[J-5-02] Efficient Coupling of Lateral Force in GaN Nanorod Piezoelectric Nanogenerators by Vertically Integrated Pyramided Si Substrate

^○C. -L. Wu¹, S. -J. Tsai¹, C. -Y. Lin¹, C. -L. Wang¹, J. -W. Chen¹, C. -H. Chen² (1.National Cheng Kung Univ. (Taiwan), 2.National Synchrotron Radiation Research Center (Taiwan))

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[J-5-03] Highly Stable Heavily-Doped Oxide Contacts on Oxide Nanowires: Reliable Low Contact Resistance and Enhancement of Long-term Sensor Response

H. Zeng¹,^○T. Takahashi¹, K. Nagashima¹, T. Yanagida¹ (1.Kyushu Univ. (Japan))

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[J-5-04] Al-catalyzed Silicon Nanowire Formation and its Application for Photovoltaic Device

^○W. Jevasuwan¹, T. Subramani¹, C. Junyi¹, K. C. Pradel¹, T. Takei¹, N. Fukata¹ (1.NIMS (Japan))

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[J-6-01 (Invited)] Synchrotron-based Characterization of Nanowires and Nanowire Devices

^○A. Mikkelsen¹ (1.Lund Univ. (Sweden))

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[J-6-02] Analysis of Bending Mechanism in MnAs/InAs Heterojunction Nanowires

^○T. Kadowaki¹, R. Kodaira¹, S. Hara¹ (1.Hokkaido Univ. (Japan))

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[J-6-03] Enhancement of Thermoelectric Performance of p-type Short Silicon Nanowires

^○Y. Himeda¹, S. Hashimoto¹, S. Ohba¹, R. Yamato¹, T. Matsukawa², T. Watanabe¹ (1.Waseda Univ. (Japan), 2.AIST (Japan))

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[J-6-04 (Late News)] InAs Nanotube FETs with Atomic-Layer-Deposited Al₂O₃/ZnO Gate-Stack

^○S. Sasaki¹, K. Tateno¹, G. Zhang¹ (1.NTT Basic Res. Labs. (Japan))

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[J-7-01 (Late News)] New Characterization Technique for Detection of Atomic-sized Crystalline Defects and Strain Using Moiré Method

^○M. Kodera¹, Q. Wang², S. Ri², H. Tsuda², A. Yoshioka¹, T. Sugiyama¹, T. Hamamoto¹, N. Miyashita¹ (1.Toshiba Electronic Devices & Storage Corp. (Japan), 2.AIST (Japan))

2017 International Conference on Solid State Devices and Materials |2017年9月22日(金) 13:40 〜 13:55 |PDF ダウンロード

[J-7-02 (Late News)] Enlarging the Nanocylinder Size for Through-Si-Via Applications

^○M. Mariappan¹, T. Fukushima¹, K. Mori¹, J. Bea¹, H. Hashimoto¹, M. Koyanagi¹ (1.Tohoku Univ. (Japan))

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[J-7-03 (Late News)] Al-foil-based low-loss coplanar waveguides directly bonded to sapphire substrates

^○K. Matsuura¹, J. Liang¹, K. Maezawa², N. Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ. (Japan), 2.Univ. of Toyama (Japan))

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