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一般セッション(ポスター講演)

[15p-P14-1~11] 13.3 絶縁膜技術

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

2017年3月15日(水) 16:00 〜 18:00 P14 (展示ホールＢ)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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16:00 〜 18:00

[15p-P14-1] 高湿環境下でのｼﾘｺﾝﾘｯﾁSiN膜の表面酸化過程

〇奥友希¹、志賀俊彦¹、戸塚正裕¹、高木晋一¹ (1.三菱電機波光電)

16:00 〜 18:00

[15p-P14-2] SiO₂の高温動特性に対するSiOの効果の検討

〇矢島雄司¹、影島博之^1,4、白石賢二^2,4、遠藤哲郎^3,4 (1.島根大、2.名古屋大、3.東北大、4.JST-ACCEL)

16:00 〜 18:00

▲ [15p-P14-3] Trichloroethene Concentration Effect on Deposition Rate and Properties of Low-Temperature Grown SiO₂ Films by using Silicone Oil and Ozone Gas

〇(D)Jain Puneet¹、 Horita Susumu¹ (1.Japan Adv. Inst. Sci. & Tech. (JAIST))

16:00 〜 18:00

[15p-P14-4] シリコン窒化膜の常磁性欠陥に対する熱処理の効果(Ⅳ)

〇数見理¹、小林清輝¹ (1.東海大院工)

16:00 〜 18:00

[15p-P14-5] 超臨界流体反応場中における酸化ハフニウム薄膜の化学的堆積

〇川島広明¹、内田寛¹ (1.上智大)

16:00 〜 18:00

[15p-P14-6] 分子動力学計算によるAlO_xN_y/SiO₂界面におけるダイポール形成メカニズムの考察

〇高橋憶人¹、功刀遼太¹、中川宣拓¹、渡邉孝信¹ (1.早大理工)

16:00 〜 18:00

▲ [15p-P14-7] Atom Probe Tomographic Study on Implanted Deuterium in Al₂O₃/Hf_xSi_1-xO₂/SiO₂ Stacks

〇(D)Tu Yuan¹、 Han Bin¹、 Shimizu Yasuo¹、 Kunimune Yorinobu²、 Shimada Yasuhiro²、 Inoue Masao³、 Inoue Koji¹、 Nagata Shinji¹、 Nagai Yasuyoshi¹ (1.IMR Tohoku Univ.、2.Renesas Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.、3.Renesas Electronics Corp.)

16:00 〜 18:00

[15p-P14-8] 高空間分解能HXPESによるGe 2p内殻準位の結合エネルギーに歪みが与える影響の検出

〇(B)佐野良介¹、此島志織²、滝沢耕平²、澤野憲太郎¹、野平博司¹ (1.東京都市大工、2.東京都市大院)

16:00 〜 18:00

[15p-P14-9] RFマグネトロンスパッタ法を用いたSrTa₂O₆薄膜の作製と評価

〇高橋崇典¹、宝賀剛¹、安井寛治²、末松久幸²、浦岡行治³、内山潔¹ (1.鶴岡高専、2.長岡技科大、3.奈良先端大)

16:00 〜 18:00

[15p-P14-10] GaNパワートランジスタのためのゲートSiO2膜形成技術の開発

〇前川拓也¹、小木曽真一¹、有元圭介¹、山中淳二¹、荒井哲司¹、中川清和¹、高松利行²、上野勝典³ (1.山梨大、2.㈱SST、3.富士電機㈱)

16:00 〜 18:00

[15p-P14-11] Al₂O₃/SiO₂混合酸化膜の熱安定性

〇伊藤健治¹、菊田大悟¹、成田哲夫¹、片岡恵太¹、森朋彦¹ (1.豊田中研)

一般セッション(口頭講演)

[16a-413-1~12] 13.3 絶縁膜技術

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

2017年3月16日(木) 09:00 〜 12:15 413 (413)

渡邉孝信(早大)、小林清輝(東海大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[16a-413-1] Si熱酸化過程の面方位依存性に関する理論的研究

〇名倉拓哉¹、川内伸悟²、長川健太²、白川裕規²、洗平昌晃^2,3,7、影島博之^4,7、遠藤哲郎^5,6,7、白石賢二^2,3,7 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研、4.島根大院総合理工、5.東北大院工、6.国際集積セ、7.JST-ACCEL)

09:15 〜 09:30

[16a-413-2] 縦型 BC-MOSFET の Si 熱酸化過程における圧縮歪みと面方位依存性に関する理論的研究

〇川内伸悟¹、白川裕規¹、長川健太¹、洗平昌晃^1,2,6、影島博之^3,6、遠藤哲郎^4,5,6、白石賢二^1,2,6 (1.名大院工、2.名大未来研、3.島根大院総合理工、4.東北大院工、5.国際集積セ、6.JST-ACCEL)

09:30 〜 09:45

[16a-413-3] Amorphous-SiO₂中の金属原子が示す化学傾向

〇宮島岳史¹、白川裕規²、洗平昌晃^3,2、白石賢二^3,2 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研)

09:45 〜 10:00

[16a-413-4] 硬X線光電子分光法によるSi-MOSダイオードのオペランド分析－電位変化および化学結合状態評価－

〇大田晃生¹、村上秀樹²、池田弥央¹、牧原克典¹、池永英司³、宮崎誠一¹ (1.名大院工、2.久留米高専、3.SPring-8)

10:00 〜 10:15

[16a-413-5] 陽極酸化膜を有するMOS構造におけるアドミタンス特性

〇(M1)中田友緒¹、張祺¹、呉研¹、高橋芳浩¹ (1.日大理工)

