一般セッション(ポスター講演)

[16a-P2-1~17] 14.4 光物性・発光デバイス

2013年9月16日(月) 09:30 〜 11:30 P2 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:30 〜 11:30

[16a-P2-1] InP(1\bar{1}0)面における2光による2光子吸収の偏光方向依存性

^○大石真樹，坂東弘之，篠崎智文，佐山武尊，松末俊夫 (千葉大院・融合)

09:30 〜 11:30

[16a-P2-2] 楕円偏光入射によるInPの非線形感受率テンソル\chi^{(3)}の1光束測定

^○原皓，坂東弘之，篠崎智文，大石真樹，松末俊夫 (千葉大院・融合)

09:30 〜 11:30

[16a-P2-3] InP(001)基板の2光子吸収効率の集光位置依存性

^○篠崎智文，坂東弘之，大石真樹，原皓，松末俊夫 (千葉大院・融合)

09:30 〜 11:30

[16a-P2-4] 層状TlGaS₂のバンド間光学遷移の温度特性

^○（M2C）川端利幸¹，沈用球¹，脇田和樹²，Mamedov Nazim³ (阪府大院工¹，千葉工大工²，アゼルバイジャン科ア³)

09:30 〜 11:30

[16a-P2-5] 鎖状タリウム化合物における光照射による表面形状変化とその時間応答

^○梅崎美亜¹，沈用球¹，脇田和樹²，Mamedov Nazim³ (阪府大院工¹，千葉工大工²，アゼルバイジャン科ア³)

09:30 〜 11:30

[16a-P2-6] Nd-Al共添加TiO₂薄膜のPL特性2

^○相澤豊¹，大槻卓也¹，原子進¹，小室修二²，平尾法恵³，趙新為¹ (東理大理¹，東洋大理工²，日本原子力研究開発機構³)

09:30 〜 11:30

[16a-P2-7] 希土類イオンと金属クラスターをドープしたゼオライトの発光特性

^○表昂樹，Rong Gui Sa Chu，今北健二，藤井稔，林真至 (神戸大院工)

09:30 〜 11:30

[16a-P2-8] ガス輸送気相成長法によるZnTeナノ結晶の作製と光学特性

^○（M1）金澤惇¹，尾崎俊二¹ (群大理工¹)

09:30 〜 11:30

[16a-P2-9] MOVPE成長高In組成InGaN/InGaN量子井戸構造の発光スペクトル及び励起スペクトル

^○長澤和輝，宮島顕祐，大川和宏 (東京理科大)

09:30 〜 11:30

[16a-P2-10] 有機金属気相エピタキシャル法により作製したEu,Si共添加GaNのDLTS評価

^○（M2）桑田宗一郎，小泉淳，藤原康文 (阪大院工)

09:30 〜 11:30

[16a-P2-11] c面ZnO上に成長させたCuAlS₂:Mn薄膜

^○大島祐樹¹，川口英紀¹，大観光徳^1,2 (鳥取大院工¹，TEDREC²)

09:30 〜 11:30

[16a-P2-12] コンビナトリアル・ディップコート法を用いて作製した紫外発光Bi付活酸化物蛍光体薄膜

^○大西健仁，深田晴己，山口敦史 (金沢工大　OEDS R&Dセンター)

09:30 〜 11:30

[16a-P2-13] スパッタ成膜したCr,Bi共添加ZnGa₂O₄蛍光体薄膜のEL特性

^○阿部信也，宮田俊弘 (金工大)

09:30 〜 11:30

[16a-P2-14] 二層構造の蛍光層を有する分散型無機ELの輝度特性

^○山本慧太¹，浦岡行治²，田口信義³，山本伸一¹ (龍谷大理工¹，奈良先端大²，イメージテック³)

09:30 〜 11:30

[16a-P2-15] 固相反応法で作製したサマリウム添加赤色X線励起蛍光体の発光特性の母材による依存性

^○前田幸治¹，久米田朋晃¹，川井田尚¹，境健太郎²，碇哲雄¹ (宮崎大工¹，宮崎大産学連携センター²)

