一般セッション(ポスター講演)

[18p-PA7-1~2] 8.4 プラズマエッチング

2014年3月18日(火) 13:30 〜 15:30 PA7 (アリーナ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 15:30

[18p-PA7-1] ＵＶアシストHeプラズマによりエッチングしたn-GaN結晶の表面ダメージの分析

^○新部正人¹，平井翔大¹，川上烈生²，白濱達夫²，中野由崇³，向井孝志⁴ (兵庫県立大高度研¹，德島大院工²，中部大総工研³，日亜化学⁴)

13:30 〜 15:30

[18p-PA7-2] 第一原理計算に基づくHプラズマによるSi表面のエッチングレートの解析

^○稲垣耕司^1,2，森川良忠¹，安武潔^1,2 (阪大院工¹，CREST-JST²)

一般セッション(口頭講演)

[19a-F6-1~6] 8.4 プラズマエッチング

2014年3月19日(水) 11:00 〜 12:30 F6 (F306)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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11:00 〜 11:15

[19a-F6-1] プラズマプロセス中のポリメタクリル酸メチル（PMMA）表面の実時間・その場電子スピン共鳴法による反応解析

^○（PC）宮脇雄大¹，王浩然¹，石川健治¹，近藤祐介¹，竹田圭吾¹，近藤博基¹，堀邊英夫²，関根誠¹，堀勝¹ (名大院工¹，大阪市大²)

11:15 〜 11:30

[19a-F6-2] 分子動力学法による塩素系プラズマSiエッチングの表面反応解析：エッチング副生成物イオンの斜め入射

^○（D）中崎暢也，鷹尾祥典，江利口浩二，斧高一 (京大院工)

11:30 〜 11:45

[19a-F6-3] 大容量キャパシタ向け高アスペクト比TSVエッチングプロセスの開発

^○村山貴英^1,2，作石敏幸^1,2，森川泰宏^1,2，鄒弘綱^1,2 (NMEMS技研機構¹，アルバック半電研²)

11:45 〜 12:00

[19a-F6-4] 誘導結合Cl₂プラズマSiエッチングにおける表面ラフネスの解析

^○（D）中崎暢也¹，松本悠²，鷹尾祥典¹，江利口浩二¹，斧高一¹ (京大院工¹，京大工²)

12:00 〜 12:15

[19a-F6-5] プラズマ光と表面の相互作用の解明

^○張彦¹，石川健治¹，関根誠¹，深沢正永²，長畑和典²，冨谷茂隆²，辰巳哲也²，竹田圭吾²，近藤博基¹，堀勝¹ (名大¹，ソニー²)

12:15 〜 12:30

[19a-F6-6] CH₄/H₂プラズマによるGaNの高温エッチング

^○（M1）加古隆，劉沢セイ，石川健治，小田修，竹田圭吾，近藤博基，関根誠，堀勝 (名大院工)

一般セッション(口頭講演)

[19p-F6-1~18] 8.4 プラズマエッチング

2014年3月19日(水) 14:00 〜 19:00 F6 (F306)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 12:30〜14:00 （12:30 〜 14:00）

14:00 〜 14:15

[19p-F6-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）CH_xF_yプラズマエッチング時のSiO₂/Si界面準位の生成

^○重歳卓志，深沢正永，長畑和典，辰巳哲也 (ソニー)

14:15 〜 14:30

△ [19p-F6-2] LaAlSiO_xのドライエッチング特性

^○松田和久，佐々木俊行，大村光広，林久貴 (東芝 S&S社)

14:30 〜 14:45

△ [19p-F6-3] 強磁性体金属材料エッチングにおける金属カルボニル生成の効果

^○溝谷浩平，三宅啓太，礒部倫郎，唐橋一浩，浜口智志 (阪大工)

14:45 〜 15:00

△ [19p-F6-4] CHxイオンによる透明電極材料エッチング反応

^○李虎¹，村木裕¹，唐橋一浩¹，深沢正永²，長畑和典²，辰巳哲也²，浜口智志¹ (阪大院工¹，ソニー²)

15:00 〜 15:15

△ [19p-F6-5] CH_xF_yプラズマにおける活性種生成過程とエッチング機構の解明(IV)

