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一般セッション(口頭講演)

[10a-S203-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2021年9月10日(金) 09:00 〜 11:30 S203 (口頭)

塩貝純一(東北大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

△ [10a-S203-1] (La_1-xSr_x)VO₃/ p-Si(100)接合の電気容量ー電圧特性

〇村主圭佑¹、和達大樹²、新船幸二¹、吉田晴彦¹、堀田育志¹ (1.兵県大工、2.兵県大理)

09:15 〜 09:30

△ [10a-S203-2] 二層膜Co₂₀Fe₆₀B₂₀/WO₂におけるスピン流生成

〇(M2)藤井駿人¹、上田浩平^1,2、松野丈夫^1,2 (1.阪大理、2.阪大CSRN)

09:30 〜 09:45

△ [10a-S203-3] PrOエピタキシャル薄膜における多様な磁性相の制御

〇清水宙一¹、齋藤大地¹、神永健一^2,3、岡大地¹、福村知昭^1,3,4,5 (1.東北大理、2.東北大院工、3.東北大AIMR & Core Research Cluster、4.東北大CSIS、5.東北大CSRN)

09:45 〜 10:00

△ [10a-S203-4] エピタキシャルSrIrO₃におけるスピン軌道トルク生成

〇(M2)堀惣介¹、上田浩平^1,2、木田孝則³、萩原政幸³、松野丈夫^1,2 (1.阪大理、2.阪大CSRN、3.阪大先端強磁場)

10:00 〜 10:15

△ [10a-S203-5] Pt/MgFe₂O₄界面におけるスピンホール磁気抵抗効果

〇(M2)杉野雅史¹、上田浩平^1,2、木田孝則³、萩原政幸³、松野丈夫^1,2 (1.阪大理、2.阪大CSRN、3.阪大先端強磁場)

10:30 〜 10:45

▼ [10a-S203-6] Spin wave propagation characteristics of defect spinel epitaxial γ-Fe_2-xAl_xO₃thin films for magnonics applications

〇(M2)Siyi Tang¹、 Md. Shamim Sarker¹、 Kaijie Ma¹、 Hiroyasu Yamahara¹、 Munetoshi Seki¹、 Hitoshi Tabata¹ (1.the Univ. of Tokyo)

10:45 〜 11:00

△ [10a-S203-7] ダブルペロブスカイト型La₂MnCoO₆薄膜のBアンチサイト欠陥の制御と交換バイアスの観測

〇(M2)張樹桐¹、ラムチャンドラサフー¹、相馬拓人¹、北村未歩²、堀場弘司^2,3、組頭広志^2,3,4、坂田修身^3,5、大友明^1,3 (1.東工大物質理工、2.高エネ研、3.元素戦略、4.東北大多元研、5.物材機構)

11:00 〜 11:15

△ [10a-S203-8] 電界効果を利用したフッ化反応による酸フッ化物単結晶薄膜の合成

〇難波杜人¹、 Li Haobo¹、高津浩¹、陰山洋¹ (1.京大工)

11:15 〜 11:30

△ [10a-S203-9] トポケミカル反応による層状NbO₂の薄膜合成に関する検討

〇(M1)佐藤礼¹、相馬拓人¹、大友明^1,2 (1.東工大物質理工、2.元素戦略)

一般セッション(口頭講演)

[10p-S203-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2021年9月10日(金) 13:00 〜 18:30 S203 (口頭)

松田晃史(東工大)、新宮原正三(関西大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:00 〜 13:15

[10p-S203-1] (ZnO)_1-x-(SnO₂)_x多元系n形酸化物半導体薄膜を用いる透明ReRAMの作製

〇(M1)小林亮太¹、谷口佑太朗¹、宮田俊弘¹ (1.金沢工大)

13:15 〜 13:30

[10p-S203-2] 原子平坦アモルファス薄膜を用いたTaO_xのアナログメモリ動作過程の直接観察

〇福地厚¹、片瀬貴義²、太田裕道³、有田正志¹、高橋庸夫¹ (1.北大院情報、2.東工大フロ研、3.北大電子研)

13:30 〜 13:45

[10p-S203-3] 第一原理計算手法に基づく外部電場下におけるルチル型TiO2中の酸素空孔挙動の解析

〇(M1)二宮雅輝¹、藤平哲也¹、林侑介¹、酒井朗¹ (1.阪大基礎工)

13:45 〜 14:00

[10p-S203-4] ペロブスカイト型酸化物抵抗変化メモリの光応答特性評価及び人工シナプスデバイス応用の検討

〇山崎悠太郎¹、橋本悠太¹、青木裕雅¹、木下健太郎¹ (1.東理大理)