09:30 〜 11:30

[16a-P2-16] 層状ペロブスカイトSc酸フッ化物を母体とする蛍光体の合成

^○藤田佳子¹，國本崇¹，三上昌義²，下村康夫² (徳文大院工¹，三菱化学科技セ²)

09:30 〜 11:30

[16a-P2-17] 電子線励起支援型超解像度光学顕微鏡のためのY₂O₃:Eu蛍光体薄膜の開発に関する研究

守田智勇，神谷将至，益田有里子，名和靖矩，三宅亜紀，居波渉，小南裕子，川田善正，中西洋一郎，^○杉田篤史 (静大工)

一般セッション(口頭講演)

[16p-D6-1~16] 14.4 光物性・発光デバイス

2013年9月16日(月) 13:00 〜 17:15 D6 (MK 3F-301)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:00 〜 13:15

[16p-D6-1] 高輝度、長寿命シリコンナノ粒子の作製プロセスの開発

^○（M1）北澤駿¹，佐藤慶介¹，深田直樹²，平栗健二¹ (東京電機大院¹，物質・材料研究機構²)

13:15 〜 13:30

[16p-D6-2] シリコン切粉を用いた可視光発光シリコンナノ粒子の作製

^○前田譲章，松本健俊，小林光 (阪大産研)

13:30 〜 13:45

[16p-D6-3] 反応性スパッタリング法による窒素添加シリコンナノ粒子の作製

^○伊藤駿，佐藤慶介，平栗健二 (東京電機大)

13:45 〜 14:00

[16p-D6-4] 多孔質Siの液中レーザーアブレーションによる青色発光Siコロイドの作製

^○袁澤¹，中村俊博¹，安達定雄¹，橋本修一² (群馬大院理工¹，徳島大院先端²)

14:00 〜 14:15

[16p-D6-5] HF/H₂O₂を用いたPdアシスト化学エッチングによるシリコンナノ構造物質の作製と評価

^○松井祐介，安達定雄 (群馬大院工)

14:15 〜 14:30

[16p-D6-6] ナノ結晶Si を添加したSiO_x 薄膜の光学特性と電気特性

^○（M2）平田雄也，原広紀，勝俣裕 (明大理工)

14:30 〜 14:45

▲ [16p-D6-7] 酸化ナノシリコンと多孔ガラスにおける紫外発光と青色発光の連関性

^○Bernard Gelloz¹，Romain Mentek²，越田信義² (名大工¹，農工大工²)

休憩　（14:45 〜 15:00）

15:00 〜 15:15

[16p-D6-8] Ag組成を制御したAgInS₂ナノ粒子の合成と発光特性

^○行時大地¹，小澤耕平¹，濱中泰¹，葛谷俊博² (名工大院¹，室蘭工大²)

15:15 〜 15:30

[16p-D6-9] Cu組成を減少させたCu₂ZnSnS₄ナノ粒子の合成と光学特性

^○小柳津航¹，川瀬正成¹，濱中泰¹，葛谷俊博² (名工大¹，室蘭工大²)

15:30 〜 15:45

[16p-D6-10] RFスパッタ法によるZnO系薄膜の形成におけるGaN添加とその後のNH₃窒化処理の影響

^○（M1）岩田純一，荒木拓海，平野祐，勝俣裕 (明大理工)

15:45 〜 16:00

[16p-D6-11] 分子線交互供給法によるCdSe量子ドットの作製と光学的性質

^○大杉信斗¹，米田稔¹，瀬戸悟²，谷山智康³ (岡山理大理¹，石川工業高専²，東工大応セラ研³)

16:00 〜 16:15

△ [16p-D6-12] 静電噴霧法による量子ドットの作製

^○土江貴洋，石河泰明，鍋坂恭平，堀田昌宏，浦岡行治 (奈良先端大)

16:15 〜 16:30

[16p-D6-13] InAs/InGaAsP/InP量子ドット構造半導体とコラムナ量子ドット構造半導体の光励起発光スペクトルの比較

^○佐藤里枝，山口萌花，佐藤麻未子，竹内悠，今井元 (日女大理)