10:15 〜 10:30

[16a-413-6] MIMキャパシタの電荷放出特性評価手法

〇小澤航大¹、蓮沼隆¹、山部紀久夫¹ (1.筑波大)

10:45 〜 11:00

△ [16a-413-7] O₃処理を施した原子層堆積Al₂O₃膜の電気伝導特性

〇(B)大久保智¹、松村大輔¹、平岩篤^2,4、川原田洋^1,2,3 (1.早大理工、2.早大ﾅﾉ･ﾗｲﾌ、3.早大材研、4.名大未来研)

11:00 〜 11:15

[16a-413-8] 酸素濃度0.1ppmの新フラッシュランプアニール(FLA)装置によるHigh-k膜の薄膜化

〇上田晃頌¹、河原崎光¹、古川雅志¹、青山敬幸¹、加藤慎一¹、小林一平¹ (1.SCREEN)

11:15 〜 11:30

[16a-413-9] High-k/SiO₂界面双極子に起因するシリコン表面バンドベンディングのレーザーTHz放射顕微鏡による直接観察

〇堀田育志¹、佐伯郁弥¹、西慎太郎¹、伊藤明²、中西英俊²、吉田晴彦¹、新船幸二¹、佐藤真一¹、斗内政吉³、川山巌³ (1.兵県大工、2.SCREEN、3.阪大レーザー研)

11:30 〜 11:45

[16a-413-10] XPSによるHfO₂の電子親和力と界面ダイポールの定量

〇藤村信幸¹、大田晃生¹、池田弥央¹、牧原克典¹、宮崎誠一¹ (1.名大院工)

11:45 〜 12:00

△ [16a-413-11] Al₂O₃/SiO₂界面のダイポール層の発現と抑制を決定づける因子の実験的検討

〇(M1C)鎌田啓伸¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

12:00 〜 12:15

▼ [16a-413-12] Opportunity for dipole layer formation at an non-SiO₂ dielectric interface - MgO/Al₂O₃

〇(D)Fei Jiayang¹、喜多浩之¹ (1.東大)

一般セッション(口頭講演)

[16p-413-1~11] 13.3 絶縁膜技術

6.1と13.3と13.5のコードシェアセッションあり

2017年3月16日(木) 14:00 〜 17:00 413 (413)

入沢寿史(産総研)、高木信一(東大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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14:00 〜 14:15

[16p-413-1] [講演奨励賞受賞記念講演] ゲートスタック中へのAl 導入によるGe p-MOSFET の移動度向上機構

〇永冨雄太¹、織田知輝¹、坂口大成¹、山本圭介¹、王冬¹、中島寛¹ (1.九大)

14:15 〜 14:30

[16p-413-2] 表面窒化処理によるGeO₂膜の吸湿性改善の検討

〇関谷陽介¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大院工)

14:30 〜 14:45

[16p-413-3] CVD-GeO₂/Ge構造に対するPost Metallization Annealingの効果

〇羽田野拓己¹、岩崎好孝¹、上野智雄¹ (1.農工大院・工)

14:45 〜 15:00

▼ [16p-413-4] Study of Thermal Oxidation Mechanism of Germanium

〇(D)Xu Wang¹、 Nishimura Tomonori¹、 Yajima Takeaki¹、 Toriumi Akira¹ (1.Univ. of Tokyo)

15:00 〜 15:15

▼ [16p-413-5] Relationship between initial properties and reliability of Ge gate stacks

〇(D)Tang Xiaoyu^1,2、 Toriumi Akira¹ (1.Univ. of Tokyo、2.Nanjing Univ.)

15:15 〜 15:30

▼ [16p-413-6] Atomic exchange between Ge and Si at GeO₂/Si interface

〇(D)Song Woojin¹、 Toriumi Akira¹ (1.The Univ. Tokyo)

15:45 〜 16:00

[16p-413-7] La₂O₃/Ge(111)MIS構造に対するLu-doped La₂O₃キャップ層の効果

〇銭高真人¹、古荘仁久¹、山本圭介²、中島寛³、浜屋宏平¹、金島岳¹ (1.阪大基礎工、2.九大･総理工、3.九大･グローバルイノベーションセンター)

16:00 〜 16:15

▲ [16p-413-8] MOS interface properties of ALD Al₂O₃/Y₂O₃/GeO_x/Ge gate stacks with plasma post oxidation

〇(D)柯夢南¹、竹中充¹、高木信一¹ (1.東大院工)

16:15 〜 16:30

[16p-413-9] 有機金属化学気相成長法を用いて作製したGe_1-xSn_xゲートスタック構造の欠陥物性評価

〇金田裕一¹、池進一^1,2、兼松正行¹、坂下満男¹、竹内和歌奈¹、中塚理¹、財満鎭明^1,3 (1.名古屋大院工、2.学振特別研究員、3.名古屋大未来研)

16:30 〜 16:45

[16p-413-10] Al₂O₃/In_xGa_1-xAs MOS界面特性に与える前処理の効果とその物理モデル

〇横山千晶¹、張志宇²、竹中充^1,2、高木信一^1,2 (1.東京大工、2.東京大院工)

16:45 〜 17:00

△ [16p-413-11] HfO₂/Al₂O₃/InGaAsゲート構造をもつMOSFETの移動度のH₂アニール後における成膜温度およびAl₂O₃膜厚依存性

〇大澤一斗¹、野口真司¹、祢津誠晃¹、木瀬信和¹、宮本恭幸¹ (1.東工大)

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