一般セッション(口頭講演)

[18a-F8-1~13] 5.3 光制御

2014年3月18日(火) 09:00 〜 12:30 F8 (F308)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[18a-F8-1] 電気光学KTN結晶を用いた偏波無依存光スキャナ

^○豊田誠治，宮津純，佐々木雄三，今井欽之，小林潤也 (NTTフォトニクス研究所)

09:15 〜 09:30

[18a-F8-2] KTN偏波無依存光スキャナの実現に向けた歪シミュレーション

^○宮津純，今井欽之，豊田誠治，川村宗範，小林潤也 (NTTフォトニクス研)

09:30 〜 09:45

[18a-F8-3] マルチQPM-LiNbO3導波路を用いたQPSK信号のインライン位相感応増幅

^○遊部雅生^1,3，梅木毅伺¹，竹ノ内弘和¹，宮本裕² (ＮＴＴフォトニクス研¹，ＮＴＴ未来研²，東海大工³)

09:45 〜 10:00

△ [18a-F8-4] 直接接合LN導波路におけるMMIを用いた折り返し型波長合分波器

^○風間拓志，梅木毅伺，遊部雅生，竹ノ内弘和 (NTT)

10:00 〜 10:15

△ [18a-F8-5] 通信波長帯用Ti:MgO:LiNbO₃導波路型偏波選択方向性結合器

^○瀬尾広嗣，大森豊，栖原敏明 (阪大)

10:15 〜 10:30

△ [18a-F8-6] 表面活性化接合/イオンスライス/イオンエッチングによるMgO:LiNbO₃薄膜結晶リッジ導波路の作製

^○田中圭祐，栖原敏明 (阪大院工)

休憩 10:30〜10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[18a-F8-7] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）分極反転構造アレイアンテナ電極電気光学変調器を用いたミリ波帯空間多重無線信号の分離

^○高武直弘，村田博司，岡村康行 (阪大院基礎工)

11:00 〜 11:15

[18a-F8-8] PPMgSLTによる紫外・可視・赤外同時出射CWレーザの開発

冨張康弘，牧尾諭，羽鳥正美，星正幸，^○廣橋淳二，今井浩一，茂手木浩，古川保典 (オキサイド)

11:15 〜 11:30

[18a-F8-9] SHG/THGモノリシックFan-OUT PPMgSLTによる355nm光発生

^○廣橋淳二¹，谷内哲夫²，牧尾諭¹，今井浩一¹，羽鳥正美¹，茂手木浩¹，冨張康弘¹，星正幸¹，古川保典¹ (オキサイド¹，東北大学際研²)

11:30 〜 11:45

[18a-F8-10] PP-LBGOデバイスによる350nm帯発生

坂入光佳¹，^○廣橋淳二¹，羽鳥正美¹，宮澤信太郎^1,2，竹川俊二¹，谷内哲夫³，古川保典¹ (オキサイド¹，早大材研²，東北大学際研³)

11:45 〜 12:00

[18a-F8-11] X軸育成結晶を用いた大口径PPMgLN素子の作製

^○石月秀貴，平等拓範 (分子研)

12:00 〜 12:15

△ [18a-F8-12] 周期空間反転GaAs/AlGaAs導波路における3.4 µm帯差周波発生の変換効率の精密評価

^○吉田成輝，松下智紀，近藤高志 (東大工)

12:15 〜 12:30

[18a-F8-13] 周期空間反転AlGaAs導波路におけるQPM SHGの偏光特性

^○（B）大塚温，松下智紀，近藤高志 (東大工)

一般セッション(口頭講演)

[19a-F8-1~12] 5.3 光制御

2014年3月19日(水) 09:00 〜 12:30 F8 (F308)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[19a-F8-1] ECRプラズマCVD法により製膜したSiON膜のN-H基低減

^○岡崎功太，西英隆，土澤泰，山田浩治，山本剛 (ＮＴＴＭＩ研)

