一般セッション(ポスター講演)

[16p-P03-1~1] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

2021年3月16日(火) 13:00 〜 13:50 P03 (ポスター)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

13:00 〜 13:50

[16p-P03-1] TEMによるMist CVD法 (0001)α-Al₂O₃基板上α-In₂O₃の欠陥解析

〇早川優香¹、大野颯一朗¹、山口智広¹、木口賢紀²、高橋昴¹、横尾浩和¹、尾沼猛儀¹、本田徹¹ (1.工学院大、2.東北大)

一般セッション(口頭講演)

[19a-Z29-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

2021年3月19日(金) 09:00 〜 11:30 Z29 (Z29)

前田進(GWJ)、須藤治生(GWJ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[19a-Z29-1] 3次元積層型CIS向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの特性（I）
-炭化水素分子イオン注入ウェーハによるSiO₂/Si界面準位欠陥の低減-

〇奥山亮輔¹、門野武¹、柾田亜由美¹、鈴木陽洋¹、小林弘治¹、重松理史¹、廣瀬諒¹、古賀祥泰¹、栗田一成¹ (1.SUMCO)

09:15 〜 09:30

△ [19a-Z29-2] 3次元積層型CIS向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの特性（II）
–CH₄Nイオン注入誘起欠陥の熱的分解挙動の加熱TEMその場観察–

〇鈴木陽洋¹、門野武¹、廣瀬諒¹、小林弘治¹、柾田亜由美¹、奥山亮輔¹、古賀祥泰¹、栗田一成¹ (1.SUMCO)

09:30 〜 09:45

△ [19a-Z29-3] 3次元積層型CIS向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの特性（Ⅲ）
-シリコン系分子イオン注入のゲッタリング特性-

〇廣瀬諒¹、門野武¹、柾田亜由美¹、奥山亮輔¹、小林弘治¹、鈴木陽洋¹、古賀祥泰¹、栗田一成¹ (1.SUMCO)

09:45 〜 10:00

[19a-Z29-4] 3次元積層型CIS向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの特性（IV）
-Dark current spectroscopy法によるエピタキシャル層注入ウェーハの白キズ欠陥の抑制メカニズム解析-

〇柾田亜由美¹、門野武¹、奥山亮輔¹、廣瀬諒¹、小林弘治¹、鈴木陽洋¹、古賀祥泰¹、栗田一成¹ (1.SUMCO)

10:00 〜 10:15

[19a-Z29-5] 窒化膜から導入されたシリコン基板中の水素の熱的挙動

〇棚橋克人¹、白澤勝彦¹、平藤駿介²、高遠秀尚¹ (1.産総研、2.京セラ)

10:30 〜 10:45

[19a-Z29-6] シリコンウェーハ中炭素関連結晶欠陥のパワーデバイス特性への影響

〇佐々木駿¹、三次伯知¹、佐俣秀一¹、附田正則²、大村一郎² (1.株式会社 SUMCO、2.九州工業大学)

10:45 〜 11:00

[19a-Z29-7] シリコン結晶基板の品質と点欠陥(5) 正方形複合体NN, CiOi, NO, O2iの赤外吸収

〇井上直久¹、川又修一¹、奥田修一¹ (1.大阪府大研究推進)

11:00 〜 11:15

[19a-Z29-8] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学(18)窒素関連吸収の複ピーク

〇井上直久¹、川又修一¹、奥田修一¹ (1.大阪府大研究推進)

11:15 〜 11:30

[19a-Z29-9] シリコン結晶中の低濃度炭素の測定(ⅩⅩII) 赤外吸収測定法規格の改訂再開

〇井上直久¹、奥田修一¹、川又修一¹ (1.大阪府大研究推進)

一般セッション(口頭講演)

[19p-Z29-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

2021年3月19日(金) 13:00 〜 16:45 Z29 (Z29)

鳥越和尚(SUMCO)、佐々木拓生(量研機構)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:00 〜 13:15