16:30 〜 16:45

△ [16p-D6-14] 半導体－金属ナノ粒子層状構造における発光増強及び消光の制御

^○横田裕樹，谷口太一，中山正昭，金大貴 (阪市大院工)

16:45 〜 17:00

[16p-D6-15] 熱アニールを行った酸化亜鉛粉末におけるランダムレーザー発振特性

^○薗田翔平，中村俊博，安達定雄 (群馬大)

17:00 〜 17:15

[16p-D6-16] Fe電極を用いた量子ドット発光ダイオードのEL特性

^○（M2）佐々木裕也，楊暁傑，高山純一，木場隆之，Agus Subagyo，池内昭郎，末岡和久，村山明宏 (北大院情報科学)

一般セッション(口頭講演)

[17a-D7-1~11] 14.4 光物性・発光デバイス

2013年9月17日(火) 09:00 〜 12:00 D7 (MK 3F-302)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

▲ [17a-D7-1] Ce³⁺賦活黄色窒化物蛍光体の結晶構造および発光特性

^○解栄軍¹，阮健²，舟橋司朗¹，武田隆史¹，末廣隆之¹，広崎尚登¹ (物材機構¹，武漢理工大²)

09:15 〜 09:30

[17a-D7-2] 層状置換型蛍光体の構造と発光特性

^○武田隆史，広崎尚登，Benjamin Dierre，舟橋司朗，解英軍，末広隆之 (物材機構)

09:30 〜 09:45

[17a-D7-3] 固体照明用窒化物系蛍光体の簡易合成

^○末廣隆之，解栄軍，武田隆史，舟橋司朗，広崎尚登 (物材機構)

09:45 〜 10:00

▲ [17a-D7-4] Structural and optical properties of Si3N4-doped AlN as UV emitters

^○Yujin Cho^1,2，Benjamin Dierre¹，武田隆史¹，高橋向星^1,2，Jianyong Li¹，神垣良昭³，深田直樹¹，広崎直登¹，関口隆史¹ (物材機構¹，筑波大²，香川大³)

10:00 〜 10:15

△ [17a-D7-5] ガーネット型Sr₃Y₂Ge₃O₁₂:Ce³⁺蛍光体の発光特性

^○田中基¹，豊島広朗^1,2，吉松良^1,2，山田鈴弥¹，小笠原一禎²，大観光徳³ (電気化学工業¹，関西学院大理工²，鳥取大工³)

10:15 〜 10:30

△ [17a-D7-6] 白色LED用蛍光体の光伝導度測定による消光機構の解明

^○上田純平^1,2，田部勢津久¹ (京大人環¹，京大地環²)

休憩　（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[17a-D7-7] 黄色チオシリケート蛍光体Y₄(SiS₄)₃:Ce³⁺の発光特性

^○（D）七井靖，鈴木洋介，今井悠，奥野剛史 (電通大先進理工)

11:00 〜 11:15

[17a-D7-8] Euと希土類元素を共添加したCaGa₂S₄中のトラップ準位III

^○日高千晴，滝沢武男 (日大文理)

11:15 〜 11:30

[17a-D7-9] 希土類元素共添加によるCaGa₂S₄:Mn²⁺赤色発光増感現象のESR II

北島一徹¹，鈴木昭宏¹，^○滝沢武男¹，日高千晴¹，野村重孝² (日大¹，東京理科大²)

11:30 〜 11:45

△ [17a-D7-10] RFマグネトロンスパッタ法を用いたZnO蛍光体薄膜の作製と電子線励起アシスト光学顕微鏡による試料観察

^○金森聡¹，三宅亜紀^1,2,3，居波渉^1,2,3，小南裕子^1,3，川田善正^1,2,3，中西洋一郎³ (静岡大院工¹，JST-CREST²，静岡大電子研³)

11:45 〜 12:00

△ [17a-D7-11] サマリウムを添加した硫酸バリウムの光及びX線励起発光特性

^○（M1）久米田朋晃¹，前田幸治¹，前田健作¹，境健太郎²，碇哲雄¹ (宮崎大工¹，宮大産学連携センター²)

一般セッション(口頭講演)

