〇一宮正義^1,2、Saeki Subaru²、Umakoshi Takayuki²、Kinoshita Takashi³、Ishihara Hajime³、Ashida Masaaki² (1.Univ. of Shiga Pref.、2.Osaka Univ.、3.Osaka Pref. Univ.)

10:30 〜 10:45

▲ [16a-2E-3] Impact of surface charge on spectrally diffusive photoluminescence in GaAs quantum dots grown by droplet epitaxy

〇(P)Neul Ha¹, Takaaki Mano¹, Takashi Kuroda¹, Shun-Jen Cheng², Paul M. Koenraad³, Akihiro Ohtake¹, Yoshiki Sakuma¹, Kazuaki Sakoda¹ (1.NIMS, 2.NCTU-ROC, 3.TU Eindhoven)

10:45 〜 11:00

△ [16a-2E-4] InP光導波路に結合した金属クラッド共振器型光変調器の設計

〇(M2)千枝航¹、張柏富¹、沖本拓也¹、種村拓夫¹、中野義昭¹ (1.東大院工)

11:00 〜 11:15

[16a-2E-5] Penrose共振器における安定軌道モードの近似解

〇福嶋丈浩¹、皿田貴寛¹、坂口浩一郎¹、徳田安紀¹ (1.岡山県立大情報工)

11:15 〜 11:30

△ [16a-2E-6] VCSELのキャリア閉じ込め応用に向けたイオン注入混晶化法の評価

〇(M2)森脇翔平¹、斎藤季¹、國貞彰吾¹、宮本智之¹ (1.東工大総理研)

11:30 〜 11:45

△ [16a-2E-7] 量子井戸構造を導入した結合共振器による二波長面発光レーザの発振

〇(M1)太田寛人¹、前川知久¹、盧翔孟¹、熊谷直人¹、北田貴弘¹、井須俊郎¹ (1.徳島大院フロンティア)

11:45 〜 12:00

[16a-2E-8] 横方向複合共振器面発光レーザによる高速ビームスイッチング動作

〇中濱正統¹、顧暁冬¹、坂口孝浩¹、松谷晃宏²、小山二三夫¹ (1.東工大精研、2.東工大MEMSプロセス)

12:00 〜 12:15

▲ [16a-2E-9] First Demonstration of 850 nm Transverse Coupled Cavity Vertical Cavity Surface-Emitting Laser

〇(PC)XIAODONG GU¹, MASANORI NAKAHAMA¹, AKIHIRO MATSUTANI², FUMIO KOYAMA¹ (1.P&I Lab. Tokyo Tech., 2.Tech. Depart. Tokyo Tech.)

一般セッション(口頭講演)

[16p-2E-1~9] 3.13 半導体光デバイス

2015年9月16日(水) 13:45 〜 16:30 2E (221-1)

座長:丸山武男(金沢大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:45 〜 14:15

[16p-2E-1] [優秀論文賞受賞記念講演] Monolithically Lens-Integrated Photonic Device Arrays for Compact Optical Transceivers

〇篠田和典¹、足立光一朗¹、李英根¹、北谷健¹、深町俊彦¹、山下寛樹¹、竹本享史¹、結城文夫¹、菅原俊樹¹、田中滋久¹、辻伸二¹ (1.日立製作所)

14:15 〜 14:30

[16p-2E-2] 共振点シフトDFB-LDにおける端面位相とレーザー特性との関係

〇(M2)市川敬一郎¹、沼居貴陽¹ (1.立命館理工)

14:30 〜 14:45

[16p-2E-3] 薄膜化したp-GaInAsPベース層を有する
1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性

〇只野翔太郎¹、吉田匠¹、金子貴晃¹、西山伸彦¹、荒井滋久^1,2 (1.東工大電電、2.量子ナノエレクトロニクス研究センター)

14:45 〜 15:00

△ [16p-2E-4] 直接貼付InP/Si基板上MOVPE法によるGaInAsP-InPダブルヘテロレーザの集積

〇松本恵一¹、金谷佳則¹、岸川純也¹、山元雄太¹、鋤柄俊樹¹、西山哲央¹、下村和彦¹ (1.上智大理工)

休憩（15:00 〜 15:15）

15:15 〜 15:30

[16p-2E-5] 外部共振器型多波長同時発振量子ドットレーザの温度安定性

〇安岡奈美¹、石田充²、山口正臣²、植竹理人²、竹本一矢²、山本剛之²、荒川泰彦¹ (1.東大ナノ量子機構、2.富士通研究所)

15:30 〜 15:45

[16p-2E-6] GaP歪補償を用いたInAs/GaAs量子ドットレーザの高速変調特性における障壁層薄膜化効果

〇影山健生¹、渡邉克之²、フイヴォクオック²、武政敬三³、菅原充³、岩本敏^1,2、荒川泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研、3.QDレーザ)

15:45 〜 16:00

[16p-2E-7] p変調ドープInAs/InPダブルキャップ量子ドット構造のドーピング濃度依存性

〇(M2)鋤柄俊樹¹、山元雄太¹、西山哲央¹、下村和彦¹ (1.上智大理工)

16:00 〜 16:15

[16p-2E-8] 分割電極を用いた広帯域多波長InAs量子ドットSLDの光学利得測定

〇尾崎信彦^1,2、Childs David¹、保田拓磨²、大里啓孝³、渡辺英一郎³、池田直樹³、杉本喜正³、Hogg Richard¹ (1.シェフィールド大、2.和歌山大シス工、3.物材機構)

