一般セッション(口頭講演)

[13a-A23-1~7] 6.1 強誘電体薄膜

2016年9月13日(火) 10:00 〜 11:45 A23 (201B)

寒川雅之(新潟大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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10:00 〜 10:15

[13a-A23-1] Si基板上c軸配向PMnN-PZTエピタキシャル急冷薄膜の面内ひずみの高温XRD解析

〇吉田慎哉¹、田中秀治¹ (1.東北大工)

10:15 〜 10:30

▼ [13a-A23-2] Deposition Temperature Dependency of Characteristics of PMnN-PZT Epitaxial Thin Film on Si Prepared by Sputter Deposition with Fast Cooling

〇(M2)Zhen Zhou¹、 Shinya Yoshida¹、 Shuji Tanaka¹ (1.Tohoku Univ.)

10:30 〜 10:45

[13a-A23-3] 小型スパッタリング装置を用いたPZT圧電膜の作製と評価

〇木村勲¹、小林宏樹¹、露木達郎¹、神保武人¹、鄒弘綱¹、杉田浩志²、渡邉憲志² (1.株式会社アルバック、2.アルバック九州株式会社)

10:45 〜 11:00

[13a-A23-4] 圧電MEMS向けドライエッチングプロセスの開発

〇山本直志¹、小林宏樹¹、神保武人¹、上村隆一郎¹ (1.アルバック半電研)

11:00 〜 11:15

▲ [13a-A23-5] Compositional dependence of BaTiO₃-xBaSnO₃ piezoelectric thin films prepared by combinatorial sputtering

Hongbo Cheng^1,2、〇Takuya Teramoto¹、 Hirotaka Hida¹、 Isaku Kanno¹、 Jun Ouyang² (1.Kobe Univ.、2.Shandong Univ.)

11:15 〜 11:30

[13a-A23-6] 圧電MEMS振動発電への応用に向けたBiFeO₃薄膜の誘電特性の改善

〇荒牧正明¹、苅谷健人¹、吉村武¹、村上修一²、藤村紀文¹ (1.阪府院工、2.阪府産技研)

11:30 〜 11:45

[13a-A23-7] 歩行運動を対象にした圧電発電の検討

〇柿原凌汰¹、苅谷健人¹、松下裕司¹、桐谷乃輔¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大院工)

一般セッション(口頭講演)

[13p-A23-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

2016年9月13日(火) 13:30 〜 16:45 A23 (201B)

安井伸太郎(東工大)、清水荘雄(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 14:00

▲ [13p-A23-1] [2016 Fellow International Special Lectures] Piezoresponse Force Microscopy - candid camera for the nanoferroelectric world

〇Alexei Gruverman¹ (1.University of Nebraska,Lincoln)

14:00 〜 14:15

△ [13p-A23-2] BiFeO₃薄膜の正圧電応答におけるドメイン壁の寄与

〇苅谷健人¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大工院)

14:15 〜 14:30

△ [13p-A23-3] 面内分極軸優先配向Pb(Zr,Ti)O₃薄膜のドメイン構造

〇一ノ瀬大地¹、江原祥隆¹、清水荘雄¹、坂田修身^2,3、山田智明^4,5、 Alexei Gruverman⁶、舟窪浩¹ (1.東工大、2.NIMS、3.SPring-8、4.名大、5.PRESTO、6.ネブラスカ大)

14:30 〜 14:45

[13p-A23-4] パターン化SrTiO₃基板上へのBiFeO₃薄膜の作製

〇瀬戸翔太¹、中嶋誠二¹、藤沢浩訓¹、清水勝¹ (1.兵庫県立大工)

14:45 〜 15:00

▲ [13p-A23-5] Voltage-Pulse-Induced Expansion of Chalcogenide Superlattices Measured by Scanning Probe Microscopy

〇Leonid Bolotov¹、 Tetsuya Tada¹、 Yuta Saito¹、 Junji Tominaga¹ (1.AIST)

