〇(B)Myeongok Kim¹、 Nazmul Ahsan²、 Zacharie Jehl Li Kao²、 Hiroya Matsubayashi³、 Kalainathan Sivaperuman⁴、 Yoshitaka Okada^2,3 (1.Col. Arts and Sci. UTokyo、2.RCAST UTokyo、3.Elec. Eng. UTokyo、4.VIT University)

10:15 〜 10:30

[19a-136-6] 第一原理計算による(Cu,Li)GaS₂系固溶体に関する研究

〇西原弘訓¹、前田毅¹、和田隆博¹ (1.龍谷大理工)

10:45 〜 11:00

△ [19a-136-7] 焼結時VI族蒸気圧および昇温速度によるCu₂ZnSn(S,Se)₄薄膜のS/(S+Se)比の制御

〇(D)杉本寛太¹、中田和吉¹、山田明¹ (1.東工大工学院)

11:00 〜 11:15

[19a-136-8] 希釈H₂Sガスを用いたCu₂Sn_1-xGe_xS₃光吸収層の作製

〇小林純¹、ミョータンテイ¹、百瀬成空²、伊東謙太郎¹、橋本佳男¹ (1.信州大工、2.長野高専)

11:15 〜 11:30

△ [19a-136-9] SnS単相バルク結晶作製と電気特性評価

〇(M1)武村友輝¹、勝部涼司¹、野瀬嘉太郎¹ (1.京大院工)

11:30 〜 11:45

[19a-136-10] Sn-SnS二相試料を蒸発源に用いたSnS単相薄膜作製

〇(M1)武村友輝¹、勝部涼司¹、野瀬嘉太郎¹ (1.京大院工)

11:45 〜 12:00

▲ [19a-136-11] Controlling carrier concentration of SnS by Sb doping

〇(M2)Ashenafi Abadi Elyas¹、 Myo Than Htay^1,2、 Yoshio Hashimoto^1,2、 Kentaro Ito¹、 Noritaka Momose³ (1.Shinshu Univ.、2.ICST, Shinshu Univ.、3.NIT, Nagano coll.)

12:00 〜 12:15

[19a-136-12] サブストレート型CdTe太陽電池におけるCu添加の効果

〇岡本保¹、林優輔¹、渡辺大智¹、村田歩紀¹ (1.木更津高専)

一般セッション(口頭講演)

[19p-136-1~8] 13.9 化合物太陽電池

2018年9月19日(水) 13:45 〜 15:45 136 (3Ｆロビー)

宮崎尚(防衛大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:45 〜 14:00

△ [19p-136-1] 薄膜太陽電池のバッファ層を指向したIIA-Zn-P系化合物群の探索

〇(PC)勝部涼司¹、野瀬嘉太郎¹ (1.京大院工)

14:00 〜 14:15

[19p-136-2] ZnSnP₂吸収層とCu裏面電極との接合の界面構造とキャリア輸送

〇桑野太郎¹、勝部涼司¹、野瀬嘉太郎¹ (1.京大院工)

14:15 〜 14:30

[19p-136-3] 前駆体の濡れ性制御による高平坦性InPの成膜

〇楊宇明¹、勝部涼司¹、野瀬嘉太郎¹ (1.京大院工)

14:30 〜 14:45

[19p-136-4] 直接窒化法と理論計算による高移動度n型およびp型Cu₃N

〇松崎功佑¹、原田航²、熊谷悠¹、越谷翔悟³、木本浩司³、上田茂典³、笹瀬雅人¹、前田祥宏²、須崎友文^1,2、北野政明¹、大場史康^1,2,3、細野秀雄^1,2 (1.東工大元素戦略、2.東工大フロ材研、3.物材機構)

14:45 〜 15:00

[19p-136-5] 電気化学堆積法によるp-NiO/n-ZnO 透明太陽電池の作製

〇(M2)古山実季¹、市村正也¹ (1.名工大)

15:00 〜 15:15

[19p-136-6] 酒石酸添加三段パルス電気化学堆積によるFeS_xO_y薄膜の作製とヘテロ接合への応用

〇(M2)季ブン¹、市村正也¹ (1.名工大)

15:15 〜 15:30

[19p-136-7] 平板基板上に作製したBiI₃薄膜の特性評価

〇都築新大¹、日下部祐衣香¹、 ANISSA ADIWENA PUTRI¹、加藤慎也¹、岸直希¹、曽我哲夫¹ (1.名工大院工)