09:15 〜 09:30

[19a-F8-2] 超低損失水素化アモルファスシリコン導波路

^○武井亮平^1,2，眞子祥子^1,2，面田恵美子^1,2，鈴木政雄^1,2，森雅彦^1,2，榊原陽一^1,2，亀井利浩^1,2 (産総研¹，PECST²)

09:30 〜 09:45

[19a-F8-3] 立体化シリコン細線導波路と光ファイバの光波結合

^○吉田知也¹，武井亮平¹，西孝¹，田島渉吾²，面田恵美子¹，長尾昌善¹，三浦登²，森雅彦²，榊原陽一^1,2 (産総研¹，明大院理工²)

09:45 〜 10:00

[19a-F8-4] シリコンナイフエッジテーパを用いた低損失ファイバ結合器

^○前神有里子^1,2，武井亮平^1,2，眞子祥子^1,2，面田恵美子^1,2，佐々木美紀子³，浮田茂也³，天野建^1,3，森雅彦^1,2，亀井利浩^1,2，榊原陽一^1,2 (産総研¹，PECST²，PETRA³)

10:00 〜 10:15

[19a-F8-5] Siプラットフォーム上ハイブリッド集積光源の熱解析

^○羽鳥伸明^1,2，清水隆徳^1,2，岡野誠^2,3，石坂政茂^1,2，山本剛之^1,2，賣野豊^1,2，森雅彦^2,3，中村隆宏^1,2，荒川泰彦^2,4 (ＰＥＴＲＡ¹，ＰＥＣＳＴ²，産総研³，東大⁴)

10:15 〜 10:30

[19a-F8-6] nタイプGe量子井戸短波長発光素子のためのGe仮想基板に関する研究

^○（M1）潘撼，和田一実 (東大院工)

休憩 10:30〜10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:15

[19a-F8-7] 「Invited lecture of overseas researcher」(30min.)中国のシリコンフォトニクスの動向およびシリコン光変調器技術

^○儲涛 (中国科学院半導体所)

11:15 〜 11:30

△ [19a-F8-8] 非対称-金属/Ge/金属素子の試作とその発光特性

^○亀沢翔¹，花田尊徳¹，山本圭介²，王冬¹，中島寛² (九大院¹，九大産学連携センター²)

11:30 〜 11:45

▼ [19a-F8-9] 歪SiGe光変調器における歪誘起自由キャリア効果の増大

^○（D）金栄現^1,2，長田剛規³，秦雅彦³，竹中充^1,2，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST -CREST²，住友化学³)

11:45 〜 12:00

[19a-F8-10] シリコンマイクロディスクを用いた熱光学効果型光変調器

^○田村侑也，徐学俊，澤野憲太郎，丸泉琢也 (都市大工)

12:00 〜 12:15

▲ [19a-F8-11] Electric and Thermal effects on Mach-Zehnder Interferometer Optical Modulator

^○（D）AmritaSana，古谷竜一，雨宮嘉照，横山新 (広島大ナノデバイス・バイオ融合科学研究所)

12:15 〜 12:30

[19a-F8-12] Siフォトニック結晶導波路光変調器での低電圧25 Gbps変調

^○寺田陽祐，馬場俊彦 (横国大・院工)

一般セッション(口頭講演)

[19p-F8-1~17] 5.3 光制御

2014年3月19日(水) 14:00 〜 19:00 F8 (F308)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 12:30〜14:00 （12:30 〜 14:00）

14:00 〜 14:30

[19p-F8-1] 「第11回光・電子集積技術業績賞（林厳雄賞）受賞記念講演」（30分）光・電子集積とシリコンマイクロフォトニクス

^○和田一実 (東大)

14:30 〜 14:45

[19p-F8-2] シリコンフォトニック結晶導波路を用いた小型QPSK変調器

^○渡邊友彦，矢澤直哉，寺田陽祐，馬場俊彦 (横国大・院工)

14:45 〜 15:00

[19p-F8-3] 低温成長シリコン導波路の電流注入屈折率変化

^○武井亮平^1,2，前神有里子^1,2，眞子祥子^1,2，面田恵美子^1,2，吉田知也^1,2，藤方潤一^2,3，榊原陽一^1,2，森雅彦^1,2，亀井利浩^1,2 (産総研¹，PECST²，PETRA³)