15:15 〜 15:30

[13p-A23-6] [講演奨励賞受賞記念講演] ナノキャパシタの第一原理解析－dead layer効果と負のキャパシタンス

〇笠松秀輔¹、渡邉聡²、 Han Seungwu³、 Hwang Cheol Seong³ (1.東大物性研、2.東大院工、3.ソウル大)

15:30 〜 15:45

[13p-A23-7] ReRAM用BaTiO₃薄膜の強誘電性と抵抗ヒステリシス特性の関係の検討

〇杉江敏幸¹、前島壮¹、山下馨¹、野田実¹ (1.京工繊工芸)

15:45 〜 16:00

[13p-A23-8] Nd添加BFO薄膜の抵抗スイッチングと光起電力

〇森本章治¹、横田雄介²、川畑創² (1.金沢大理工、2.金沢大院自然)

16:00 〜 16:15

[13p-A23-9] 強誘電体薄膜における電気熱量効果の直接測定

〇松下裕司¹、後田敦史¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.大阪府立大学)

16:15 〜 16:30

[13p-A23-10] (Pb,Y)(Sn,Zr)O₃薄膜の反強誘電特性とエネルギー貯蔵特性

〇福田繁規¹、橋爪洋一郎¹、中嶋宇史¹、岡村総一郎¹ (1.東理大理)

16:30 〜 16:45

[13p-A23-11] 遷移金属元素をドープした単一ドメインBiFeO₃薄膜の異常光起電力効果(Ⅲ)

〇(M2)高山幸太¹、中嶋誠二¹、藤沢浩訓¹、清水勝¹ (1.兵庫県立大学)

一般セッション(口頭講演)

[14a-A23-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

2016年9月14日(水) 09:00 〜 11:45 A23 (201B)

吉田慎哉(東北大)、山田智明(名大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[14a-A23-1] (0001)ZnO基板上における巨大c/a比を有するBiFeO₃薄膜の成長

〇後田敦史¹、小前智也¹、吉村武¹、藤村紀文¹ (1.阪府大院工)

09:15 〜 09:30

[14a-A23-2] マルチフェロイックヘテロ構造のための面内強誘電分極エピタキシャル BaTiO₃ 薄膜

〇(PC)小松克伊¹、鈴木一平¹、青木巧²、濵嵜容丞¹、伊藤満¹、谷山智康¹ (1.東工大、2.TDK)

09:30 〜 09:45

△ [14a-A23-3] 成長温度がスピネルとナノ相分離したBi層状ペロブスカイトの安定性に及ぼす影響

〇原田龍馬¹、川平祐太¹、丸山伸伍¹、松本祐司¹ (1.東北大院工)

09:45 〜 10:00

[14a-A23-4] 電界印加によるYO_1.5-HfO₂基薄膜の結晶構造変化

〇清水荘雄¹、三村和仙¹、片山きりは¹、木口賢紀²、赤間章裕²、今野豊彦²、坂田修身³、舟窪浩¹ (1.東工大、2.東北大、3.物材機構)

10:00 〜 10:15

[14a-A23-5] 強誘電体Pb(Zr,Ti)O₃ナノロッドの電荷遮蔽によるドメイン制御

〇山田智明¹、伊藤大介¹、 Sluka Tomas²、 Setter Nava²、坂田修身^3,4、生津資大⁵、舟窪浩⁴、吉野正人¹、長崎正雅¹ (1.名古屋大、2.スイス連邦工科大、3.物質・材料研究機構、4.東工大、5.愛知工大)

10:30 〜 10:45

△ [14a-A23-6] HfO₂基強誘電体の結晶構造と特性の熱処理温度依存性

〇三村和仙¹、清水荘雄²、内田寛³、木口賢紀⁴、赤間章裕⁴、今野豊彦⁴、坂田修身⁵、舟窪浩^1,2,6 (1.東工大総理工、2.東工大元素、3.上智大理工、4.東北大金研、5.NIMS、6.東工大物院)