^○（DC）近藤祐介，宮脇雄大，竹田圭吾，近藤博基，田嶋聡美，石川健治，林俊雄，関根誠，堀勝 (名大院工)

15:15 〜 15:30

△ [19p-F6-6] 量産用プラズマエッチング装置における剥離パーティクルの突発的多量発生

^○笠嶋悠司，本村大成，鍋岡奈津子，上杉文彦 (産総研生産計測)

休憩 15:30〜15:45 （15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

△ [19p-F6-7] 高温における窒化ガリウム(GaN)のエッチング機構(4)

^○（M2）劉沢セイ，加古隆，石川健治，小田修，竹田圭吾，近藤博基，関根誠，堀勝 (名大院工)

16:00 〜 16:15

▼ [19p-F6-8] Mechanism of Surface Roughness of ArF Photoresist During HBr Plasma Etching Processes (2)

^○（M1）張彦，石川健治，竹田圭吾，近藤博基，関根誠，堀勝 (Nagoya Univ.)

16:15 〜 16:30

[19p-F6-9] プラズマ誘起Si基板ダメージの熱処理回復過程の検討(1)

^○江利口浩二¹，深沢正永²，鷹尾祥典¹，辰巳哲也²，斧高一¹ (京大院工¹，ソニー²)

16:30 〜 16:45

[19p-F6-10] プラズマチャージングダメージによるMOSFETランダムテレグラフノイズ(RTN)特性の変動

亀井政幸，^○江利口浩二，鷹尾祥典，斧高一 (京大院工)

16:45 〜 17:00

[19p-F6-11] Si、SiO2およびSiNにおけるSiBrxイオンによる反応

^○唐橋一浩¹，村木裕¹，李虎¹，松隈正明²，浜口智志¹ (阪大院工¹，東京エレクトロン²)

17:00 〜 17:15

[19p-F6-12] COクラスターの生成および評価

^○唐橋一浩¹，瀬木利夫²，松尾二郎²，浜口智志¹ (阪大院工¹，京大院工²)

休憩 17:15〜17:30 （17:15 〜 17:30）

17:30 〜 17:45

[19p-F6-13] オンウェハモニタリングによるプラズマエッチング形状異常予測

^○久保田智広¹，佐藤充男²，岩崎拓也³，小野耕平³，寒川誠二^1,4 (東北大流体研¹，原田産業²，みずほ情報送検³，東北大WPI-AIMR⁴)

17:45 〜 18:00

[19p-F6-14] バイオテンプレートを用いた中性粒子ビーム加工によるGeナノディスク作製

^○エルマンモハマド^1,5，岡田健¹，磯田大河^3,5，伊藤公平^3,5，山下一郎^4,5，寒川誠二^1,2,5 (東北大流体研¹，東北大WPI²，慶大³，奈良先端大⁴，JST-CREST⁵)

18:00 〜 18:15

▲ [19p-F6-15] Damage-free AlGaN/GaN Recess-Gate Etching using Cl₂ Neutral Beam

^○HalubaiSekhar¹，久保田智広¹，岡田健^1,4，太田実雄³，藤岡洋^3,4，寒川誠二^1,2,4 (東北大流体研¹，東北大WPI-AIMR²，東大生産研³，JST-CREST⁴)

18:15 〜 18:30

▲ [19p-F6-16] Activation energy measurement of chlorine neutral beam etching of GaAs

^○ThomasCedric¹，田村洋典¹，肥後昭男²，岡田健¹，寒川誠二^1,2 (東北大流体研¹，東北大WPI²)

18:30 〜 18:45

[19p-F6-17] CF_4-x(x=0-3)化合物の超励起状態とイオン化

^○林俊雄，石川健治，関根誠，堀勝 (名大)

18:45 〜 19:00

[19p-F6-18] 化合物半導体ドライエッチングにおける残留水分抑制の検討

^○辻幸洋，町長賢一，稲田博史，勝山造 (住友電工)