15:00 〜 15:15

[19p-F8-4] IPS液晶によるシリコン細線方向性結合器光スイッチ

^○宮崎哲男^1,2，武井亮平²，三浦登¹，森雅彦²，榊原陽一² (明大院理工¹，産総研²)

休憩 15:15〜15:30 （15:15 〜 15:30）

15:30 〜 15:45

[19p-F8-5] 梁構造付加リング共振器型光学素子の検討

^○雨宮嘉照，アムリタクマルサナ，原田祥典，岡田一也，本澤圭太，福山正隆，横山新 (広島大ナノデバイス)

15:45 〜 16:00

[19p-F8-6] 面入射PIN型Geフォトダイオードの検討

^○野口将高^1,2，藤方潤一^1,2，三浦真^1,2，荒川泰彦^1,3 (ＰＥＣＳＴ¹，ＰＥＴＲＡ²，東大³)

16:00 〜 16:15

[19p-F8-7] 自己平坦化n⁺ Ge埋め込み成長技術を用いた超小型butt接合Ge受光器の開発

^○三浦真^1,2，藤方潤一^1,2，野口将高^1,2，荒川泰彦^1,3 (PECST¹，PETRA²，東大生研³)

16:15 〜 16:30

[19p-F8-8] Si上薄膜Ge pinフォトダイオードにおける成長後アニールの影響

^○永友翔，石川靖彦 (東大院工)

16:30 〜 16:45

[19p-F8-9] ホールアレイ型金属回折格子付SOIフォトダイオードにおける分光感度特性

^○佐藤弘明^1,2，岩田将平¹，小野篤史^1,2，猪川洋^1,2 (静岡大電子研¹，静岡大工²)

休憩 16:45〜17:00 （16:45 〜 17:00）

17:00 〜 17:15

[19p-F8-10] 高分子/低分子系有機EL素子における表面プラズモンの散乱特性

^○川瀬博人，乾貴大，川崎将吾，笠原健一 (立命館大)

17:15 〜 17:30

[19p-F8-11] 低駆動電圧動作のEOポリマー光導波路の作製

^○横山士吉¹，山本和広¹，YuFeng¹，AndrewM.Spring¹，前田大輔²，安井圭²，小澤雅昭²，石川佳澄³，細川洋一³，本谷将之³，及川哲³，市川潤一郎³，大友明⁴ (九大先導研¹，日産化学工業²，住友大阪セメント³，NICT⁴)

17:30 〜 17:45

[19p-F8-12] ドナー電子増強型FTC系EOポリマー光導波路デバイスの高周波動作

^○石川佳澄¹，細川洋一¹，本谷将之¹，市川潤一郎¹，山本和広²，横山士吉²，前田大輔³，安井圭³，小澤雅昭³，大友明⁴，及川哲¹ (住友大阪セメント¹，九大先導研²，日産化学工業³，情報通信研究機構⁴)

17:45 〜 18:00

[19p-F8-13] メタクリレート系EOポリマー光導波路デバイスの耐熱性改善

^○大友明，青木勲，太田浩平，山田千由美，山田俊樹 (情通機構)

18:00 〜 18:15

[19p-F8-14] フェムト秒レーザーによるYIGフェライト3次元光造形

^○雨宮智宏¹，石川篤²，庄司雄哉¹，ナムハイファム³，田中雅明³，水本哲弥¹，田中拓男²，荒井滋久¹ (東工大¹，理研²，東大³)

18:15 〜 18:30

[19p-F8-15] MZIアレイ評価用炭酸ガスレーザ照射法の位相測定精度

^○（M2）吉田篤史¹，青野光好¹，千葉明人¹，高田和正¹，岡本勝就² (群大院工¹，AiDi社²)

18:30 〜 18:45

[19p-F8-16] パルスシンセサイザを用いた波長可変なマルチギガヘルツコム光源

^○関智史¹，塩田達歳²，柏木謙¹，田中洋介¹，黒川隆志¹ (農工大院工¹，埼玉大院工²)

