一般セッション(口頭講演)

[18a-Z20-1~8] 6.1 強誘電体薄膜

2021年3月18日(木) 10:00 〜 12:00 Z20 (Z20)

清水荘雄(NIMS)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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10:00 〜 10:15

[18a-Z20-1] 有機圧電体P(VDF-TrFE)の電気特性の溶媒依存性評価

〇平塚一暉¹、金川いづる¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

10:15 〜 10:30

[18a-Z20-2] 圧電高分子とIGZOを使用したFETの静特性評価

〇本多稜¹ (1.東理大理工)

10:30 〜 10:45

[18a-Z20-3] スケーラブルで10⁹回書換可能なSBT系FeFETの開発

〇高橋光恵¹、酒井滋樹¹ (1.産総研)

10:45 〜 11:00

[18a-Z20-4] SBT系強誘電体によるFeFETの特徴 — HfO₂系FeFETとの比較

〇酒井滋樹¹、高橋光恵¹ (1.産総研)

11:00 〜 11:15

[18a-Z20-5] 電場中の正確な分極を与える代数式：
従来の「イオン位置-分極対応とボルン有効電荷」の修正

〇渡部行男¹ (1.九大理)

11:15 〜 11:30

[18a-Z20-6] 強誘電体の反電場に用いる誘電率の値と隠れた機構：第一原理計算

〇渡部行男¹ (1.九大理)

11:30 〜 11:45

[18a-Z20-7] Nd 添加 BFO 強誘電体膜の抵抗スイッチングにおけるPt/SRO上部電極の影響

〇橋本泰秀¹、森本章治²、吉田将大¹ (1.金沢大自然院、2.金沢大理工)

11:45 〜 12:00

[18a-Z20-8] BiFeO₃薄膜キャパシタにおけるバルク光起電力効果

〇加藤廉¹、中嶋誠二¹、藤沢浩訓¹ (1.兵庫県立大工)

一般セッション(口頭講演)

[19a-Z13-1~8] 6.1 強誘電体薄膜

2021年3月19日(金) 10:00 〜 12:00 Z13 (Z13)

吉田慎哉(東北大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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10:00 〜 10:15

[19a-Z13-1] スパッタ法におけるBiFeO₃薄膜の成長機構の検討

〇菊地理沙¹、村瀬幹生¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大院工)

10:15 〜 10:30

△ [19a-Z13-2] 強磁性・強誘電性が共存する BiFe_0.9Co_0.1O₃ 薄膜の trailing field を用いたドメイン制御

〇伊藤拓真¹、勝俣真綸¹、重松圭^1,2、東正樹^1,2 (1.東工大フロンティア材料研、2.KISTEC)

10:30 〜 10:45

△ [19a-Z13-3] 種々の基板上に成長した正方晶(1-x)(Bi,Na)TiO₃- xBaTiO₃膜の特性評価

〇石濱圭佑¹、舘山明紀¹、清水荘雄^1,3、佐藤祐介²、山岡和希子²、鶴丸理沙子²、舟窪浩¹ (1.東工大物院工、2.TDK株式会社、3.物・材機構)

10:45 〜 11:00

△ [19a-Z13-4] 水熱合成(Bi,K)TiO₃薄膜作成における原料の影響

〇(M1C)窪田るりか¹、舘山明紀¹、伊東良晴¹、白石貴久¹、黒澤実¹、舟窪浩¹ (1.東工大)

11:00 〜 11:15

△ [19a-Z13-5] 100℃以下で作製した (Bi,K)TiO₃薄膜の圧電特性評価

〇伊東良晴¹、舘山明紀¹、窪田るりか¹、白石貴久¹、黒澤実¹、舟窪浩¹ (1.東工大)

11:15 〜 11:30

[19a-Z13-6] Si基板上エピタキシャル(K, Na)NbO₃薄膜の圧電特性

〇田中清高¹、蔡慶政¹、河田佳之¹、 Kweon Sang-Hyo¹、譚賡²、神野伊策¹ (1.神戸大工、2.大阪府大)

11:30 〜 11:45

△ [19a-Z13-7] 誘電率の異なる材料を組み合わせた圧電薄膜トランスの作製

〇(B)岸大貴^1,2、木下紗里那^1,2、泉航太^1,2、柳谷隆彦^1,2,3 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST)