セッション一覧

08．プラズマエレクトロニクス » 8.4 プラズマエッチング

[18p-PA7-1~2] 8.4 プラズマエッチング

[18p-PA7-1] ＵＶアシストHeプラズマによりエッチングしたn-GaN結晶の表面ダメージの分析

[18p-PA7-2] 第一原理計算に基づくHプラズマによるSi表面のエッチングレートの解析

[19a-F6-1~6] 8.4 プラズマエッチング

[19a-F6-1] プラズマプロセス中のポリメタクリル酸メチル（PMMA）表面の実時間・その場電子スピン共鳴法による反応解析

[19a-F6-2] 分子動力学法による塩素系プラズマSiエッチングの表面反応解析：エッチング副生成物イオンの斜め入射

[19a-F6-3] 大容量キャパシタ向け高アスペクト比TSVエッチングプロセスの開発

[19a-F6-4] 誘導結合Cl₂プラズマSiエッチングにおける表面ラフネスの解析

[19a-F6-5] プラズマ光と表面の相互作用の解明

[19a-F6-6] CH₄/H₂プラズマによるGaNの高温エッチング

[19p-F6-1~18] 8.4 プラズマエッチング

[19p-F6-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）CH_xF_yプラズマエッチング時のSiO₂/Si界面準位の生成

△ [19p-F6-2] LaAlSiO_xのドライエッチング特性

△ [19p-F6-3] 強磁性体金属材料エッチングにおける金属カルボニル生成の効果

△ [19p-F6-4] CHxイオンによる透明電極材料エッチング反応

△ [19p-F6-5] CH_xF_yプラズマにおける活性種生成過程とエッチング機構の解明(IV)

△ [19p-F6-6] 量産用プラズマエッチング装置における剥離パーティクルの突発的多量発生

△ [19p-F6-7] 高温における窒化ガリウム(GaN)のエッチング機構(4)

▼ [19p-F6-8] Mechanism of Surface Roughness of ArF Photoresist During HBr Plasma Etching Processes (2)

[19p-F6-9] プラズマ誘起Si基板ダメージの熱処理回復過程の検討(1)

[19p-F6-10] プラズマチャージングダメージによるMOSFETランダムテレグラフノイズ(RTN)特性の変動

[19p-F6-11] Si、SiO2およびSiNにおけるSiBrxイオンによる反応

[19p-F6-12] COクラスターの生成および評価

[19p-F6-13] オンウェハモニタリングによるプラズマエッチング形状異常予測

[19p-F6-14] バイオテンプレートを用いた中性粒子ビーム加工によるGeナノディスク作製

▲ [19p-F6-15] Damage-free AlGaN/GaN Recess-Gate Etching using Cl₂ Neutral Beam

▲ [19p-F6-16] Activation energy measurement of chlorine neutral beam etching of GaAs

[19p-F6-17] CF_4-x(x=0-3)化合物の超励起状態とイオン化

[19p-F6-18] 化合物半導体ドライエッチングにおける残留水分抑制の検討

セッション一覧

08．プラズマエレクトロニクス » 8.4 プラズマエッチング

[18p-PA7-1~2] 8.4 プラズマエッチング

[19a-F6-1~6] 8.4 プラズマエッチング

[19p-F6-1~18] 8.4 プラズマエッチング

△ [19p-F6-2] LaAlSiOxのドライエッチング特性

△ [19p-F6-3] 強磁性体金属材料エッチングにおける金属カルボニル生成の効果

△ [19p-F6-4] CHxイオンによる透明電極材料エッチング反応

△ [19p-F6-5] CHxFyプラズマにおける活性種生成過程とエッチング機構の解明(IV)

△ [19p-F6-6] 量産用プラズマエッチング装置における剥離パーティクルの突発的多量発生

△ [19p-F6-7] 高温における窒化ガリウム(GaN)のエッチング機構(4)

▼ [19p-F6-8] Mechanism of Surface Roughness of ArF Photoresist During HBr Plasma Etching Processes (2)

▲ [19p-F6-15] Damage-free AlGaN/GaN Recess-Gate Etching using Cl2 Neutral Beam

▲ [19p-F6-16] Activation energy measurement of chlorine neutral beam etching of GaAs

△ [19p-F6-2] LaAlSiO_xのドライエッチング特性

△ [19p-F6-5] CH_xF_yプラズマにおける活性種生成過程とエッチング機構の解明(IV)

▲ [19p-F6-15] Damage-free AlGaN/GaN Recess-Gate Etching using Cl₂ Neutral Beam