18:45 〜 19:00

[19p-F8-17] 鋸歯状光パルスを用いたパケット単位の波長変換

^○柏木謙 (農工大院工)

一般セッション(口頭講演)

[20a-F8-1~11] 5.3 光制御

2014年3月20日(木) 09:00 〜 12:00 F8 (F308)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

▲ [20a-F8-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）Bragg Reflector Waveguide Modulator toward High-Speed Operations and Low Power Consumption

^○顧暁冬¹，松谷晃宏²，小山二三夫¹ (東工大精研¹，東工大技術部²)

09:15 〜 09:30

[20a-F8-2] Bragg反射鏡導波路からのVortexビームの光ファイバ結合の基礎検討

^○田辺賢司¹，顧暁冬¹，松谷晃宏²，小山二三夫¹ (東工大・精研¹，東工大・技術部²)

09:30 〜 09:45

[20a-F8-3] テーパ形状クラッド層を有する2段コア型スポットサイズ変換器による結合損失低減

^○北村崇光，河野直哉，八木英樹，石川務，堀野和彦，木村大資，関守弘，米田昌博，上坂勝己，小路元 (住友電工)

09:45 〜 10:00

[20a-F8-4] 多幅多モード干渉カプラを用いた偏波分離器の提案

^○牛山大樹，盧柱亨，荒川太郎 (横国大院工)

10:00 〜 10:15

[20a-F8-5] バーニャ効果を用いた量子井戸ダブルマイクロリング波長選択スイッチの設計

^○早坂伸之，池原広樹，荒川太郎，國分泰雄 (横国大工)

10:15 〜 10:30

[20a-F8-6] 電界制御型分岐比可変多モード干渉カプラーのテーパー構造を用いた縮小化

^○金子慎，荒川太郎，廬柱亨，川崎直道 (横国大工)

休憩 10:30〜10:45 （10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

△ [20a-F8-7] 半導体量子井戸マイクロリングレーザを用いた全光インバータの静特性

^○（M2）宮本富成，小林広樹，谷口理一，梅原周，カトフレドワン，荒川太郎，國分泰雄 (横国大院工)

11:00 〜 11:15

[20a-F8-8] くびれ酸化狭窄構造を用いた面発光レーザ・変調器集積デバイス

^○高橋雄太，DalirHamed，島田敏和，松谷晃宏，小山二三夫 (東工大)

11:15 〜 11:30

[20a-F8-9] 金属キャビティTMモードMQWレーザの設計と試作

^○沖本拓也，財津優，張柏富，井上智之，種村拓夫，中野義昭 (東大院工)

11:30 〜 11:45

[20a-F8-10] 量子井戸インターミキシングを用いたIII-V CMOSフォトニクス用マルチバンドギャップ貼り合せ基板の作製

^○（M2）倉持美沙^1,2，竹中充^1,2，一宮佑希^1,2，高木信一^1,2 (東大院工¹，JST-CREST²)

11:45 〜 12:00

[20a-F8-11] 中赤外光アンテナ反射率のピッチ幅依存性

^○森俊¹，西村悠希¹，川野貴裕¹，國近祐太¹，笠原健一¹，家路豊成²，池田直樹³，杉本善正³ (立命館大理工¹，立命館大SRセンター²，物材機構³)

一般セッション(口頭講演)

[20p-F8-1~8] 5.3 光制御

2014年3月20日(木) 13:00 〜 15:00 F8 (F308)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食 12:00〜13:00 （12:00 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

[20p-F8-1] プラズモニックInP導波路デバイスのための金属グレーティングカプラの設計

^○野尻悠平，種村拓夫，中野義昭 (東大院工)

13:15 〜 13:30

[20p-F8-2] アクセプタ型フォトニック結晶共振器を用いたバイオセンサー

^○本澤圭太，千日拓馬，原田祥典，雨宮嘉照，横山新 (広島大ナノデバイス・バイオ融合科学研究所)