[17p-D7-1~20] 14.4 光物性・発光デバイス

2013年9月17日(火) 13:30 〜 18:45 D7 (MK 3F-302)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食　（12:00 〜 13:30）

13:30 〜 13:45

[17p-D7-1] 異種金属酸化物の揮発現象を活用した不定比α-Al₂
O₃結晶の作製

^○源治伯洋宗，内野隆司 (神戸大)

13:45 〜 14:00

[17p-D7-2] GdAlO₃:Ce³⁺-Al₂O₃相分離シンチレータの発光特性

^○大橋良太¹，安居伸浩¹，田透¹，黒澤俊介²，横田有為²，吉川彰² (キヤノン¹，東北大金研²)

14:00 〜 14:15

[17p-D7-3] 紫外発光(Zn_1-XMg_X)Al₂O₄蛍光体の合成及び発光特性

^○石永健揚¹，小南裕子¹，中西洋一郎²，原和彦² (静大院工¹，静大電子研²)

14:15 〜 14:30

[17p-D7-4] 酸化焼成によるBaMgAl₁₀O₁₇:EuのVUV励起特性の劣化

^○（M1）景山洋至¹，中村公彦¹，大観光徳^1,2，國本崇³ (鳥取大院工¹，TEDREC²，徳文大理工³)

14:30 〜 14:45

[17p-D7-5] マイクロプラズマ励起深紫外発光素子(MIPE)の開発と応用

^○黒瀬範子，青柳克信 (立命館大)

14:45 〜 15:00

[17p-D7-6] 大気圧プラズマ照射下の液中ラジカル挙動観測のためのリン酸塩蛍光体合成とその評価

^○山上紘平，加藤有行，岩崎孝太郎，濱谷憲太，高橋一匡，佐々木徹，菊池崇志，阿蘇司，原田信弘 (長岡技科大工)

15:00 〜 15:15

[17p-D7-7] RFスパッタリング法によるペロブスカイト型紫外蛍光体YAlO₃:Gd³⁺-Pr³⁺薄膜の作製

^○清水雄平，植田和茂 (九工大)

15:15 〜 15:30

[17p-D7-8] SnO₂:Eu³⁺蛍光体の作製と評価

^○新井敬章，安達定雄 (群馬大院理工)

15:30 〜 15:45

[17p-D7-9] Ga₂O₃:Eu³⁺, Cr³⁺赤色蛍光体の作製と特性評価

^○時田祥紀，安達定雄 (群馬大院工)

15:45 〜 16:00

[17p-D7-10] Sm³⁺, Pr³⁺共添加ガラス蛍光体の発光特性

^○清水勇佑¹，渡辺敬太¹，上村彦樹²，渕真悟¹，竹田美和² (青学大¹，科技財団²)

休憩　（16:00 〜 16:15）

16:15 〜 16:30

[17p-D7-11] Bi₂O₃添加MgGeO₃:Mn²⁺蛍光体における赤色長残光特性

^○（DC）片山裕美子，上田純平，田部勢津久 (京大院人環)

16:30 〜 16:45

[17p-D7-12] 長残光蛍光体SrAl₂O₄の結晶成長と光学特性

^○石橋知也，古川翔子，山中明生 (千歳科学技術大)

16:45 〜 17:00

[17p-D7-13] テルビウムをドープしたCaF₂

^○知花優太郎，山中明生 (千歳科学技術大)

17:00 〜 17:15

[17p-D7-14] 希土類を添加したCaWO₄の蛍光特性Ⅲ：波長依存性

^○木田光太郎，嶋浩政，斎藤毅，高橋悠樹，成瀬寛峰，山中明夫 (千歳科学技術大)

17:15 〜 17:30

[17p-D7-15] 高圧相SrO:Eu²⁺青色蛍光体のTEM観察

^○（PC）小松啓志¹，中村淳^1,2，加藤有行¹，大塩茂夫¹，戸田育民¹，村松寛之¹，齋藤秀俊¹ (長岡技科大¹，中部キレスト²)

17:30 〜 17:45

[17p-D7-16] 高圧相SrO:Ce³⁺蛍光体の合成

^○（PC）小松啓志¹，中村淳^1,2，大塩茂夫¹，戸田育民¹，村松寛之¹，齋藤秀俊¹ (長岡技科大¹，中部キレスト²)