11:45 〜 12:00

△ [19a-Z13-8] MgおよびCaドーピングによるZnO薄膜のUHF帯電気機械結合係数k_t²の向上

〇泉航太^1,2、柳谷隆彦^1,2,3 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST)

一般セッション(口頭講演)

[19p-Z13-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

2021年3月19日(金) 13:30 〜 17:15 Z13 (Z13)

小林健(産総研)、中嶋誠二(兵庫県立大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 13:45

△ [19p-Z13-1] エピタキシャル(Al_1-xSc_x)N膜の作製と強誘電性評価

〇安岡慎之介¹、清水荘雄²、舟窪浩¹ (1.東工大物院、2.物材研)

13:45 〜 14:00

△ [19p-Z13-2] (Sc_xAl_1-x)N薄膜の強誘電性の温度依存性

〇(M1C)水谷涼一¹、安岡慎之介¹、清水荘雄²、舟窪浩¹ (1.東工大物院、2.物材研)

14:00 〜 14:15

[19p-Z13-3] TiNバッファ層を用いたSi基板上へのAl_1-xSc_xN薄膜のエピタキシャル成長

〇宮地航平¹、村瀬幹生¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工)

14:15 〜 14:30

[19p-Z13-4] 0.1CeO₂-0.9HfO₂膜の電気特性および圧電特性の調査

〇白石貴久^1,2、木口賢紀²、今野豊彦²、舟窪浩¹ (1.東工大、2.東北大)

14:30 〜 14:45

[19p-Z13-5] スパッタリング法によるY-HZO強誘電体厚膜の室温製膜とその電気特性および圧電特性評価

〇(PC)志村礼司郎¹、三村和仙¹、舘山明紀¹、清水荘雄^1,2、白石貴久¹、舟窪浩¹ (1.東工大物院、2.物質・材料機構)

14:45 〜 15:00

△ [19p-Z13-6] Y₂O₃-HfO₂強誘電体薄膜を搭載したMEMSユニモルフカンチレバーの作製と特性評価

〇海老原凌¹、吉田慎哉¹、志村礼司郎²、船窪浩²、田中秀治¹ (1.東北大工、2.東工大物工院)

15:00 〜 15:15

△ [19p-Z13-7] Characterization of piezoelectric MEMS vibration energy harvester
with two-degree-of-freedom system under impulsive force

〇(M1)Aphayvong Sengsavang¹、 Takeshi Yoshimura¹、 Kensuke Kanda²、 Shuichi Murakami³、 Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Pref. Univ、2.Uni. of Hyogo、3.ORIST)

15:30 〜 15:45

[19p-Z13-8] STEM-EELS法によるCSD法によるPb(Zr,Ti)O₃エピタキシャル成長メカニズムの解明

〇木口賢紀¹、粟飯原雅矢¹、渋谷直生¹、白石貴久^1,2、今野豊彦¹ (1.東北大金研、2.東工大)

15:45 〜 16:00

▼ [19p-Z13-9] Lowering Crystallization Temperature of Lead Zirconate Titanate (PZT) Thin Film Synthesized by Solution-Combustion Synthesis Method using a Lead Titanate (PTO) Seeding Layer

〇(M2)ZHONGZHENG SUN¹、 Phan Trong Tue¹、 Yutaka Majima¹ (1.Tokyo Tech)

16:00 〜 16:15

[19p-Z13-10] 種々の格子定数を有するSr(Zr, Ti)O₃バッファー層上に製膜した
PbTiO₃薄膜のドメイン構造に関する検討

森川友秀¹、〇小寺正徳²、清水荘雄³、江原祥隆⁴、舟窪浩^1,2 (1.東工大物質理工、2.東工大元素、3.物材研、4.防衛大)

16:15 〜 16:30

△ [19p-Z13-11] 種々のZr/(Zr+Ti)比を有する分極軸配向正方晶PZTエピタキシャル膜の特性評価

〇(M1C)大越春香¹、森川友秀¹、舘山明紀¹、小寺正徳¹、白石貴久¹、江原祥隆²、舟窪浩¹ (1.東工大、2.防大)

16:30 〜 16:45

△ [19p-Z13-12] エピタキシャルPbTiO3 自立薄膜共振子のGHz 帯圧電特性

〇(B)渡海智^1,2、國信総太^1,2、柳谷隆彦^1,2,3 (1.早大先進理工、2.材研、3.JST-CREST)

16:45 〜 17:00

▲ [19p-Z13-13] Water Splitting by Photoelectrochemical reaction of (Pb,La)TiO₃ Ferroelectric Thin Films

〇SangHyo Kweon¹、 Yoshinaka Daisuke¹、 Yoshiharu Mukoyama²、 Kanno Isaku¹ (1.Kobe Univ.、2.Tokyo Denki Univ.)