14:00 〜 14:15

[10p-S203-5] 抵抗変化デバイスの特性を考慮した確率共鳴シミュレーション

〇小竹克弥¹、牛久拓真¹、木下健太郎¹ (1.東理大理)

14:15 〜 14:30

[10p-S203-6] アニール処理によるNiO薄膜の特性変化

〇(M1)伊藤颯哉¹、江畑裕登¹、鈴木智之¹、山田繁¹、伊藤貴司¹ (1.岐阜大工)

14:30 〜 14:45

[10p-S203-7] 粉末ターゲットを用いる高周波マグネトロンスパッタ法によるCu₂O薄膜の作成

〇(M1)谷口佑太朗¹、小林亮太¹、宮田俊弘¹ (1.金沢工大)

14:45 〜 15:00

[10p-S203-8] PLD法による酸硫化物光触媒材料Y₂Ti₂O₅S₂の薄膜化

〇中村圭吾¹、深谷直人¹、高松大郊¹、高橋宏昌¹、籔内真¹、早川純¹ (1.日立製作所)

15:00 〜 15:15

▲ [10p-S203-9] Facile control of V/Bi ratio in bismuth vanadate films by oxygen pressure in sputtering for enhanced photoelectrochemical performance

〇(D)Liu Jiaqi¹、 Namiki Uezono¹、 Sachin A. Pawar¹、 Muhammad Monirul Islam¹、 Shigeru Ikeda²、 Takeaki Sakurai¹ (1.Univ. of Tsukuba、2.Konan Univ.)

15:15 〜 15:30

▲ [10p-S203-10] Influence of graphene quality on the photocatalytic performance of
TiO₂-graphene composite

〇(D)Rahul Deeliprao Deshmukh¹、 Yu Kanda¹、 Mitsuhiro Honda¹、 Yo Ichikawa¹ (1.Nagoya Inst. Tech.)

15:45 〜 16:00

[10p-S203-11] 硫化物系固体電解質を利用した薄膜型全固体Li電池における界面研究

〇武田祐希¹、西尾和記¹、今関大輔¹、枝村紅依¹、中山亮¹、清水亮太¹、一杉太郎¹ (1.東工大物質理工)

16:00 〜 16:15

[10p-S203-12] Al基板上おけるLiCoO₂の低温成膜

〇(M1)太田和希¹、川山巌¹、片岡理樹²、前田泰²、土井俊哉¹ (1.京大院エネ科、2.産総研電池技術)

16:15 〜 16:30

[10p-S203-13] 樹脂基板上全固体アモルファス薄膜リチウムイオン電池の作製

〇吉田将康¹、辻健太¹、神野伊策¹ (1.神戸大工)

16:30 〜 16:45

[10p-S203-14] 軟X線吸収分光を用いた薄膜全固体Li電池のオペランド観察

〇小林成¹、堀場弘司²、北村未歩³、西尾和記¹、清水亮太¹、一杉太郎¹ (1.東工大物質理工、2.量研機構、3.高エネ研)

16:45 〜 17:00

▲ [10p-S203-15] Electrochemical Control of the Optoelectronic Properties of La-doped BaSnO₃ Epitaxial Films using YSZ as the Solid Electrolyte

〇(D)Mian Wei¹、 Hai Jun Cho²、 Hiromichi Ohta² (1.IST-Hokkaido Univ.、2.RIES-Hokkaido Univ.)

17:00 〜 17:15

[10p-S203-16] p-NiO/n-ZnOヘテロ構造を用いた可視光透過型セルフパワーCO₂センサの試作

〇濱田知宏¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

17:15 〜 17:30

[10p-S203-17] 可視光透過型CO2センサの感度向上に向けたリアクティブスパッタによるSnO2薄膜制御

〇前田拓人¹、荒井雄太¹、杉山睦^1,2 (1.東理大　理工、2.東理大　総研)

17:30 〜 17:45

[10p-S203-18] SnO₂薄膜を用いた可視光透過型CO₂センサの感度と光学特性の検討

〇内田悠登¹、荒井雄太¹、濱田知宏¹、杉山睦^1,2 (1.東理大理工、2.東理大総研)

17:45 〜 18:00

[10p-S203-19] ディップ蒸発法によって作製した酸化アルミニウム透明薄膜

〇チンバイシェ¹、市村正也¹ (1.名工大工)

18:00 〜 18:15

[10p-S203-20] Al系合金基板上における透明導電体NbドープTiO₂薄膜の低温結晶化

〇(M2)増山知輝¹、清水亮太¹、一杉太郎¹ (1.東工大物質理工)

