12:30 〜 13:00
〇鳥海 明1、西村 知紀2 (1.元・東大、2.東大)
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
12:30 〜 13:00
〇鳥海 明1、西村 知紀2 (1.元・東大、2.東大)
13:00 〜 13:15
〇(M2)木谷 健太1、古川 昭雄1 (1.東理大電)
13:15 〜 13:30
〇今城 利文1,4、茂藤 健太3,4、山本 圭介2、末益 崇1、中島 寛3、都甲 薫1,4 (1.筑波大院、2.九大院 総合理工、3.九大 GIC、4.学振特別研究員)
13:30 〜 13:45
〇垂水 喜明1、林 将平1、川崎 直彦1、大塚 祐二1 (1.東レリサーチセンター)
13:45 〜 14:00
〇繁桝 翔伍1、谷村 英昭1、河原﨑 光1、加藤 慎一1、野崎 仁秀1 (1.SCREENセミコンダクターソリューションズ)
14:15 〜 14:30
〇(M1C)栗城 澪1、王 鶴1、三平 智宏2、鈴木 俊明1、吉野 隆幸1、丹羽 雅昭1、本橋 光也1 (1.東京電機大工、2.日本電子)
14:30 〜 14:45
〇(D)Nguyen ThiKhanh Hoa1、Yuri Mizukawa1、Hiroaki Hanafusa1、Shohei Hayashi2、Seiichiro Higashi1 (1.Hiroshima Univ.、2.Toray Research Cent.)
14:45 〜 15:00
〇筒井 一生1、松橋 泰平1、星井 拓也1、角嶋 邦之1、若林 整1、永山 勉2、樋口 隆弘2、加藤 慎一3、谷村 英昭3、室 隆桂之4、松下 智裕5、森川 良忠6 (1.東工大、2.日新イオン機器、3.SCREEN、4.JASRI、5.奈良先端大、6.阪大)
15:00 〜 15:15
〇(M1)門 龍翔1、横川 凌1,2、沼沢 陽一郎1,2、筒井 一生3、角嶋 邦之3、小椋 厚志1,2 (1.明治大理工、2.再生可能エネルギー研、3.東工大)
15:15 〜 15:30
〇森 雅弘1、赤堀 誠志1、富取 正彦1、増田 貴史1 (1.北陸先端大)
15:45 〜 16:00
〇天本 百合奈1、赤坂 俊輔1,2、神野 伊策2 (1.ローム、2.神戸大学)
16:00 〜 16:15
〇(M2)河北 竜治1、花房 宏明2、水川 友里2、東 清一郎2 (1.広大院先端研、2.広大院先進理工)
16:15 〜 16:30
〇Xuesi Li1、Xianyin Hu1、Sho Hashimoto1、Ang Li1、Reo Kometani1、Ichiro Yamada2、Makiko Noma2、Katsufumi Nakanishi2、Yusuke Fukuda2、Kazuyuki Sashida2、Toshiyuki Takemori2、Kenichi Maehara2、Katsuya Ikeda2、Kenichi Yoshida2、Yoshio Mita1、Shin'ichi Warisawa1 (1.Univ. of Tokyo、2.Shindengen Co., Ltd.)
16:30 〜 16:45
〇(M2)市川 崇志1、渥美 賢1、古賀 達也1、飯田 慎一2、石原 昇1、町田 克之1、益 一哉1、伊藤 浩之1 (1.東工大、2.NTT-AT)
16:45 〜 17:00
〇(M1)内山 晃宏1、市川 崇志1、古賀 達也1、飯田 慎一2、石原 昇1、町田 克之1、益 一哉1、伊藤 浩之1 (1.東工大、2.NTT-AT)
17:00 〜 17:15
〇渡部 善幸1、加藤 睦人1、矢作 徹1、村山 裕紀1、吉田 賢一2、指田 和之2、池田 克弥2、池田 康亮2、竹森 俊之2 (1.山形工技センター、2.新電元)
17:15 〜 17:30
〇張 亜1、吉岡 佑理1 (1.農工大工)
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