17:00 〜 17:15

△ [19p-Z13-14] シングルドメインPb(Zr, Ti)O₃薄膜の電気光学効果

〇近藤真矢^1,2、山田智明²、吉野正人²、岸本昭¹、寺西貴志¹、長崎正雅² (1.岡山大院自然、2.名大工)

セッション一覧

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[18a-Z20-1~8] 6.1 強誘電体薄膜

[18a-Z20-1] 有機圧電体P(VDF-TrFE)の電気特性の溶媒依存性評価

[18a-Z20-2] 圧電高分子とIGZOを使用したFETの静特性評価

[18a-Z20-3] スケーラブルで10⁹回書換可能なSBT系FeFETの開発

[18a-Z20-4] SBT系強誘電体によるFeFETの特徴 — HfO₂系FeFETとの比較

[18a-Z20-5] 電場中の正確な分極を与える代数式：
従来の「イオン位置-分極対応とボルン有効電荷」の修正

[18a-Z20-6] 強誘電体の反電場に用いる誘電率の値と隠れた機構：第一原理計算

[18a-Z20-7] Nd 添加 BFO 強誘電体膜の抵抗スイッチングにおけるPt/SRO上部電極の影響

[18a-Z20-8] BiFeO₃薄膜キャパシタにおけるバルク光起電力効果

[19a-Z13-1~8] 6.1 強誘電体薄膜

[19a-Z13-1] スパッタ法におけるBiFeO₃薄膜の成長機構の検討

△ [19a-Z13-2] 強磁性・強誘電性が共存する BiFe_0.9Co_0.1O₃ 薄膜の trailing field を用いたドメイン制御

△ [19a-Z13-3] 種々の基板上に成長した正方晶(1-x)(Bi,Na)TiO₃- xBaTiO₃膜の特性評価

△ [19a-Z13-4] 水熱合成(Bi,K)TiO₃薄膜作成における原料の影響

△ [19a-Z13-5] 100℃以下で作製した (Bi,K)TiO₃薄膜の圧電特性評価

[19a-Z13-6] Si基板上エピタキシャル(K, Na)NbO₃薄膜の圧電特性

△ [19a-Z13-7] 誘電率の異なる材料を組み合わせた圧電薄膜トランスの作製

△ [19a-Z13-8] MgおよびCaドーピングによるZnO薄膜のUHF帯電気機械結合係数k_t²の向上

[19p-Z13-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

△ [19p-Z13-1] エピタキシャル(Al_1-xSc_x)N膜の作製と強誘電性評価

△ [19p-Z13-2] (Sc_xAl_1-x)N薄膜の強誘電性の温度依存性

[19p-Z13-3] TiNバッファ層を用いたSi基板上へのAl_1-xSc_xN薄膜のエピタキシャル成長

[19p-Z13-4] 0.1CeO₂-0.9HfO₂膜の電気特性および圧電特性の調査

[19p-Z13-5] スパッタリング法によるY-HZO強誘電体厚膜の室温製膜とその電気特性および圧電特性評価

△ [19p-Z13-6] Y₂O₃-HfO₂強誘電体薄膜を搭載したMEMSユニモルフカンチレバーの作製と特性評価

△ [19p-Z13-7] Characterization of piezoelectric MEMS vibration energy harvester
with two-degree-of-freedom system under impulsive force

[19p-Z13-8] STEM-EELS法によるCSD法によるPb(Zr,Ti)O₃エピタキシャル成長メカニズムの解明

▼ [19p-Z13-9] Lowering Crystallization Temperature of Lead Zirconate Titanate (PZT) Thin Film Synthesized by Solution-Combustion Synthesis Method using a Lead Titanate (PTO) Seeding Layer

