一般セッション(口頭講演)

[19p-D3-1~14] 14.1 探索的材料物性

2014年3月19日(水) 14:00 〜 17:45 D3 (D114)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

14:00 〜 14:15

[19p-D3-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）共有結合性半導体におけるチャネル構造とその電子物性（バンドギャップと有効質量）との関係

^○松下雄一郎^1,2，押山淳¹ (東大院工¹，マックスプランク²)

14:15 〜 14:30

[19p-D3-2] 反射率測定によるK₈Ga₈Si₃₈クラスレートのバンド構造評価

^○飯岡優¹，鵜殿治彦¹，今井基晴²，青木正人³ (茨城大¹，物材機構²，岐阜大³)

14:30 〜 14:45

[19p-D3-3] 希土類酸化物Y_2(1-x)Tb_2xO₃混晶系のラマン散乱

^○知花優太郎，成瀬寛峰，小田久哉，山中明生 (千歳科学技術大)

14:45 〜 15:00

[19p-D3-4] RF スパッタ作製Zn₃N₂ 膜の光学定数

^○（M2）設楽知彰，櫻井航平，宮崎卓幸，安達定雄 (群馬大院理工)

15:00 〜 15:15

[19p-D3-5] 希薄磁性半導体GaGdAs:Siの電気特性評価と逆格子マッピング

^○大西吉行，松本翔太郎，舩城央，宮川勇人，小柴俊，鶴町徳昭，中西俊介 (香大工)

15:15 〜 15:30

[19p-D3-6] Ar雰囲気中アニールによるMg2Si膜固相合成におけるマグネシウム蒸発の観察

^○池畑隆，高木雄太，山本拓也，張月，佐藤直幸，鵜殿治彦 (茨城大工)

15:30 〜 15:45

[19p-D3-7] RBSによるβ-FeSi₂のCu拡散挙動の検討

^○野口雄也¹，水城達也¹，川久保雄基¹，平田智昭¹，香川成矢¹，永露友宏¹，岩本僚太郎¹，柴原幸平¹，鳴海一雅²，前田佳均^1,2 (九工大院情報工¹，原子力機構²)

15:45 〜 16:00

△ [19p-D3-8] Cuドープによるβ-FeSi₂ナノ結晶の赤外発光増強

^○平田智昭¹，香川成矢¹，永露友宏¹，柴原幸平¹，岩本僚太郎¹，川久保雄基¹，野口雄也¹，水城達也¹，鳴海一雅²，境誠司²，前田佳均^1,2 (九工大院情報工¹，原子力機構²)

休憩 16:00〜16:15 （16:00 〜 16:15）

16:15 〜 16:30

[19p-D3-9] β-FeSi₂エピタキシャル膜におけるFKO振動の観測と表面フェルミ準位の評価

^○（B）塚本裕明，山口陽己，服部哲，東貴彦，寺井慶和 (鹿児島大工)

16:30 〜 16:45

[19p-D3-10] スパッタリング法による低残留キャリア密度β-FeSi₂多結晶薄膜の作製と電気伝導機構の評価

^○（B）服部哲，東貴彦，塚本裕明，山口陽己，寺井慶和 (鹿児島大工)

16:45 〜 17:00

[19p-D3-11] β-FeSi₂の電気特性‐膜厚依存性

^○嘉藤貴史¹，稲村太一¹，佐々木亮人³，青木克明³，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，東芝マテリアル³)

17:00 〜 17:15

[19p-D3-12] リモート水素プラズマ支援によるFeシリサイドナノドットの高密度形成

^○張海¹，牧原克典¹，大田晃生²，池田弥央³，宮崎誠一¹ (名大院工¹，名大VBL²，広大院先端研³)

17:15 〜 17:30

[19p-D3-13] Si粒子表面に形成したβ-FeSi₂の光触媒効果による水素生成

^○秋山賢輔¹，高橋亮¹，吉水暢治²，舟窪浩³，入江寛²，松本佳久¹ (神奈川県産技セ¹，山梨大²，東工大総理工³)

17:30 〜 17:45

[19p-D3-14] Fe₃Si/Siヘテロ界面の軸配向性の評価

^○川久保雄基¹，野口雄也¹，水城達也¹，鳴海一雅²，境誠司²，浜屋宏平³，宮尾正信³，前田佳均^1,2 (九工大院情報工¹，原子力機構ＡＳＲＣ²，九大院システム情報³)

一般セッション(ポスター講演)

[19a-PG3-1~13] 14.1 探索的材料物性

2014年3月19日(水) 09:30 〜 11:30 PG3 (G棟2階)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:30 〜 11:30