10:45 〜 11:00

△ [14a-A23-7] PLD法による配向制御したエピタキシャル(Bi,K)TiO₃膜の作製

〇根本祐一¹、一ノ瀬大地²、清水荘雄³、内田寛⁴、佐藤祐介⁵、山岡和希子⁵、舟窪浩^1,2,3 (1.東工大総理工、2.東工大物院工、3.東工大元素、4.上智大理工、5.TDK株式会社)

11:00 〜 11:15

[14a-A23-8] チタン酸バリウム系ナノキューブ集積体の誘電特性

〇三村憲一¹、加藤一実¹ (1.産総研)

11:15 〜 11:30

[14a-A23-9] VDF/TeFE共重合体薄膜の非対称なドメインスイッチング特性

〇中川佑太¹、榎本尚人¹、橋爪洋一郎¹、中嶋宇史¹、 Gruverman Alexei²、岡村総一郎¹ (1.東理大理、2.ネブラスカ大学リンカーン校)

11:30 〜 11:45

△ [14a-A23-10] Au / VDF-TrFE / 半導体 Si 接合における分極誘起抵抗変化現象

〇榎本尚人¹、中川佑太¹、橋爪洋一郎¹、中嶋宇史¹、岡村総一郎¹ (1.東理大理)

一般セッション(ポスター講演)

[14p-P3-1~3] 6.1 強誘電体薄膜

2016年9月14日(水) 13:30 〜 15:30 P3 (展示ホール)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 15:30

[14p-P3-1] KNN薄膜を用いた光起電力特性評価

〇大地優平¹、肥田博隆¹、神野伊策¹ (1.神戸大工)

13:30 〜 15:30

[14p-P3-2] 強誘電体インクジェット成膜液の飛翔特性

〇山口正樹^1,2、松岡勇汰¹、増田陽一郎³ (1.芝浦工大工、2.芝浦工大RCGI、3.八戸工大工)

13:30 〜 15:30

[14p-P3-3] Si基板上におけるBi_4-xLa_xTi₃O₁₂薄膜の結晶配向とMFS構造の電気特性

〇香野淳¹、田尻恭之¹ (1.福岡大理)

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6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[13a-A23-1~7] 6.1 強誘電体薄膜

[13a-A23-1] Si基板上c軸配向PMnN-PZTエピタキシャル急冷薄膜の面内ひずみの高温XRD解析

▼ [13a-A23-2] Deposition Temperature Dependency of Characteristics of PMnN-PZT Epitaxial Thin Film on Si Prepared by Sputter Deposition with Fast Cooling

[13a-A23-3] 小型スパッタリング装置を用いたPZT圧電膜の作製と評価

[13a-A23-4] 圧電MEMS向けドライエッチングプロセスの開発

▲ [13a-A23-5] Compositional dependence of BaTiO₃-xBaSnO₃ piezoelectric thin films prepared by combinatorial sputtering

[13a-A23-6] 圧電MEMS振動発電への応用に向けたBiFeO₃薄膜の誘電特性の改善

[13a-A23-7] 歩行運動を対象にした圧電発電の検討

[13p-A23-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

▲ [13p-A23-1] [2016 Fellow International Special Lectures] Piezoresponse Force Microscopy - candid camera for the nanoferroelectric world

△ [13p-A23-2] BiFeO₃薄膜の正圧電応答におけるドメイン壁の寄与

△ [13p-A23-3] 面内分極軸優先配向Pb(Zr,Ti)O₃薄膜のドメイン構造

[13p-A23-4] パターン化SrTiO₃基板上へのBiFeO₃薄膜の作製

▲ [13p-A23-5] Voltage-Pulse-Induced Expansion of Chalcogenide Superlattices Measured by Scanning Probe Microscopy

[13p-A23-6] [講演奨励賞受賞記念講演] ナノキャパシタの第一原理解析－dead layer効果と負のキャパシタンス

[13p-A23-7] ReRAM用BaTiO₃薄膜の強誘電性と抵抗ヒステリシス特性の関係の検討

[13p-A23-8] Nd添加BFO薄膜の抵抗スイッチングと光起電力

[13p-A23-9] 強誘電体薄膜における電気熱量効果の直接測定

[13p-A23-10] (Pb,Y)(Sn,Zr)O₃薄膜の反強誘電特性とエネルギー貯蔵特性

[13p-A23-11] 遷移金属元素をドープした単一ドメインBiFeO₃薄膜の異常光起電力効果(Ⅲ)