[19p-Z13-10] 種々の格子定数を有するSr(Zr, Ti)O₃バッファー層上に製膜した
PbTiO₃薄膜のドメイン構造に関する検討

△ [19p-Z13-11] 種々のZr/(Zr+Ti)比を有する分極軸配向正方晶PZTエピタキシャル膜の特性評価

△ [19p-Z13-12] エピタキシャルPbTiO3 自立薄膜共振子のGHz 帯圧電特性

▲ [19p-Z13-13] Water Splitting by Photoelectrochemical reaction of (Pb,La)TiO₃ Ferroelectric Thin Films

△ [19p-Z13-14] シングルドメインPb(Zr, Ti)O₃薄膜の電気光学効果

認証

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6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[18a-Z20-1~8] 6.1 強誘電体薄膜

[19a-Z13-1~8] 6.1 強誘電体薄膜

△ [19a-Z13-2] 強磁性・強誘電性が共存する BiFe0.9Co0.1O3 薄膜の trailing field を用いたドメイン制御

△ [19a-Z13-3] 種々の基板上に成長した正方晶(1-x)(Bi,Na)TiO3- xBaTiO3膜の特性評価

△ [19a-Z13-4] 水熱合成(Bi,K)TiO3薄膜作成における原料の影響

△ [19a-Z13-5] 100℃以下で作製した (Bi,K)TiO3薄膜の圧電特性評価

△ [19a-Z13-7] 誘電率の異なる材料を組み合わせた圧電薄膜トランスの作製

△ [19a-Z13-8] MgおよびCaドーピングによるZnO薄膜のUHF帯電気機械結合係数kt2の向上

[19p-Z13-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

△ [19p-Z13-1] エピタキシャル(Al1-xScx)N膜の作製と強誘電性評価

△ [19p-Z13-2] (ScxAl1-x)N薄膜の強誘電性の温度依存性

△ [19p-Z13-6] Y2O3-HfO2強誘電体薄膜を搭載したMEMSユニモルフカンチレバーの作製と特性評価

△ [19p-Z13-7] Characterization of piezoelectric MEMS vibration energy harvesterwith two-degree-of-freedom system under impulsive force

▼ [19p-Z13-9] Lowering Crystallization Temperature of Lead Zirconate Titanate (PZT) Thin Film Synthesized by Solution-Combustion Synthesis Method using a Lead Titanate (PTO) Seeding Layer

△ [19p-Z13-11] 種々のZr/(Zr+Ti)比を有する分極軸配向正方晶PZTエピタキシャル膜の特性評価

△ [19p-Z13-12] エピタキシャルPbTiO3 自立薄膜共振子のGHz 帯圧電特性

▲ [19p-Z13-13] Water Splitting by Photoelectrochemical reaction of (Pb,La)TiO3 Ferroelectric Thin Films

△ [19p-Z13-14] シングルドメインPb(Zr, Ti)O3薄膜の電気光学効果

認証

△ [19a-Z13-2] 強磁性・強誘電性が共存する BiFe_0.9Co_0.1O₃ 薄膜の trailing field を用いたドメイン制御

△ [19a-Z13-3] 種々の基板上に成長した正方晶(1-x)(Bi,Na)TiO₃- xBaTiO₃膜の特性評価

△ [19a-Z13-4] 水熱合成(Bi,K)TiO₃薄膜作成における原料の影響

△ [19a-Z13-5] 100℃以下で作製した (Bi,K)TiO₃薄膜の圧電特性評価

△ [19a-Z13-8] MgおよびCaドーピングによるZnO薄膜のUHF帯電気機械結合係数k_t²の向上

△ [19p-Z13-1] エピタキシャル(Al_1-xSc_x)N膜の作製と強誘電性評価

△ [19p-Z13-2] (Sc_xAl_1-x)N薄膜の強誘電性の温度依存性

△ [19p-Z13-6] Y₂O₃-HfO₂強誘電体薄膜を搭載したMEMSユニモルフカンチレバーの作製と特性評価

△ [19p-Z13-7] Characterization of piezoelectric MEMS vibration energy harvester
with two-degree-of-freedom system under impulsive force

▲ [19p-Z13-13] Water Splitting by Photoelectrochemical reaction of (Pb,La)TiO₃ Ferroelectric Thin Films

△ [19p-Z13-14] シングルドメインPb(Zr, Ti)O₃薄膜の電気光学効果