[19a-PG3-1] β-FeSi₂薄膜におけるラマンスペクトルの温度依存性

^○山口陽己，塚本裕明，服部哲，東貴彦，寺井慶和 (鹿児島大工)

09:30 〜 11:30

[19a-PG3-2] β-FeSi₂/Si多結晶薄膜におけるPRスペクトルの評価

^○東貴彦，服部哲，塚本裕明，山口陽己 (鹿児島大工)

09:30 〜 11:30

[19a-PG3-3] β-FeSi₂の抵抗率熱処理依存性

^○稲村太一¹，嘉藤貴史¹，佐々木亮人³，青木克明³，角嶋邦之²，片岡好則²，西山彰²，杉井信之²，若林整²，筒井一生²，名取研二¹，岩井洋¹ (東工大フロンティア研¹，東工大総理工²，東芝マテリアル³)

09:30 〜 11:30

▲ [19a-PG3-4] Electric properties of Carbon doped β-FeSi2 /Si heterojunction photodiodes

^○TarekMostafa，SuguruFunasaki，MotokiTakahara，ShabanMahmoud，TsuyoshiYoshitake (Kyushu University)

09:30 〜 11:30

[19a-PG3-5] リング状電極Mg₂Si pn接合フォトダイオードの作製と特性評価

竹崎誠朗¹，^○大徳健太¹，谷川俊太郎²，津谷大樹²，鵜殿治彦¹ (茨城大院¹，NIMS²)

09:30 〜 11:30

[19a-PG3-6] 融液成長Mg2Si結晶へのBi,Sb添加による格子と熱伝導率への影響

^○大竹秀明，蓮沼慎，鵜殿治彦 (茨城大)

09:30 〜 11:30

[19a-PG3-7] AIC多結晶Si基板上へのMg₂Si薄膜の固相成長

^○川口覚，日高翔，橋本哲弥，勝俣裕 (明治大)

09:30 〜 11:30

▲ [19a-PG3-8] CaSi₂/Si基板を用いて作製したSi基ナノシート束

孟二超¹，今川晴雄²，孟祥¹，中根海斗¹，白橋侑弥¹，佐藤雄亮¹，鈴木博明¹，板原浩²，^○立岡浩一¹ (静岡大¹，豊田中研²)

09:30 〜 11:30

[19a-PG3-9] 三元系Siクラスレートの探索

^○今井基晴，ShivaKumarSingh (物材機構)

09:30 〜 11:30

[19a-PG3-10] リチウム二次電池正極材料Li₅SiN₃の結晶作成と物性評価

^○（B）竹内優作¹，山下大輝¹，栗山一男¹，串田一雅² (法大理工¹，大阪教育大²)

09:30 〜 11:30

[19a-PG3-11] MBE法により作製したZnSnAs2薄膜のGaドーピング効果

内山高志，大前洸人，豊田英之，^○加藤孝弘，内富直隆 (長岡技大)

09:30 〜 11:30

[19a-PG3-12] 新規鉛化物Na₂MgPbの結晶構造と電気的特性

^○山田高広¹，池田卓史²，山根久典¹ (東北大多元研¹，産総研²)

09:30 〜 11:30

[19a-PG3-13] アモルファス窒化炭素の発光及び励起スペクトル

^○福井一俊¹，伊藤大輝¹，山本晃司²，亀本健太³，財部健一³，中村重之⁴，佐竹聖樹⁵，伊藤國雄⁵，山本伸一⁵ (福井大工¹，福井大遠赤セ²，岡理大理³，津山高専⁴，龍谷大工⁵)

一般セッション(口頭講演)

[20a-D3-1~11] 14.1 探索的材料物性

2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:00 D3 (D114)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

▲ [20a-D3-1] Formation of B-doped BaSi₂ films by RF sputtering on a heated glass substrate

^○（M1）NurulAmalAbdullatiff¹，米山貴裕¹，召田雅実²，倉持豪人²，都甲薫¹，末益崇^1,3 (筑波大院電子・物理工学専攻¹，東ソー²，JST-CREST³)

09:15 〜 09:30

[20a-D3-2] BaSi₂エピタキシャル薄膜へのAsイオン注入と高温アニール

^○原康祐^1,2，宇佐美徳隆^1,2，馬場正和³，都甲薫³，末益崇^2,3 (名大院工¹，JST-CREST²，筑波大院³)