[14a-A23-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

[14a-A23-1] (0001)ZnO基板上における巨大c/a比を有するBiFeO₃薄膜の成長

[14a-A23-2] マルチフェロイックヘテロ構造のための面内強誘電分極エピタキシャル BaTiO₃ 薄膜

△ [14a-A23-3] 成長温度がスピネルとナノ相分離したBi層状ペロブスカイトの安定性に及ぼす影響

[14a-A23-4] 電界印加によるYO_1.5-HfO₂基薄膜の結晶構造変化

[14a-A23-5] 強誘電体Pb(Zr,Ti)O₃ナノロッドの電荷遮蔽によるドメイン制御

△ [14a-A23-6] HfO₂基強誘電体の結晶構造と特性の熱処理温度依存性

△ [14a-A23-7] PLD法による配向制御したエピタキシャル(Bi,K)TiO₃膜の作製

[14a-A23-8] チタン酸バリウム系ナノキューブ集積体の誘電特性

[14a-A23-9] VDF/TeFE共重合体薄膜の非対称なドメインスイッチング特性

△ [14a-A23-10] Au / VDF-TrFE / 半導体 Si 接合における分極誘起抵抗変化現象

[14p-P3-1~3] 6.1 強誘電体薄膜

[14p-P3-1] KNN薄膜を用いた光起電力特性評価

[14p-P3-2] 強誘電体インクジェット成膜液の飛翔特性

[14p-P3-3] Si基板上におけるBi_4-xLa_xTi₃O₁₂薄膜の結晶配向とMFS構造の電気特性

認証

セッション一覧

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[13a-A23-1~7] 6.1 強誘電体薄膜

▼ [13a-A23-2] Deposition Temperature Dependency of Characteristics of PMnN-PZT Epitaxial Thin Film on Si Prepared by Sputter Deposition with Fast Cooling

▲ [13a-A23-5] Compositional dependence of BaTiO3-xBaSnO3 piezoelectric thin films prepared by combinatorial sputtering

[13p-A23-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

▲ [13p-A23-1] [2016 Fellow International Special Lectures] Piezoresponse Force Microscopy - candid camera for the nanoferroelectric world

△ [13p-A23-2] BiFeO3薄膜の正圧電応答におけるドメイン壁の寄与

△ [13p-A23-3] 面内分極軸優先配向Pb(Zr,Ti)O3薄膜のドメイン構造

▲ [13p-A23-5] Voltage-Pulse-Induced Expansion of Chalcogenide Superlattices Measured by Scanning Probe Microscopy

[14a-A23-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

△ [14a-A23-3] 成長温度がスピネルとナノ相分離したBi層状ペロブスカイトの安定性に及ぼす影響

△ [14a-A23-6] HfO2基強誘電体の結晶構造と特性の熱処理温度依存性

△ [14a-A23-7] PLD法による配向制御したエピタキシャル(Bi,K)TiO3膜の作製

△ [14a-A23-10] Au / VDF-TrFE / 半導体 Si 接合 における分極誘起抵抗変化現象

[14p-P3-1~3] 6.1 強誘電体薄膜

認証

▲ [13a-A23-5] Compositional dependence of BaTiO₃-xBaSnO₃ piezoelectric thin films prepared by combinatorial sputtering

△ [13p-A23-2] BiFeO₃薄膜の正圧電応答におけるドメイン壁の寄与

△ [13p-A23-3] 面内分極軸優先配向Pb(Zr,Ti)O₃薄膜のドメイン構造

△ [14a-A23-6] HfO₂基強誘電体の結晶構造と特性の熱処理温度依存性

△ [14a-A23-7] PLD法による配向制御したエピタキシャル(Bi,K)TiO₃膜の作製

△ [14a-A23-10] Au / VDF-TrFE / 半導体 Si 接合における分極誘起抵抗変化現象