13:30 〜 13:45

[20p-F8-3] レーザビーム照射Ag フォトドープGeS₂薄膜を用いた光導波路の試作と導波実験

^○（M2C）丸山知英乃¹，飯田知大¹，村上佳久²，若木守明³，新宅敏宏¹ (東京工芸大¹，筑波技術大²，東海大³)

13:45 〜 14:00

[20p-F8-4] 外部変調・半導体全光ゲート型モードロックパルスレーザの外部変調度微弱化

^○長広憲幸，渋谷俊憲，中根隆晃，板垣元，平井恭兵，上野芳康 (電通大)

14:00 〜 14:15

△ [20p-F8-5] ギャッププラズモンとITOを利用したGaInAsP/InP GSPP変調器の特性解析

^○（M2）村井英淳¹，雨宮智宏²，顧之?¹，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2 (東工大電気電子工学専攻¹，東工大量子ナノエレクトニクス研究センター²)

14:15 〜 14:30

△ [20p-F8-6] 磁気光学効果を用いたWGモードの変調と光スイッチングへの応用

^○塩津凌，水戸慎一郎 (東京工業高専)

14:30 〜 14:45

△ [20p-F8-7] 導体ストリップを用いた赤外領域周波数選択性媒質の作製

^○木室翔太郎，藤井厚志，浅田裕法，小野航太朗，久保洋 (山口大)

14:45 〜 15:00

△ [20p-F8-8] SiO₂保護膜を導入した量子井戸無秩序化におけるバンドギャップ波長変化

^○李智恩¹，土居恭平¹，平谷拓生¹，井上大輔¹，雨宮智宏²，西山伸彦¹，荒井滋久^1,2 (東工大¹，量子ナノエレクトロニクス研究センター²)

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05．光エレクトロニクス » 5.3 光制御

[18a-F8-1~13] 5.3 光制御

△ [18a-F8-4] 直接接合LN導波路におけるMMIを用いた折り返し型波長合分波器

△ [18a-F8-5] 通信波長帯用Ti:MgO:LiNbO3導波路型偏波選択方向性結合器

△ [18a-F8-6] 表面活性化接合/イオンスライス/イオンエッチングによるMgO:LiNbO3薄膜結晶リッジ導波路の作製

△ [18a-F8-12] 周期空間反転GaAs/AlGaAs導波路における3.4 µm帯差周波発生の変換効率の精密評価

[19a-F8-1~12] 5.3 光制御

△ [19a-F8-8] 非対称-金属/Ge/金属素子の試作とその発光特性

▼ [19a-F8-9] 歪SiGe光変調器における歪誘起自由キャリア効果の増大

▲ [19a-F8-11] Electric and Thermal effects on Mach-Zehnder Interferometer Optical Modulator

[19p-F8-1~17] 5.3 光制御

[20a-F8-1~11] 5.3 光制御

▲ [20a-F8-1] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）Bragg Reflector Waveguide Modulator toward High-Speed Operations and Low Power Consumption

△ [20a-F8-7] 半導体量子井戸マイクロリングレーザを用いた全光インバータの静特性

[20p-F8-1~8] 5.3 光制御

△ [20p-F8-5] ギャッププラズモンとITOを利用したGaInAsP/InP GSPP変調器の特性解析

△ [20p-F8-6] 磁気光学効果を用いたWGモードの変調と光スイッチングへの応用

△ [20p-F8-7] 導体ストリップを用いた赤外領域周波数選択性媒質の作製

△ [20p-F8-8] SiO2保護膜を導入した量子井戸無秩序化におけるバンドギャップ波長変化

△ [18a-F8-5] 通信波長帯用Ti:MgO:LiNbO₃導波路型偏波選択方向性結合器

△ [18a-F8-6] 表面活性化接合/イオンスライス/イオンエッチングによるMgO:LiNbO₃薄膜結晶リッジ導波路の作製

△ [20p-F8-8] SiO₂保護膜を導入した量子井戸無秩序化におけるバンドギャップ波長変化