17:45 〜 18:00

[17p-D7-17] KCl:Ce³⁺青色蛍光体の作製及び発光特性

^○登坂優希，長岡佳宏，安達定雄 (群馬大)

18:00 〜 18:15

[17p-D7-18] NaCl:Ce³⁺,Tb³⁺緑色蛍光体の作製および発光特性

^○長岡佳宏，安達定雄 (群馬大院工)

18:15 〜 18:30

[17p-D7-19] BaTiF₆:Mn⁴⁺赤色蛍光体の作製と評価

^○関口大祐，安達定雄 (群馬大院理工)

18:30 〜 18:45

[17p-D7-20] ZnSiF₆･6H₂O:Mn⁴⁺赤色蛍光体の作成と評価

^○星野良介，関口大祐，安達定雄 (郡馬大院理工)

一般セッション(口頭講演)

[18a-D7-1~11] 14.4 光物性・発光デバイス

2013年9月18日(水) 10:00 〜 13:00 D7 (MK 3F-302)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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10:00 〜 10:15

[18a-D7-1] GaN化合物原料とラジカル窒素を用いたMBE法によるEu添加GaN薄膜の作製

^○小山裕生，弓達新治，井上貴満，宮田晃，白方祥 (愛大工)

10:15 〜 10:30

[18a-D7-2] Eu,O共添加GaNにおけるEu発光特性への成長圧力の効果

^○（M1）松田将明，李東建，若松龍太，小泉淳，藤原康文 (大阪院工)

10:30 〜 10:45

[18a-D7-3] Eu添加GaN赤色LEDにおけるEu発光強度の電極面積依存性

^○稲葉智宏，李東建，若松龍太，小泉淳，藤原康文 (阪大工)

10:45 〜 11:00

[18a-D7-4] 希土類添加半導体AlGdNのバンドギャップ制御によるエネルギー移動のチューニング

^○石津勇太¹，辻和真¹，喜多隆¹，千木慶隆²，西本哲朗²，田中寛之²，小林幹弘²，石原嗣生³，泉宏和³ (神戸大院工¹，ユメックス²，兵庫県立工業技術センター³)

11:00 〜 11:15

[18a-D7-5] 反応性スパッタ法により形成したAlN:Eu,Si薄膜のPL発光特性

^○鍵政亮介，梶原舜，松本允洸，勝俣裕 (明大理工)

休憩　（11:15 〜 11:30）

11:30 〜 11:45

[18a-D7-6] Si基板上(Er_1-xSc_x)₂O₃のＭＢＥ成長

^○尾身博雄^1,2，俵毅彦^1,2，鍛冶玲奈³，穂積貴人³，足立智³，後藤秀樹¹，寒川哲臣¹ (NTT物性基礎研¹，NTTナノフォトニクスセンタ²，北大院工³)

11:45 〜 12:00

[18a-D7-7] サファイア基板上にスパッタ成膜したZnO:Er膜からの発光特性

^○赤沢方省¹，篠島弘幸² (NTT MI研¹，久留米高専²)

12:00 〜 12:15

[18a-D7-8] NH₃ガスを用いたAl薄膜の直接窒化によるAlN薄膜の形成

^○（M1）梶原舜，鍵政亮介，松本允洸，勝俣裕 (明大理工)

12:15 〜 12:30

[18a-D7-9] 二波長励起PL法を用いたInAlGaNの非発光再結合準位評価

^○村越尚輝¹，イスラムトウヒドル¹，福田武司¹，鎌田憲彦¹，平山秀樹² (埼玉大¹，理研²)

12:30 〜 12:45

△ [18a-D7-10] 時間分解ポンププローブ反射計測によるInGaAsPバルクのスピン緩和の観測

^○原澤遼¹，浅香尚洋¹，Shulong Lu²，Lian Ji²，竹内淳¹ (早大先進理工¹，SINANO-CAS²)

