〇(B)Yuqiao Zhang¹、 Takayoshi Katase¹、 Takaki Onozato¹、 Bin Feng²、 Hiroyuki Hayashi³、 Tetsuya Tohei²、 Isao Tanaka³、 Yuichi Ikuhara²、 Hiromichi Ohta¹ (1.Hokkaido Univ.、2.Univ. Tokyo、3.Kyoto Univ.)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-4] Nd:YAGレーザーの第4次高調波を用いたPLD法によるホモエピタキシャルSrTiO₃薄膜のポストアニール効果

〇富士原巧¹、小野寺巧¹、中村基訓¹、吉本健一¹、篁耕司¹ (1.旭川高専)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-5] BaTiO₃/Sr₂RuO₄ヘテロ構造の強誘電性

〇高橋竜太¹、リップマーミック¹ (1.東大物性研)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-6] Aサイト秩序型ペロブスカイト構造YBaCo₂O₆薄膜の合成と巨大磁気異方性、及びスピン状態遷移の観測

〇片山司¹、近松彰²、廣瀬靖^2,3、蓑原誠人⁴、組頭広志⁴、原山勲⁵、関場大一郎⁵、長谷川哲也^2,3 (1.東工大、2.東大院理、3.KAST、4.高エネ研、5.UTTAC)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-7] (La,Pr,Ca)MnO₃ ナノウォール細線をチャネルとした電界効果トランジスタの作製

〇中澤密¹、服部梓^1,2、山本真人¹、田中秀和¹ (1.阪大産研、2.JSTさきがけ)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-8] VO₂フリースタンディングナノ細線における超省電力電子相スイッチング

〇樋口敬之¹、神吉輝夫¹、 Luca Pellegrino²、 Nicola Manca⁴、 Daniele Marré^2,3、田中秀和¹ (1.阪大産研、2.CNR-SPIN、3.Genova Univ.、4.Delft Univ. of Tech.)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-9] 価数制御したVO2薄膜の金属－絶縁体転移と電子構造

〇丹野友博¹、土屋敬志²、小林正起³、簑原誠人³、堀場弘司³、組頭広志³、樋口透¹ (1.東理大理、2.物材機構、3.高エネ研)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-10] スパッタ法により作製したV₆O₁₃薄膜の電気特性と電子構造

高橋篤¹、丹野友博¹、小林正起²、蓑原誠人²、堀場弘司²、組頭広志²、〇樋口透¹ (1.東理大理、2.高エネ研)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-11] Ta₂O₅を用いたギャップ型原子スイッチの開発（１）

〇田中努¹、バロブイリア²、長谷川剛¹ (1.早大先進理工、2.アーヘン工科大学)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-12] Ag/Ta₂O₅/Pt素子動作におけるオン抵抗のオン電圧依存性

〇(B)石川裕也¹、葛西亜衣¹、鈴木彩菜¹、鶴岡徹²、長谷川剛¹ (1.早大先進理工、2.物材機構)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-13] Ag/Ta₂O₅/Pt素子動作電圧のTa₂O₅膜厚依存性

〇(B)棚橋直哉¹、重岡祐貴¹、鶴岡徹²、長谷川剛¹ (1.早大先進理工、2.物材機構)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-14] 酸化タンタル中に形成される導電性フィラメントが示す量子化コンダクタンス

〇川嶋祥太¹、鶴岡徹²、長谷川剛¹ (1.早大先進理工、2.物材機構)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-15] 抵抗変化メモリ(ReRAM)の導電性パス生成機構の検討
～電気的接触法による導電性パス生成の差異～

〇(B)肥田聡太¹、山崎隆浩²、森山拓洋¹、大野隆央²、吉武道子²、岸田悟^1,3、木下健太郎^1,3 (1.鳥取大工、2.物材機構、3.TiFREC)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-16] 抵抗変化型メモリにおける信頼性の拡散イオン種及びメモリ層材料依存性

〇田中新也¹、木下健太郎^1,2、岸田悟^1,2 (1.鳥取大工、2.TiFREC)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-17] ReRAMにおける供給溶媒のパラメータと抵抗変化特性の相関関係

〇(M2)河野公紀¹、落合克行¹、岸田悟^1,2、木下健太郎^1,2 (1.鳥取大工、2.TiFREC)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-18] 固体電解質/電極界面の界面抵抗発生起源の解明

〇白木将¹、白澤徹郎²、鈴木竜¹、河底秀幸¹、清水亮太³、一杉太郎^1,3 (1.東北大AIMR、2.産総研、3.東工大物質理工)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-19] エピタキシャルBaTiO₃/LiCoO₂薄膜の界面状態と正極特性

〇安原颯¹、茶島圭介²、寺西貴志²、勝矢良雄³、坂田修身³、安井伸太郎¹、谷山智康¹、伊藤満¹ (1.東工大、2.岡山大学、3.NIMS/SPring-8)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-20] TiO₂多孔膜への導電性高分子電着による3次元蓄電池の作製

〇(M2)有馬綾一¹、中村啓太¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹ (1.鹿児島大院理工)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-21] Cu₂O/ZnOヘテロ接合太陽電池の電着法による作製と光蓄電池への応用

〇税所健¹、前田大輝¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹ (1.鹿児島大学)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-22] TiO₂ナノ粒子/WO₃コアシース型ナノファイバの光蓄電電極への応用