[19p-Z29-1] 中間バンド型GaPN混晶のキャリア再結合過程の光学的評価：窒素濃度1.4%と3.2%の比較

〇岩井広樹¹、フェルドスサンジーダ¹、鎌田憲彦¹、八木修平¹、矢口裕之¹ (1.埼玉大院理工)

13:15 〜 13:30

[19p-Z29-2] InGaN-LED動作時の禁制帯内励起光照射による非発光再結合準位の検出

〇(M1)千代田夏樹¹、鎌田憲彦¹、矢口裕之¹ (1.埼大工)

13:30 〜 13:45

[19p-Z29-3] 電子線照射Si結晶中のC_iO_i欠陥準位からの自由電子-束縛正孔発光

〇田島道夫^1,2、朝原将太¹、佐竹雄太¹、小椋厚志¹ (1.明治大、2.NPERC-J)

13:45 〜 14:00

[19p-Z29-4] シリコン中のヒ素ドーパントの粒界偏析機構

〇大野裕¹、清水康雄^1,5、 Jie Ren¹、横井達也²、井上耕治¹、永井康介¹、吉田秀人³、沓掛健太朗⁴、藤原航三¹、中村篤智²、松永克志² (1.東北大金研、2.名大工、3.阪大産研、4.理研、5.NIMS)

14:15 〜 14:30

△ [19p-Z29-5] ナノビームX線回折によるHVPE-GaNバルク結晶における単独貫通転位周辺の局所歪解析

〇濱地威明¹、藤平哲也¹、林侑介¹、宇佐美茂佳²、今西正幸²、森勇介²、隅谷和嗣³、今井康彦³、木村滋³、酒井朗¹ (1.阪大院基礎工、2.阪大院工、3.JASRI)

14:30 〜 14:45

[19p-Z29-6] 異なる多孔度を持つPorous Si基板に成長したGaAs膜中の応力緩和の評価

〇小林謙太¹ (1.宮崎大学)

14:45 〜 15:00

△ [19p-Z29-7] 銅ドープした臭化鉛メチルアンモニウム結晶構造

〇中尾航大¹、 Amr Elattar¹、三島颯司¹、井上寛隆¹、鈴木弘朗¹、西川亘¹、林靖彦¹ (1.岡山大学)

15:00 〜 15:15

[19p-Z29-8] ESRを用いたFeドープGaNのx線照射と熱アニーリング効果

〇赤瀬薫¹、濱﨑裕也¹、甲斐綾子¹ (1.山口大院創成科学)

15:30 〜 15:45

△ [19p-Z29-9] 200 mm（8インチ）FZシリコンの結晶成長過程における結晶成長界面変形の数値解析

〇宮田賢大¹、韓学峰²、中野智²、劉鑫²、柿本浩一^1,2 (1.九大院工、2.九大応力研)

15:45 〜 16:00

[19p-Z29-10] 磁場印加CZ-Si育成過程における酸素の移動現象

〇柿本浩一¹、 LIU Xin¹、中野智¹ (1.九大応力研)

16:00 〜 16:15

△ [19p-Z29-11] ANNポテンシャルを用いたSi結晶中の原子空孔クラスターに関する大規模計算(2)

〇(M1)後口拓登¹、横井達矢²、野田祐輔³、神山栄治⁴、大櫃万聖¹、永倉大樹¹、末岡浩治⁴ (1.岡山県大院情報系工、2.名古屋大院工、3.金沢学院大経済情報、4.岡山県大情報工)

16:15 〜 16:30

△ [19p-Z29-12] ANNポテンシャルを用いたSi結晶中の格子間Siクラスターの理論計算(2)

〇(M1)大櫃万聖¹、横井達矢²、野田祐輔³、神山栄治⁴、後口拓登¹、永倉大樹¹、末岡浩治⁴ (1.岡山県大院情報系工、2.名古屋大院工、3.金沢学院大経済情報、4.岡山県大情報工)

16:30 〜 16:45

[19p-Z29-13] As-grown Si単結晶中の格子間Si系欠陥形態の考察

〇神山栄治^1,2、末岡浩治² (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県大情報工)

