一般セッション(口頭講演)

[15p-B5-1~19] 7.2 電子ビーム応用

2016年9月15日(木) 13:15 〜 18:45 B5 (展示ホール内)

根尾陽一郎(静岡大)、川崎忠寛(JFCC)、山本和生(JFCC)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:15 〜 13:45

[15p-B5-1] [7．ビーム応用　分科内招待講演] 半導体光陰極を用いた次世代透過電子顕微鏡の開発

〇桑原真人^1,2、青木幸太²、鈴木潤士²、宇治原徹^1,2、齋藤晃^1,2、田中信夫¹ (1.名古屋大未来研、2.名古屋大工)

13:45 〜 14:00

[15p-B5-2] [講演奨励賞受賞記念講演] BaTiO₃薄膜の陽イオン微小変位計測によるナノドメイン構造解析

〇小林俊介¹、加藤丈晴¹、幾原雄一^1,2、山本剛久^1,3 (1.JFCC、2.東大総研、3.名大工)

14:00 〜 14:15

[15p-B5-3] LiFePO₄のLi脱離前後における最表面再構成構造

〇小林俊介¹、クレイグフィッシャー¹、加藤丈晴¹、平山司¹、桑原彰秀¹、右京良雄²、幾原雄一^1,3 (1.JFCC、2.京大産官学、3.東大総研)

14:15 〜 14:30

[15p-B5-4] LiMn₂O₄/Na_xMnO₂界面の電子顕微鏡観察

〇橘田晃宜¹、秋田知樹¹、香山正憲¹ (1.産総研・電池技術)

14:30 〜 14:45

[15p-B5-5] 噴水型低エネルギー二次電子検出器による絶縁体の観察

〇関口隆史^1,2、揚村寿英²、木村隆¹、岩井秀夫¹ (1.物財機構、2.筑波大数理)

14:45 〜 15:00

[15p-B5-6] 実時間波動場再構成法を用いた試料厚さの動的解析

〇(D)田村孝弘¹、木村吉秀¹、高井義造¹ (1.阪大工)

15:00 〜 15:15

[15p-B5-7] Quasi-Besselビームと環状ピクセルディテクタを用いたSTEM位相再生法の開発

〇川崎忠寛^1,2,3、石田高史^2,3、児玉哲司⁴、松谷貴臣⁵、丹司敬義^2,3、生田孝⁶ (1.JFCC、2.名大未来研、3.GREEN、4.名城大、5.近畿大、6.大阪電通大)

15:30 〜 15:45

[15p-B5-8] Cr/W<001>エミッタからの電界放出電子のスピン偏極度の測定

〇宮崎健人¹、阪井那央哉¹、永井滋一^1,2、岩田達夫^1,2、梶原和夫^1,2、畑浩一^1,2 (1.三重大院工、2.三重大極限ナノセレセ)

15:45 〜 16:00

[15p-B5-9] トリエーテッドタングステン電界放射陰極におけるトリア還元及び拡散課程の観察

〇山梨遼太郎¹、根尾陽一郎¹、大野輝昭²、三村秀典¹ (1.静岡大電子工学研究所、2.テクネクス工房)

16:00 〜 16:15

[15p-B5-10] 表面拡散法によるナノピラミッド形成に伴う電界放出特性の変化

〇(D)浅井泰尊¹、熊谷成輝¹、村田英一¹、六田英治¹ (1.名城大)

16:15 〜 16:30

[15p-B5-11] ミニマルファブを利用したスピント型フィールドエミッタアレイの試作

〇長尾昌善¹、辰巳憲之¹、村上勝久¹、クンプアンソマワン^1,2、原史朗^1,2、後藤康仁³ (1.産総研、2.ミニマルファブ、3.京大院工)

16:30 〜 16:45

[15p-B5-12] ボルケーノ構造スピント型Niフィールドエミッタアレイの長時間動作

〇長尾昌善¹、後藤康仁²、三村秀典³、根尾陽一郎³、クンプアンソマワン^1,4、原史朗^1,4 (1.産総研、2.京大院工、3.静大電研、4.ミニマルファブ)

16:45 〜 17:00

[15p-B5-13] GaAs負性電子親和力カソードの応答速度についてⅡ

〇(M2)光野圭悟¹、増澤智昭¹、畑中義式¹、細田誠¹、根尾陽一郎¹、三村秀典¹ (1.静岡大)

17:15 〜 17:30

△ [15p-B5-14] HEED-HARP撮像板の幾何学歪の改善

〇小幡一智¹、岩崎新吾¹、秋山周哲² (1.パイオニア(株)、2.パイオニアマイクロテクノロジー(株))

17:30 〜 17:45

[15p-B5-15] エックス線照射下におけるフィールドエミッタアレイの電子放出特性

〇後藤康仁¹、辻博司¹、長尾昌善²、秋吉優史³、高木郁二¹ (1.京大、2.産総研、3.大阪府大)

17:45 〜 18:00

[15p-B5-16] 耐放射線性FEA撮像素子用CdTe/CdS光電変換膜のガンマ線照射下における電流電圧特性

〇岡本保¹、猪狩朋也¹、後藤康仁²、佐藤信浩²、秋吉優史³、高木郁二² (1.木更津高専、2.京都大、3.大阪府立大)

18:00 〜 18:15

[15p-B5-17] ガンマ線照射前後でのCdTe/CdSダイオードの光電変換特性比較

〇増澤智昭¹、根尾陽一郎¹、後藤康仁²、岡本保³、長尾昌善⁴、佐藤信浩²、秋吉優史⁵、高木郁二²、三村秀典¹ (1.静岡大、2.京都大、3.木更津高専、4.産総研、5.大阪府立大)

18:15 〜 18:30

[15p-B5-18] GOS(Graphene-Oxide-Semiconductor)型電子放出素子の電子放出特性

〇村上勝久¹、田中駿丞²、長尾昌善¹、根本善弘³、竹口雅樹³、藤田淳一² (1.産総研、2.筑波大数理、3.物材機構)

18:30 〜 18:45

[15p-B5-19] 走査電子顕微鏡内におけるフォギング電子の加速電圧変化

〇萩原佳史^1,2、野田拓^1,2、小寺正敏¹、 Raynald Gauvin² (1.大阪工業大学、2.McGill大学)

一般セッション(ポスター講演)

[14p-P15-1~2] 7.2 電子ビーム応用

2016年9月14日(水) 16:00 〜 18:00 P15 (展示ホール)