〇知識洸¹ (1.鹿児島大工)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-23] TiO₂ナノチューブとPd膜の二層メンブレン形成と光誘起水素生成・分離特性の評価

〇(M1)浅井潤樹¹、野田啓¹ (1.慶應大理工)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-24] ゾルゲル法を用いたTiO₂薄膜の作製と色素増感太陽電池への応用

〇(M1)和田克也¹、大谷直毅¹ (1.同志社大院理工)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-25] 斜め入射堆積Ti薄膜の熱酸化による酸化チタン薄膜の作製II

〇安田洋司¹、星陽一² (1.神奈川県立産技短大、2.東京工芸大工)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-26] 透明酸化物半導体を用いたH_２及びCO₂センサの試作

〇田沼涼¹、中井洋志¹、中里瞭汰¹、杉山睦¹ (1.東理大理工/総研)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-27] 分子プレカーサー溶液を用いたESD法によるZnO膜の形成条件の検討

〇(M1)小澤竜平¹、工藤幸寛¹、永井裕己¹、佐藤光史¹、高橋泰樹¹ (1.工学院大)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-28] 塗布法によるZnO多層透明導電膜の作製とドーパント添加量依存性の評価

〇森田祐輔¹、大谷直毅¹ (1.同志社大院理工)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-29] 基板バイアス印加スパッタ法によるZnO薄膜の配向制御

〇譲原一樹¹、沖村邦雄¹ (1.東海大院工)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-30] 固相成長法で作製したNbO₂多結晶薄膜の電気・光学特性

〇中尾祥一郎¹、神坂英幸²、廣瀬靖^1,2、長谷川哲也^1,2 (1.神奈川科学技術アカデミー、2.東大理)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-31] 可視光透過型太陽電池に向けたNiO:Li 薄膜の作製と評価Ⅲ

〇佐藤和弥¹、永沼裕文¹、小室修二²、趙新為¹ (1.東理大理、2.東洋大理工)

13:30 〜 15:30

[15p-P3-32] 金属・半導体ナノ粒子分散SiO₂の形成と評価

〇出村洋智¹、 Ulyashin Alexander²、永吉浩¹ (1.東京高専、2.SINTEF)

セッション一覧

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13a-A31-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14a-A31-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14p-A31-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [14p-A31-2] インピーダンス制御を用いた反応性スパッタ法によるn型及びp型SnOxの高速成膜

△ [14p-A31-3] 宇宙機の汚染物質除去を目的とした二酸化チタン光触媒による真空環境における汚染物質分解

△ [14p-A31-4] 反応性スパッタ法によるTiO2薄膜の結晶構造制御 (1);成膜パラメータによる、あるいはSnドープによるルチルの選択成長

△ [14p-A31-6] 反応性スパッタ法によるTiO2/WO3積層系可視光応答型光触媒の成膜

△ [14p-A31-7] ルチル型 TiO2単結晶の酸素空孔分布制御による可逆的抵抗変化特性

△ [14p-A31-8] イオン液体／アナターゼTiO2界面の電気化学特性

△ [14p-A31-9] Ag2S atomic switch based Tug of War devices for neuromorphic networks

△ [14p-A31-11] Li(Ni0.5Mn1.5)O4全固体薄膜電池における超高速充電

△ [14p-A31-12] 中性子反射率及び核応分析法による固体電解質中 Li 濃度分布の決定

▼ [14p-A31-13] Growth of Crystalline BaSi2 Thin Films by Vacuum Evaporation on Poly-Crystalline Silicon Fabricated by Aluminum Induced Crystallization

△ [14p-A31-14] バルク敏感スピン分解光電子分光による CrO2 の本質的なハーフメタル性の解明

△ [14p-A31-16] SrIrO3 / SrRuO3ヘテロ構造における異常ホール効果・トポロジカルホール効果の電場変調

[15a-A31-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16a-A31-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15p-P3-1~32] 6.3 酸化物エレクトロニクス

▲ [15p-P3-3] Hidden Electronic Phase Boundary in the SrTiO3−SrNbO3 Solid-solution System

認証

△ [14p-A31-4] 反応性スパッタ法によるTiO₂薄膜の結晶構造制御 (1);
成膜パラメータによる、あるいはSnドープによるルチルの選択成長

△ [14p-A31-6] 反応性スパッタ法によるTiO₂/WO₃積層系可視光応答型光触媒の成膜

△ [14p-A31-7] ルチル型 TiO₂単結晶の酸素空孔分布制御による可逆的抵抗変化特性

△ [14p-A31-8] イオン液体／アナターゼTiO₂界面の電気化学特性

△ [14p-A31-9] Ag₂S atomic switch based Tug of War devices for neuromorphic networks

△ [14p-A31-11] Li(Ni_0.5Mn_1.5)O₄全固体薄膜電池における超高速充電

▼ [14p-A31-13] Growth of Crystalline BaSi₂ Thin Films by Vacuum Evaporation on Poly-Crystalline Silicon Fabricated by Aluminum Induced Crystallization

△ [14p-A31-14] バルク敏感スピン分解光電子分光による CrO₂ の本質的なハーフメタル性の解明

△ [14p-A31-16] SrIrO₃ / SrRuO₃ヘテロ構造における異常ホール効果・トポロジカルホール効果の電場変調

▲ [15p-P3-3] Hidden Electronic Phase Boundary in the SrTiO₃−SrNbO₃ Solid-solution System