16:15 〜 16:30

[16p-2E-9] Tバンドにおける半導体光アンプ集積・量子ドット光変調デバイス

〇江森俊文^1,2、山本直克¹、赤羽浩一¹、梅沢俊匡¹、松本敦¹、川西哲也^1,3、渡辺克樹^1,2、高井裕司² (1.情報通研、2.電機大、3.早稲田大)

セッション一覧

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[14p-PA8-1~3] 3.13 半導体光デバイス

△ [14p-PA8-1] 利得変調された多モード半導体レーザーにおける時間ジッターの抑制

[14p-PA8-2] InAs/InP ダブルキャップ量子ドットレーザの閾値電流密度共振器長依存性

[14p-PA8-3] Ce:GAGG結晶における光誘起欠陥の吸収分光

[15a-1E-1~10] 3.13 半導体光デバイス

[15a-1E-1] ZnSe-Cu(In,Ga)Se₂薄膜のソーラー水素製造への応用

[15a-1E-2] バイオテンプレート極限加工によるSi_1-xGe_xナノディスクの作製と特性評価

[15a-1E-3] 誘電体ナノ粒子/SiO₂コンポジット構造による拡散反射膜

[15a-1E-4] 有機-無機ハイブリッド型ZnSe系紫外APDの開発～APDアレイのクロストーク特性～

[15a-1E-5] APDにおける過渡的な暗計数の時間・温度依存性

△ [15a-1E-6] 分布反射器を有する半導体薄膜光検出器の構造設計

[15a-1E-7] 赤外用三角障壁フォトトランジスタの暗電流低減と室温動作

△ [15a-1E-8] InP系90^oハイブリッドの低伝搬損失化によるコヒーレントレシーバ用集積受光素子の高感度動作

[15a-1E-9] 表面プラズモン結合による量子ドット赤外線検出器の比検出能向上

[15a-1E-10] 電荷敏感型赤外光子検出器(CSIP)の量子効率向上に向けて

[16a-2E-1~9] 3.13 半導体光デバイス

[16a-2E-1] 紫外光励起された SrAl₂O₄:Eu 単結晶における電子トラップの赤外分光

[16a-2E-2] Enhancement of Nonlinear Optical Signal Using Ultrashort-pulse Excitation in CuCl High-quality Thin Films

▲ [16a-2E-3] Impact of surface charge on spectrally diffusive photoluminescence in GaAs quantum dots grown by droplet epitaxy

△ [16a-2E-4] InP光導波路に結合した金属クラッド共振器型光変調器の設計

[16a-2E-5] Penrose共振器における安定軌道モードの近似解

△ [16a-2E-6] VCSELのキャリア閉じ込め応用に向けたイオン注入混晶化法の評価

△ [16a-2E-7] 量子井戸構造を導入した結合共振器による二波長面発光レーザの発振

[16a-2E-8] 横方向複合共振器面発光レーザによる高速ビームスイッチング動作

▲ [16a-2E-9] First Demonstration of 850 nm Transverse Coupled Cavity Vertical Cavity Surface-Emitting Laser

[16p-2E-1~9] 3.13 半導体光デバイス

[16p-2E-1] [優秀論文賞受賞記念講演] Monolithically Lens-Integrated Photonic Device Arrays for Compact Optical Transceivers

[16p-2E-2] 共振点シフトDFB-LDにおける端面位相とレーザー特性との関係

[16p-2E-3] 薄膜化したp-GaInAsPベース層を有する
1.3-μm帯npn-AlGaInAs/InP トランジスタレーザの発振特性

△ [16p-2E-4] 直接貼付InP/Si基板上MOVPE法によるGaInAsP-InPダブルヘテロレーザの集積

[16p-2E-5] 外部共振器型多波長同時発振量子ドットレーザの温度安定性

[16p-2E-6] GaP歪補償を用いたInAs/GaAs量子ドットレーザの高速変調特性における障壁層薄膜化効果

[16p-2E-7] p変調ドープInAs/InPダブルキャップ量子ドット構造のドーピング濃度依存性

[16p-2E-8] 分割電極を用いた広帯域多波長InAs量子ドットSLDの光学利得測定

[16p-2E-9] Tバンドにおける半導体光アンプ集積・量子ドット光変調デバイス

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[14p-PA8-1~3] 3.13 半導体光デバイス

△ [14p-PA8-1] 利得変調された多モード半導体レーザーにおける時間ジッターの抑制

[15a-1E-1~10] 3.13 半導体光デバイス

△ [15a-1E-6] 分布反射器を有する半導体薄膜光検出器の構造設計

△ [15a-1E-8] InP系90oハイブリッドの低伝搬損失化によるコヒーレントレシーバ用集積受光素子の高感度動作

[16a-2E-1~9] 3.13 半導体光デバイス

▲ [16a-2E-3] Impact of surface charge on spectrally diffusive photoluminescence in GaAs quantum dots grown by droplet epitaxy

△ [16a-2E-4] InP光導波路に結合した金属クラッド共振器型光変調器の設計

△ [16a-2E-6] VCSELのキャリア閉じ込め応用に向けたイオン注入混晶化法の評価

△ [16a-2E-7] 量子井戸構造を導入した結合共振器による二波長面発光レーザの発振

▲ [16a-2E-9] First Demonstration of 850 nm Transverse Coupled Cavity Vertical Cavity Surface-Emitting Laser

[16p-2E-1~9] 3.13 半導体光デバイス

△ [16p-2E-4] 直接貼付InP/Si基板上MOVPE法によるGaInAsP-InPダブルヘテロレーザの集積

認証

△ [15a-1E-8] InP系90^oハイブリッドの低伝搬損失化によるコヒーレントレシーバ用集積受光素子の高感度動作