〇Minsoo Kim^1,², Yuki K. Wakabayashi¹, Ryosho Nakane¹, Masafumi Yokoyama^1,², Mitsuru Takenaka^1,², Shinichi Takagi^1,² (1.The Univ. of Tokyo, 2.JST-CREST)

11:30 〜 11:45

[11a-A23-10] 高In組成InGaAs量子井戸層の挿入によるプレーナ型InGaAsトンネルFETの性能向上の実証

〇(M2)ジサンミン^1,³、市川磨^2,³、長田剛規^2,³、山田永^2,³、竹中充^1,³、高木信一^1,³ (1.東京大工, 2.住友化学, 3.JST CREST)

11:45 〜 12:00

[11a-A23-11] Si/InGaAsヘテロ接合界面縦型トンネルFETのシェル層歪効果

〇冨岡克広^1,²、石坂文哉¹、中井栄治¹、本久順一¹、福井孝志¹ (1.北大院情報科学および量子集積センター, 2.JSTさきがけ)

12:00 〜 12:15

[11a-A23-12] 電界依存型の誘電率を有するゲート絶縁膜を用いた急峻トランジスタの可能性とスイッチング性能の検討

〇太田裕之^1,³、右田真司^1,³、福田浩一¹、鳥海明^2,³ (1.産総研, 2.東大工, 3.JST CREST)

一般セッション(口頭講演)

[11p-A23-1~13] 13.5 デバイス／集積化技術

2015年3月11日(水) 14:00 〜 17:30 A23 (6A-216)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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14:00 〜 14:15

[11p-A23-1] 数nm-CMOS 素子用二次元Si層の検討 (Ⅹ) 水素アニールによる影響

〇鈴木佑弥¹、長嶺由騎¹、青木孝¹、水野智久¹、前田辰郎² (1.神奈川大理, 2.産総研)

14:15 〜 14:30

[11p-A23-2] 数nm-MOS素子用二次元Si層検討（Ⅺ）：C添加による物性変調

〇長嶺由騎¹、鈴木佑弥¹、青木孝¹、水野智久¹ (1.神奈川大理)

14:30 〜 14:45

[11p-A23-3] パターン依存酸化法を応用した直列三重結合シリコン量子ドットの作製

〇内田貴史¹、吉岡勇¹、佐藤光¹、福地厚¹、有田正志¹、藤原聡²、高橋庸夫¹ (1.北大院情報, 2.NTT物性基礎研)

14:45 〜 15:00

[11p-A23-4] ゲート制御性を向上したSi-MOS量子ドットデバイスの作製と評価

〇本田拓夢¹、小寺哲夫^4,⁵、米田淳³、武田健太²、樽茶清悟^2,^3,⁵、小田俊理¹ (1.東工大量子ナノ研, 2.東大, 3.理化学研究所, 4.東工大, 5.東大ナノ量子機構)

15:00 〜 15:15

[11p-A23-5] 低濃度リンドープによるドーパント原子MOSFET

〇高須友貴¹、ダニエルモラル²、水野武志¹、田部道晴¹ (1.静大電研, 2.静大院工)

15:15 〜 15:30

▲ [11p-A23-6] First-principle calculations of the interactions between single phosphorus donor and boron acceptor in the P-B co-doped silicon nanostructures

〇(P)Le The Anh¹, Daniel Moraru², Manoharan Muruganathan¹, Michiharu Tabe², Hiroshi Mizuta^1,³ (1.JAIST, 2.Shizuoka Univ., 3.Univ. of Southampton)

休憩（15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

[11p-A23-7] コンパクトモデルから見たMOSFETのバリステイック特性の可能性

〇名取研二¹ (1.東工大フロンテイア)

16:00 〜 16:15

[11p-A23-8] 単一Si/SiO₂界面トラップのチャージポンピング(CP)特性：P_b０センターの電気的直接観測と従来CP理論の原理的改善

〇土屋敏章¹、小野行徳² (1.島根大総理工, 2.富山大工)