09:30 〜 09:45

[20a-D3-3] BaSi₂エピタキシャル膜におけるPの拡散係数評価

^○（M1）章寧¹，馬場正和¹，WeijieDu¹，小池信太郎¹，高部涼太¹，都甲薫¹，末益崇^1,2 (筑波大¹，CREST-JST²)

09:45 〜 10:00

[20a-D3-4] KFM 法によるB 添加p 型BaSi₂ エピタキシャル薄膜表面のポテンシャル分布

^○馬場正和¹，塚原大地¹，WeijieDu¹，都甲薫¹，渡辺健太郎¹，原康介²，宇佐美徳隆^2,3，末益崇^1,3 (筑波大院数理¹，名大²，JST-CREST³)

10:00 〜 10:15

[20a-D3-5] KFM法によるSb-doped BaSi₂薄膜表面の粒界ポテンシャル評価

^○塚原大地¹，馬場正和¹，髙部涼太¹，都甲薫¹，渡辺健太郎¹，原康介²，宇佐美徳隆^2,3，末益崇^1,3 (筑波大院数理物質科学¹，名大²，ＪＳＴ－ＣＲＥＳＴ³)

10:15 〜 10:30

[20a-D3-6] アンドープn型BaSi₂エピタキシャル膜少数キャリア寿命の結晶粒径依存

^○高部涼太¹，原康祐²，馬場正和¹，WeijieDu¹，都甲薫¹，宇佐美徳隆^2,3，末益崇^1,3 (筑波大院¹，名大²，JST-CREST³)

休憩 10:30〜10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

▲ [20a-D3-7] I-V and C-V characteristics of the metal/undoped-BaSi₂ Schottky diodes

^○杜偉杰¹，馬場正和¹，高部涼太¹，章寧¹，小池信太郎¹，都甲薫¹，宇佐美徳隆^2,3，末益崇^1,3 (筑波大院¹，名大²，JST-CREST³)

11:00 〜 11:15

[20a-D3-8] DLTS法によるアンドープn-BaSi₂エピタキシャル膜中の欠陥準位評価

^○武内大樹¹，WeijieDu¹，馬場正和¹，高部涼太¹，都甲薫¹，末益崇^1,2 (筑波大院¹，JST-CREST²)

11:15 〜 11:30

[20a-D3-9] バリウムシリサイド半導体を用いたショットキー型太陽電池に関する研究

^○佐々木亮人¹，青木克明¹，片岡好則¹，小林薫平¹，稲村太一²，角嶋邦之³，岩井洋² (東芝マテリアル¹，東工大フロンティア研²，東工大総理工³)

11:30 〜 11:45

[20a-D3-10] 真空蒸着法によるSi基板上へのBaSi₂薄膜の作製

^○（B）中川慶彦¹，原康祐^1,2，宇佐美徳隆^1,2，末益崇^2,3 (名大工¹，JST-CREST²，筑波大³)

11:45 〜 12:00

△ [20a-D3-11] 真空蒸着法によるガラス基板上へのBaSi₂薄膜の作製と評価

^○原康祐^1,2，中川慶彦¹，宇佐美徳隆^1,2，末益崇^2,3 (名大院工¹，JST-CREST²，筑波大院³)

セッション一覧

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.1 探索的材料物性

[19p-D3-1~14] 14.1 探索的材料物性

△ [19p-D3-8] Cuドープによるβ-FeSi2ナノ結晶の赤外発光増強

[19a-PG3-1~13] 14.1 探索的材料物性

▲ [19a-PG3-4] Electric properties of Carbon doped β-FeSi2 /Si heterojunction photodiodes

▲ [19a-PG3-8] CaSi2/Si基板を用いて作製したSi基ナノシート束

[20a-D3-1~11] 14.1 探索的材料物性

▲ [20a-D3-1] Formation of B-doped BaSi2 films by RF sputtering on a heated glass substrate

▲ [20a-D3-7] I-V and C-V characteristics of the metal/undoped-BaSi2 Schottky diodes

△ [20a-D3-11] 真空蒸着法によるガラス基板上へのBaSi2薄膜の作製と評価

△ [19p-D3-8] Cuドープによるβ-FeSi₂ナノ結晶の赤外発光増強

▲ [19a-PG3-8] CaSi₂/Si基板を用いて作製したSi基ナノシート束

▲ [20a-D3-1] Formation of B-doped BaSi₂ films by RF sputtering on a heated glass substrate

▲ [20a-D3-7] I-V and C-V characteristics of the metal/undoped-BaSi₂ Schottky diodes

△ [20a-D3-11] 真空蒸着法によるガラス基板上へのBaSi₂薄膜の作製と評価