12:45 〜 13:00

△ [18a-D7-11] 低温成長GaAsのサブピコ秒ホールスピン緩和の観測

^○本多一輝¹，上村光典¹，安江雄也¹，Lu Shulong²，Dai Pan²，竹内淳¹ (早大理工¹，SINANO-CAS²)

一般セッション(口頭講演)

[18p-D7-1~5] 14.4 光物性・発光デバイス

2013年9月18日(水) 14:30 〜 15:45 D7 (MK 3F-302)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食　（13:00 〜 14:30）

14:30 〜 14:45

[18p-D7-1] インクジェット法による無機薄膜EL素子の作製(Ⅱ)-水熱法によるZnS:Mnナノ粒子の合成-

^○福田尚哉¹，土井直紀¹，大観光徳^1,2 (鳥取大院工¹，ＴＥＤＲＥＣ²)

14:45 〜 15:00

△ [18p-D7-2] 超短パルスレーザーを照射した無機ELディスプレイ用ZnS蛍光体の作製

^○鍋坂恭平¹，石河泰明^1,3，土江貴洋¹，田口信義²，細川陽一郎¹，浦岡行治^1,3 (奈良先端大¹，イメージテック²，CREST³)

15:00 〜 15:15

[18p-D7-3] NaNbO₃:Pr/SnO₂:Sbおよび(Ca,Sr)TiO₃:Er/SnO₂:Sb交互積層膜のエレクトロルミネッセンス特性

^○京免徹¹，関美悠¹，蓮子彩也香¹，花屋実¹，高島浩² (群馬大院理工¹，産総研²)

15:15 〜 15:30

[18p-D7-4] 流通式水熱合成法で合成した酸化物ナノ結晶を用いた分散型EL素子の発光特性

青木光子¹，^○池上敬一²，伯田幸也²，高島浩¹ (産総研電子光¹，産総研ナノシステム²)

15:30 〜 15:45

[18p-D7-5] 酸化物半導体を用いた直流無機薄膜 EL 素子の検討

^○柳原邦俊，三浦登，松本皓永 (明治大)

セッション一覧

14．半導体B（探索的材料・物性・デバイス） » 14.4 光物性・発光デバイス

[16a-P2-1~17] 14.4 光物性・発光デバイス

[16p-D6-1~16] 14.4 光物性・発光デバイス

▲ [16p-D6-7] 酸化ナノシリコンと多孔ガラスにおける紫外発光と青色発光の連関性

△ [16p-D6-12] 静電噴霧法による量子ドットの作製

△ [16p-D6-14] 半導体－金属ナノ粒子層状構造における発光増強及び消光の制御

[17a-D7-1~11] 14.4 光物性・発光デバイス

▲ [17a-D7-1] Ce3+賦活黄色窒化物蛍光体の結晶構造および発光特性

▲ [17a-D7-4] Structural and optical properties of Si3N4-doped AlN as UV emitters

△ [17a-D7-5] ガーネット型Sr3Y2Ge3O12:Ce3+蛍光体の発光特性

△ [17a-D7-6] 白色LED用蛍光体の光伝導度測定による消光機構の解明

△ [17a-D7-10] RFマグネトロンスパッタ法を用いたZnO蛍光体薄膜の作製と電子線励起アシスト光学顕微鏡による試料観察

△ [17a-D7-11] サマリウムを添加した硫酸バリウムの光及びX線励起発光特性

[17p-D7-1~20] 14.4 光物性・発光デバイス

[18a-D7-1~11] 14.4 光物性・発光デバイス

△ [18a-D7-10] 時間分解ポンププローブ反射計測によるInGaAsPバルクのスピン緩和の観測

△ [18a-D7-11] 低温成長GaAsのサブピコ秒ホールスピン緩和の観測

[18p-D7-1~5] 14.4 光物性・発光デバイス

△ [18p-D7-2] 超短パルスレーザーを照射した無機ELディスプレイ用ZnS蛍光体の作製

▲ [17a-D7-1] Ce³⁺賦活黄色窒化物蛍光体の結晶構造および発光特性

△ [17a-D7-5] ガーネット型Sr₃Y₂Ge₃O₁₂:Ce³⁺蛍光体の発光特性