16:15 〜 16:30

△ [11p-A23-9] チャージポンピング電流の実時間計測による電子捕獲過程の解析

〇堀匡寛¹、渡辺時暢¹、土屋敏章²、小野行徳¹ (1.富山大工, 2.島根大総合理工)

16:30 〜 16:45

[11p-A23-10] チャージポンピング電流の実時間計測による電子放出、再結合過程の直接観測

〇堀匡寛¹、渡辺時暢¹、土屋敏章²、小野行徳¹ (1.富山大工, 2.島根大総合理工)

16:45 〜 17:00

[11p-A23-11] 短チャネルトンネルトランジスタにおけるAl-Nイオン注入で形成した深い準位を介する単一電子輸送

〇大野圭司¹、森貴洋²、森山悟士³ (1.理研, 2.産総研, 3.物材機構)

17:00 〜 17:15

[11p-A23-12] Si中の等価電複合不純物の電子状態に関する第一原理計算

〇(DC)飯塚将太¹、中山隆史¹ (1.千葉大理)

17:15 〜 17:30

[11p-A23-13] シリコンPN接合における再結合電流のEDMR観察

〇(M2)古田慧梧¹、小野行徳¹、西内祐樹¹、三谷太希¹、堀匡寛¹ (1.富山大工)

一般セッション(ポスター講演)

[12a-P13-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

2015年3月12日(木) 09:30 〜 11:30 P13 (総合体育館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[12a-P13-1] SiO₂膜中の単一トラップ生成過程の観察

〇与名本欣樹¹ (1.日立横研)

09:30 〜 11:30

[12a-P13-2] n型トンネルトランジスタにおけるPBTI劣化の解析

〇水林亘¹、森貴洋¹、福田浩一¹、柳永勛¹、松川貴¹、石川由紀¹、遠藤和彦¹、大内真一¹、塚田順一¹、山内洋美¹、右田真司¹、森田行則¹、太田裕之¹、昌原明植¹ (1.産総研)

09:30 〜 11:30

[12a-P13-3] ナノワイヤ型ショットキー障壁トンネルFETの動作解析

〇徐泰宇¹、小杉山洋希¹、橋本修一郎¹、武井康平¹、ソンセイ¹、麻田修平¹、張旭¹、若水昂¹、松川貴²、昌原明植²、渡邉孝信¹ (1.早大理工, 2.産総研)

09:30 〜 11:30

[12a-P13-4] 極低ドレイン電圧で急峻なサブスレッショルド特性を持つPNボディコンタクト付きSOI MOSFETの測定結果

〇蔵本陽介¹、森貴之¹、井田次郎¹ (1.金沢工業大学)

09:30 〜 11:30

[12a-P13-5] 引張りひずみSi-on-Insulator (sSOI) 上に形成された圧縮ひずみ Si_0.1Ge_0.9 チャネルpMOSFET における移動度とSS 値の向上

〇池田圭司¹、守山佳彦¹、入沢寿史¹、小野瑞城¹、上牟田雄一¹、小田穣¹、宮木智則¹、黒澤悦男¹、手塚勉¹ (1.産総研GNC)

09:30 〜 11:30

[12a-P13-6] スパッタエピタキシー法を用いたSiGe埋め込みチャネル型p-MOSFET

〇櫻澤健光¹、塚本貴広¹、広瀬信光²、笠松章史²、松井敏明²、三村高志²、須田良幸¹ (1.東京農工大院工, 2.情報通信研究機構)

09:30 〜 11:30

[12a-P13-7] デプレッション型極薄GeSn-pMOSFETs特性のSn濃度依存性

〇前田辰郎¹、Wipakorn Jevasuwan¹、服部浩之¹、内田紀行¹、三浦脩²、田中正俊²、Santos Nuno D. M.³、Vantomme Andre³、Locquet J. -P.³、Lieten R. R.^3,^4,⁵ (1.産総研, 2.横浜国立大学, 3.KU Lueven, 4.IMEC, 5.Entegris)

09:30 〜 11:30

[12a-P13-8] 再成長ソース/ドレインを有するInGaAsマルチゲートMOSFET作製プロセスに関する研究

〇(M1)木下治紀¹、金澤徹¹、祢津誠晃¹、三嶋裕一¹、宮本恭幸¹ (1.東工大院理工)