15:30 〜 15:45

[19p-136-8] ハロゲン化鉛ペロブスカイトにおけるドーパントの特性：第一原理計算による検討

〇赤井慧¹、中山隆史¹ (1.千葉大理)

一般セッション(口頭講演)

[20a-136-1~10] 13.9 化合物太陽電池

2018年9月20日(木) 09:30 〜 12:00 136 (3Ｆロビー)

八木修平(埼玉大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 09:45

[20a-136-1] InGaPホストInP量子ドット太陽電池の電流電圧特性

〇(PC)相原健人¹、中元嵩²、太野垣健¹、岡野好伸²、菅谷武芳¹ (1.産総研、2.都市大)

09:45 〜 10:00

[20a-136-2] 量子ドット太陽電池用Type-II型InAs/GaAsSb量子ドット層の発光特性

〇杉山涼¹、立木象¹、山口浩一¹ (1.電気通信大基盤理工)

10:00 〜 10:15

[20a-136-3] 面内超高密度InAs量子ドット層を導入した量子ドット太陽電池の集光特性

〇(M2)鈴木亮介¹、坂本克好¹、曽我部東馬¹、山口浩一¹ (1.電通大基盤理工)

10:15 〜 10:30

[20a-136-4] InAs量子ドット太陽電池における赤外光照射下の発光スペクトル解析

〇玉置亮¹、庄司靖^1,2、岡田至崇¹ (1.東大先端研、2.産総研)

10:30 〜 10:45

[20a-136-5] 2段階フォトンアップコンバージョン太陽電池における理論変換効率の入射光スペクトル形状依存性

〇原田幸弘¹、松尾哲弘¹、朝日重雄¹、喜多隆¹ (1.神戸大院工)

10:45 〜 11:00

[20a-136-6] フォトンアップコンバージョン太陽電池の照射強度変化によるアップコンバージョンへの影響

〇朝日重雄¹、喜多隆¹ (1.神戸大院工)

11:00 〜 11:15

[20a-136-7] 熱回収型太陽電池の温度特性と熱起電力効果

〇上出健仁¹、望月敏光¹、秋山英文^2,3、高遠秀尚¹ (1.産総研、2.東大物性研、3.OPERANDO-OIL)

11:15 〜 11:30

[20a-136-8] InAs/GaAs量子ドット超格子太陽電池におけるホットキャリア電流取り出し特性

〇岩田尚之¹、渡部大樹¹、原田幸弘¹、朝日重雄¹、喜多隆¹ (1.神戸大院工)

11:30 〜 11:45

[20a-136-9] 実効移動度モデルを用いた量子井戸太陽電池の設計

〇トープラサートポンカシディット¹、中野義昭¹、杉山正和^1,2 (1.東大工、2.東大先端研)

11:45 〜 12:00

△ [20a-136-10] Wire on Well構造におけるキャリア移動度の測定と解析

〇浅見明太¹、トープラサートポンカシディット¹、渡辺健太郎²、中野義昭¹、岡田至崇^1,2、杉山正和^1,2 (1.東大工、2.先端研)

一般セッション(口頭講演)

[20p-136-1~11] 13.9 化合物太陽電池

2018年9月20日(木) 13:30 〜 16:15 136 (3Ｆロビー)

渡辺健太郎(東大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 13:45

△ [20p-136-1] GaAs//ITO/Si接合におけるGaAs薄層//ITO界面の硬X線電子分光評価

〇(M2)原智也¹、梁剣波¹、荒木健次²、神岡武文²、ソダーバンルハッサネット³、渡辺健太郎³、杉山正和³、重川直輝¹ (1.大阪市大工、2.豊田工大、3.東大工)

13:45 〜 14:00

△ [20p-136-2] 表面活性化接合及び犠牲層エッチングによるGaAs/Si 2接合太陽電池の作製

〇(M1)小園亮¹、尹翔至¹、梁剣波¹、重川直輝¹ (1.大阪市大院工)

14:00 〜 14:15

▼ [20p-136-3] Transport efficiency imaging in multi-junction solar cells by luminescence analysis

〇(D)Xu Hao¹、 Amaury Delamarre¹、 Bernice Mae F. Yu Jeco¹、 Kentaroh Watanabe¹、 Yoshitaka Okada¹、 Jean-Francois Guillemoles²、 Yoshiaki Nakano¹、 Masakazu Sugiyama¹ (1.Univ. of Tokyo、2.UMR CNRS)