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[16p-P03-1~1] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

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[19a-Z29-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19a-Z29-1] 3次元積層型CIS向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの特性（I）
-炭化水素分子イオン注入ウェーハによるSiO₂/Si界面準位欠陥の低減-

△ [19a-Z29-2] 3次元積層型CIS向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの特性（II）
–CH₄Nイオン注入誘起欠陥の熱的分解挙動の加熱TEMその場観察–

△ [19a-Z29-3] 3次元積層型CIS向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの特性（Ⅲ）
-シリコン系分子イオン注入のゲッタリング特性-

[19a-Z29-4] 3次元積層型CIS向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの特性（IV）
-Dark current spectroscopy法によるエピタキシャル層注入ウェーハの白キズ欠陥の抑制メカニズム解析-

[19a-Z29-5] 窒化膜から導入されたシリコン基板中の水素の熱的挙動

[19a-Z29-6] シリコンウェーハ中炭素関連結晶欠陥のパワーデバイス特性への影響

[19a-Z29-7] シリコン結晶基板の品質と点欠陥(5) 正方形複合体NN, CiOi, NO, O2iの赤外吸収

[19a-Z29-8] シリコン結晶の高感度赤外吸収と赤外欠陥動力学(18)窒素関連吸収の複ピーク

[19a-Z29-9] シリコン結晶中の低濃度炭素の測定(ⅩⅩII) 赤外吸収測定法規格の改訂再開

[19p-Z29-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19p-Z29-1] 中間バンド型GaPN混晶のキャリア再結合過程の光学的評価：窒素濃度1.4%と3.2%の比較

[19p-Z29-2] InGaN-LED動作時の禁制帯内励起光照射による非発光再結合準位の検出

[19p-Z29-3] 電子線照射Si結晶中のC_iO_i欠陥準位からの自由電子-束縛正孔発光

[19p-Z29-4] シリコン中のヒ素ドーパントの粒界偏析機構

△ [19p-Z29-5] ナノビームX線回折によるHVPE-GaNバルク結晶における単独貫通転位周辺の局所歪解析

[19p-Z29-6] 異なる多孔度を持つPorous Si基板に成長したGaAs膜中の応力緩和の評価

△ [19p-Z29-7] 銅ドープした臭化鉛メチルアンモニウム結晶構造

[19p-Z29-8] ESRを用いたFeドープGaNのx線照射と熱アニーリング効果

△ [19p-Z29-9] 200 mm（8インチ）FZシリコンの結晶成長過程における結晶成長界面変形の数値解析

[19p-Z29-10] 磁場印加CZ-Si育成過程における酸素の移動現象

△ [19p-Z29-11] ANNポテンシャルを用いたSi結晶中の原子空孔クラスターに関する大規模計算(2)

△ [19p-Z29-12] ANNポテンシャルを用いたSi結晶中の格子間Siクラスターの理論計算(2)

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[16p-P03-1~1] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

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△ [19a-Z29-3] 3次元積層型CIS向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの特性（Ⅲ）-シリコン系分子イオン注入のゲッタリング特性-

[19p-Z29-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [19p-Z29-5] ナノビームX線回折によるHVPE-GaNバルク結晶における単独貫通転位周辺の局所歪解析

△ [19p-Z29-7] 銅ドープした臭化鉛メチルアンモニウム結晶構造

△ [19p-Z29-9] 200 mm（8インチ）FZシリコンの結晶成長過程における結晶成長界面変形の数値解析

△ [19p-Z29-11] ANNポテンシャルを用いたSi結晶中の原子空孔クラスターに関する大規模計算(2)

△ [19p-Z29-12] ANNポテンシャルを用いたSi結晶中の格子間Siクラスターの理論計算(2)

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△ [19a-Z29-2] 3次元積層型CIS向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの特性（II）
–CH₄Nイオン注入誘起欠陥の熱的分解挙動の加熱TEMその場観察–

△ [19a-Z29-3] 3次元積層型CIS向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの特性（Ⅲ）
-シリコン系分子イオン注入のゲッタリング特性-