09:30 〜 11:30

[12a-P13-9] Si単電子トランジスタにおける電界によるドット内準位の変化

〇佐藤光¹、内田貴史¹、吉岡勇¹、福地厚¹、有田正志¹、藤原聡²、高橋庸夫¹ (1.北大院情報, 2.NTT物性基礎研)

09:30 〜 11:30

[12a-P13-10] リソグラフィにより形成されたシリコン2重結合量子ドット内の電子スピン状態のパルス測定

〇堀部浩介¹、小寺哲夫^2,³、小田俊理^1,² (1.東工大量子ナノ研セ, 2.東工大電子物理, 3.東大ナノ量子機構)

09:30 〜 11:30

[12a-P13-11] 超平坦Si/Cu同時研削と残留金属低減処理を用いたSi貫通電極露出工程

〇渡辺直也¹、青柳昌宏¹、片川大輔²、坂東翼³、三井貴彦³、山本栄一³ (1.産業技術総合研究所, 2.アプリシアテクノロジー, 3.岡本工作機械製作所)

一般セッション(口頭講演)

[12p-A23-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

2015年3月12日(木) 14:00 〜 17:30 A23 (6A-216)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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14:00 〜 14:45

[12p-A23-1] [第15回応用物理学会業績賞(研究業績)受賞記念講演] 大容量メモリ技術の産業展開への貢献と三次元集積化技術の先駆的研究

〇小柳光正¹ (1.東北大学)

14:45 〜 15:00

[12p-A23-2] 浮遊ゲート型三次元FinFETフラッシュメモリ電気特性のチャネル形状依存性

〇柳永シュン¹、生田目俊秀²、松川貴¹、遠藤和彦¹、大内真一¹、塚田順一¹、山内洋美¹、石川由紀¹、水林亘¹、森田行則¹、右田真司¹、太田裕之¹、知京豊裕²、昌原明植¹ (1.産総研, 2.物材研)

15:00 〜 15:15

△ [12p-A23-3] 30nm世代NANDフラッシュメモリにおけるRTNの空間及び統計分布のチャネル不純物依存性

〇(M1)富田季宏¹、宮地幸祐¹ (1.信州大院)

15:15 〜 15:30

[12p-A23-4] 信頼性を考慮したストレージクラスメモリとNANDフラッシュメモリを用いたSSDの性能解析

〇瀧下博文¹、田中丸周平^1,²、保坂翔吾¹、上口光¹、竹内健¹ (1.中大理工, 2.東大工)

15:30 〜 15:45

[12p-A23-5] 長期保存に向けたSSDの高信頼手法

〇山崎泉樹¹、田中丸周平^1,²、北村雄太¹、竹内健¹ (1.中大理工, 2.東大工)

15:45 〜 16:00

[12p-A23-6] エンタープライズ向けソリット・ステート・ドライブの高信頼手法

〇山崎泉樹¹、田中丸周平^1,²、竹内健¹ (1.中大理工, 2.東大工)

休憩（16:00 〜 16:15）

16:15 〜 16:30

[12p-A23-7] TLC NAND フラッシュメモリ向け高速,高信頼LDPC符号

〇徳冨司¹、土井雅史¹、蜂谷尚悟¹、田中丸周平¹、竹内健¹ (1.中大理工)

16:30 〜 16:45

[12p-A23-8] TLCフラッシュメモリ向け読み出し電圧の動的最適化及びデータの自動回復技術

〇小林惇朗¹、徳冨司¹、土井雅史¹、蜂谷尚悟¹、田中丸周平¹、竹内健¹ (1.中大理工)

16:45 〜 17:00

▲ [12p-A23-9] Measurements and Statistical Comparison of Four Write Stability Metrics in Bulk CMOS SRAM Cells

〇(D)Hao Qiu¹, Tomoko Mizutani¹, Takuya Saraya¹, Toshiro Hiramoto¹ (1.IIS, Univ. of Tokyo)