14:15 〜 14:30

△ [20p-136-4] 多接合太陽電池におけるGaAs多重化構造の検討

〇(M1)中元嵩¹、牧田紀久夫²、太野垣健²、大島隆治²、相原健人²、岡野好伸¹、菅谷武芳² (1.東京都市大学、2.産総研)

14:30 〜 14:45

△ [20p-136-5] ハイドライド気相成長法によるInGaP太陽電池の高速成長

〇庄司靖¹、大島隆治¹、牧田紀久夫¹、生方映徳²、菅谷武芳¹ (1.産総研、2.大陽日酸)

14:45 〜 15:00

[20p-136-6] 実太陽光集光下における多接合太陽電池の変換効率に及ぼす散乱光の影響

〇(B)本田真也¹、今松義人¹、寺本英央¹、仲村友希¹、定免良太¹、安島由朗¹、鎌田智也¹、高橋周¹、齋藤直輝¹、林隼佑¹、三上雄一¹、川原昌祥¹、村山祥吾¹、太田靖之²、代盼³、陆书龙³、内田史朗¹ (1.千葉工大、2.宮崎大OPTT、3.蘇州ナノテク研)

15:00 〜 15:15

[20p-136-7] 分光感度計算による高効率 InGaP/GaAs太陽電池の光学および再結合損失解析

〇小沢将征¹、藤原裕之¹ (1.岐阜大工)

15:15 〜 15:30

[20p-136-8] HVPE法を用いたGaAs太陽電池のヘテロ界面の検討

〇大島隆治¹、庄司靖¹、牧田紀久夫¹、生方映徳²、菅谷武芳¹ (1.産総研、2.大陽日酸)

15:30 〜 15:45

▲ [20p-136-9] MOVPE growth of GaAs-based tunneling diode for multiple junction solar cells

〇Hassanet Sodabanlu¹、 Kentaroh Watanabe¹、 Masakazu Sugiyama^1,2、 Yoshiaki Nakano² (1.RCAST, Univ. of Tokyo、2.School of Engineering, Univ. of Tokyo)

15:45 〜 16:00

[20p-136-10] 逆積み格子整合３接合太陽電池におけるGaInNAsSbボトムセル厚の検討

〇宮下直也¹、何軼倫¹、岡田至崇¹ (1.東大先端研)

16:00 〜 16:15

[20p-136-11] 三端子型スマートスタック多接合太陽電池の作製と特性評価

〇太野垣健¹、牧田紀久夫¹、大島隆治¹、水野英範¹、馬場将亮²、山田昇²、菅谷武芳¹ (1.産総研、2.長岡技科大)

一般セッション(ポスター講演)

[19p-PB5-1~14] 13.9 化合物太陽電池

2018年9月19日(水) 16:00 〜 18:00 PB (白鳥ホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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16:00 〜 18:00

[19p-PB5-1] 微粒子塗布法によるAg₈SnS₆光電極の作製と評価

〇(M1)LENGUYEN GIAPHUC¹、田中久仁彦¹ (1.長岡技大)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-2] フォトルミネッセンス法を用いた (Na_xCu_1-x)_ySnS₃の特性評価

〇前田隆宏¹、荒木秀明²、田中久仁彦¹ (1.長岡技大、2.長岡高専)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-3] 硫化法によるCu₂SnS₃薄膜へのポストアニール処理効果

〇中嶋崇喜¹、萩原祐希¹、山口利幸¹、笹野順司²、伊﨑昌伸² (1.和歌山高専、2.豊橋技科大)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-4] Cu₂ZnSnSe₄化合物プリカーサの硫化法により作製したCu₂ZnSn(S,Se)₄薄膜へのKF添加効果

〇中嶋崇喜¹、上西一熙¹、直井弘之¹、山口利幸¹、荒木秀明²、片桐裕則²、笹野順司³、伊﨑昌伸³ (1.和歌山高専、2.長岡高専、3.豊橋技科大)

16:00 〜 18:00

[19p-PB5-5] Evaluation of exponential tail in optical absorption spectrum for Cu₂ZnSn(S,Se)₄

〇AbdRahman Binti NurSyazwana¹、 Tomoki Kawata¹、 Yuta Osada¹、 Shigeru Yamada¹、 Takashi Itoh¹、 Shuichi Nonomura¹、 Kanta Sugimoto²、 Akira Yamada² (1.Gifu Univ.、2.Tokyo Tech.)