Singapore (Singapore), 2. Inst. of Material Res. and Engineering (Singapore))

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials |2022年9月29日(木) 16:30 〜 16:45 |PDF ダウンロード

[F-10-03] Self-selective Monolayer MoS₂ Memtransistor Crossbar Array for In-memory Computing Applications

〇Xuewei Feng¹, Kah-Wee Ang² (1. Shanghai Jiao Tong Univ. (China), 2. National Univ. of Singapore (Singapore))

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials |2022年9月29日(木) 16:45 〜 17:00 |PDF ダウンロード

[F-10-04] Demonstration of Single-gate MoS2 Tunnel FET with Natural In-plane Heterojunction

〇Tomohiro Fukui¹, Tomonori Nishimura¹, Takashi Taniguchi², Kenji Watanabe², Kosuke Nagashio¹ (1. Univ. of Tokyo (Japan), 2. Inst. for Materials Science (Japan))

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials |2022年9月29日(木) 17:00 〜 17:15 |PDF ダウンロード

[F-10-05 (Invited)] 2D transistor top and bottom gate stack scaling in 300mm pilot line

〇Quentin Smets¹, Tom Schram¹, Daire Cott¹, Anish Dangol¹, Dennis Lin¹, Souvik Ghosh¹, Rudy Verheyen¹, Steven Brems¹, Benjamin Groven¹, Pierre Morin¹, Inge Asselberghs¹, Gouri Sankar Kar¹ (1. imec (Belgium))

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials |2022年9月29日(木) 17:15 〜 17:45 |PDF ダウンロード

[G-1-01] Substrate Impurity Concentration Dependence of Sub-threshold Swing of Si n-Channel MOSFETs at Cryogenic Tempeartures down to 4 K

〇Min-Soo Kang¹, Kei Sumita¹, Hiroshi Oka², Takahiro Mori², Kasidit Toprasertpong¹, Mitsuru Takenaka¹, Shinichi Takagi¹ (1. Univ. of Tokyo (Japan), 2. National Inst. of Advanced Indus. Sci. and Tech. (AIST) (Japan))

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials |2022年9月27日(火) 11:30 〜 11:45 |PDF ダウンロード

[G-1-02] Electron mobility of Si nMOSFETs in a nonlinear model of surface roughness scattering at cryogenic temperature

〇Kei Sumita¹, Min-Soo Kang¹, Kasidit Toprasertpong¹, Mitsuru Takenaka¹, Shinichi Takagi¹ (1. Univ. of Tokyo (Japan))

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials |2022年9月27日(火) 11:45 〜 12:00 |PDF ダウンロード

[G-1-03] Anomalous Threshold Voltage Increase due to the Depletion of Extension Edges in Cryogenic MOSFETs

〇Takumi Inaba¹, Hidehiro Asai¹, Junichi Hattori¹, Koichi Fukuda¹, Hiroshi Oka¹, Takahiro Mori¹ (1. National Inst. of Advanced Indus. Sci. and Tech. (Japan))

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials |2022年9月27日(火) 12:00 〜 12:15 |PDF ダウンロード

[G-1-04] Accurate Evaluation of Interface Trap Density at InAs MOS Interfaces by Using C-V characteristics at Low Temperatures

〇Ryohei Yoshizu¹, Kei Sumita¹, Kasidit Toprasertpong¹, Mitsuru Takenaka¹, Shinichi Takagi¹ (1. Univ. of Tokyo (Japan))

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials |2022年9月27日(火) 12:15 〜 12:30 |PDF ダウンロード

[G-1-05 (Late News)] Temperature Dependence of MOSFET Series Resistance from 300 K to 4 K

〇Kiyoshi Takeuchi¹, Tomoko Mizutani¹, Takuya Saraya¹, Hiroshi Oka², Takahiro Mori², Masaharu Kobayashi¹, Toshiro Hiramoto¹ (1. Univ. of Tokyo (Japan), 2. AIST (Japan))

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials |2022年9月27日(火) 12:30 〜 12:45 |PDF ダウンロード

[G-2-01 (Invited)] Opportunity of Deep Learning Applicable to TCAD

〇Sanghoon Myung¹, Byungseon Choi¹, Wonik Jang¹, Jinwoo Kim¹, In Huh¹, Jae Myung Choe¹, Young-Gu Kim¹, Dae Sin Kim¹ (1. Samsung Electronics (Korea))

2022 International Conference on Solid State Devices and Materials |2022年9月27日(火) 14:00 〜 14:30 |PDF ダウンロード

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