17:00 〜 17:15

▼ [12p-A23-10] Statistical Analysis of Four Write Stability Metrics in Fully Depleted Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAM Cells at Low Supply Voltage Down to 0.4V

〇(D)Hao Qiu¹, Tomoko Mizutani¹, Yoshiki Yamamoto², Hideki Makiyama², Tomohiro Yamashita², Hidekazu Oda², Shiro Kamohara², Nobuyuki Sugii², Takuya Saraya¹, Masaharu Kobayashi¹, Toshiro Hiramoto¹ (1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.LEAP)

17:15 〜 17:30

[12p-A23-11] 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMにおける異常不安定セルの最低動作電圧 (V_min) の詳細解

〇水谷朋子¹、山本芳樹²、槇山秀樹²、山下朋弘²、尾田秀一²、蒲原史朗²、杉井信之²、平本俊郎¹ (1.東大生研, 2.LEAP)

一般セッション(口頭講演)

[13a-A23-1~10] 13.5 デバイス／集積化技術

2015年3月13日(金) 09:00 〜 12:30 A23 (6A-216)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[13a-A23-1] パルス光伝導法による非接触テストの開発

〇(M1)清水公志郎¹、福田和樹²、深純平¹、古田正昭¹、吉岡昌雄²、小林一博¹、久保田弘¹、吉永径一³ (1.熊大院自, 2.熊大工, 3.テラプローブ)

09:15 〜 09:30

▲ [13a-A23-2] Development of amorphous Si / crystalline Si heterojunction strip detector for X-ray/gamma ray imaging

〇Xiaosong Yan¹, Yang Tian¹, Shimazoe Kenji¹, Fujiwara Takeshi¹, Takahashi Hiroyuki¹, Ishikura Takeshi², Tomita Hideki³ (1.Univ. Tokyo, 2.Fuji Electric Co. Ltd., 3.Nagoya Univ.)

09:30 〜 09:45

▼ [13a-A23-3] Thermal analysis on a vertical GaN Gunn diode

〇(DC)Wang Ying^1,², Lin-An Yang¹, Jin-Ping Ao², Zhi-Zhe Wang¹, Yue Hao¹ (1.Xidian Univ., 2.Tokushima Univ.)

09:45 〜 10:00

[13a-A23-4] エナジーハーベスト用ショットキーダイオード検討その１

〇宮地晃平¹、松野下誠¹、長谷川直輝^1,²、野地拓匡^1,³、吉田賢史¹、川﨑繁男¹ (1.JAXA宇宙研, 2.京大生存研, 3.首都大理工)

10:00 〜 10:15

[13a-A23-5] ＳＯＩＭＯＳＦＥＴを用いたアンテナ結合ボロメータの基礎検討

〇(M1)植田剛央²、鈴木佑弥²、佐藤弘明^1,²、ティワリアジェイ¹、廣本宣久²、猪川洋^1,² (1.静岡大・電子研, 2.静岡大・工)

10:15 〜 10:30

[13a-A23-6] SOIトランジスタの自己加熱による水素センサの低消費電力化

〇宮田耕¹、竹内豪¹、高橋綱己^1,²、内田建^1,² (1.慶應義塾大学, 2.JST CREST)

休憩（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[13a-A23-6.5] 第6回シリコンテクノロジー分科会論文賞・研究奨励賞授賞式

11:00 〜 11:30

[13a-A23-7] [第6回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] Au/SiO₂ハイブリッド接合を用いた３次元集積回路の開発

〇後藤正英¹、萩原啓¹、井口義則¹、大竹浩¹、更屋拓哉²、日暮栄治²、年吉洋²、平本俊郎² (1.NHK, 2.東大)

11:30 〜 12:00

[13a-A23-8] [第6回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] 大口径化可能な貼り合わせ法によるSi上高性能InGaAs-OI MOSFETの作製

〇金相賢^1,^2,³、一宮佑希^1,²、横山正史¹、中根了昌¹、Li Jian⁴、Kao Yung-Chung⁴、竹中充^1,²、高木信一^1,² (1.東大院工, 2.JST-CREST, 3.Korea Institute of Science and Technology, 4.IntelliEPI, Inc.)