18:15 〜 18:30

[10p-S203-21] 塗布法による酸化ガリウム薄膜の作製とその物性評価

〇(M2)百田明紘¹、川野美晴¹、芝原拓哉¹、大谷直毅¹ (1.同志社大学)

一般セッション(口頭講演)

[12a-S203-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2021年9月12日(日) 09:00 〜 11:30 S203 (口頭)

山田浩之(産総研)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[12a-S203-1] [講演奨励賞受賞記念講演] NaOH水溶液中電場印加によるYOxHy薄膜の金属-絶縁体転移

〇小松遊矢¹、清水亮太¹、ビルデマーカス²、西尾和記¹、福谷克之^2,3、一杉太郎¹ (1.東工大物質理工、2.東大生産研、3.原子力機構)

09:15 〜 09:30

▼ [12a-S203-2] Lattice Strain and Insulator-to Metal Transition of VO₂ / TiO₂ Epitaxial Bilayer Films Grown on M-plane Sapphire Substrates

〇(D)Binjie Chen¹、 Gowoon Kim¹、 Hai Jun Cho^1,2、 Hiromichi Ohta^1,2 (1.IST, Hokkaido Univ、2.RIES, Hokkaido Univ)

09:30 〜 09:45

△ [12a-S203-3] SrTiO₃/TiO₂ヘテロ構造ナノロッドアレイにおけるTiO₂結晶構造の影響

〇木村考岐¹、蜂谷寛¹、佐川尚¹ (1.京大エネ)

09:45 〜 10:00

△ [12a-S203-4] VO₂/W:VO₂ヘテロ構造における電子相転移の直接観測

〇志賀大亮^1,2、神田龍彦¹、長谷川直人¹、北村未歩²、堀場弘司²、吉松公平¹、組頭広志^1,2 (1.東北大多元研、2.KEK物構研)

10:00 〜 10:15

△ [12a-S203-5] 4H-SiC(0001)基板を用いたTi₂O₃薄膜の合成

〇(M2)宮崎悟¹、吉松公平¹、長谷川直人¹、組頭広志¹ (1.東北大多元研)

10:30 〜 10:45

△ [12a-S203-6] 軟X線角度分解光電子分光によるTi₂O₃薄膜のバンド構造決定

〇(D)長谷川直人¹、吉松公平¹、志賀大亮¹、神田龍彦¹、宮崎悟¹、北村未歩²、堀場弘司²、組頭広志^1,2 (1.東北大多元研、2.KEK 物構研)

10:45 〜 11:00

△ [12a-S203-7] パルスレーザー堆積法による単結晶Sn₂Nb₂O₇薄膜作製とTi置換

〇伊藤宏陽¹、藤田貴啓¹、川﨑雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS)

11:00 〜 11:15

▼ [12a-S203-8] Layer-by-layer growth of (111)-oriented LaMnO₃ and LaNiO₃ films

〇(P)Ramchandra Sahoo¹、 Shutong Zhang¹、 Yuu Takeuchi¹、 Akira Ohtomo^1,2 (1.Tokyo Tech., Dept. Chem. Sci. Eng.、2.Tokyo Tech., MCES)

11:15 〜 11:30

▼ [12a-S203-9] Solid-state electrochemical redox control of
the optoelectronic properties for SrFeO_x thin films

〇(DC)Qian Yang¹、 Haijun Cho²、 Hyoungjeen Jeen³、 Hiromichi Ohta² (1.IST-Hokkaido Univ.、2.RIES-Hokkaido Univ.、3.Pusan Nat'l Univ.)

一般セッション(口頭講演)

[12p-S203-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2021年9月12日(日) 13:00 〜 16:30 S203 (口頭)

木下健太郎(東理大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:00 〜 13:15

△ [12p-S203-1] 抵抗変化メモリの抵抗状態と電子状態の相関関係

〇(M2)菅原広太^1,2、菅洋志^1,2、内藤泰久¹、島久¹、秋永広幸¹ (1.産総研、2.千葉工大)

13:15 〜 13:30

△ [12p-S203-2] Pt/Ti_0.96Co_0.04O_2-δ/Pt薄膜の界面状態制御による抵抗スイッチングと脳型特性

〇(M1)高田文朝¹、福島吉顕¹、土屋敬志²、樋口透¹ (1.東理大、2.物材機構)

13:30 〜 13:45

△ [12p-S203-3] Pt/Nb:SrTiO₃ショットキー接合の巨大抵抗変化におけるPt電極への不純物添加効果

〇村上大晟^1,2、大澤健男¹、石垣隆正²、大橋直樹¹ (1.物材機構、2.法政大院理工)

13:45 〜 14:00

△ [12p-S203-4] Pt/TaO_x/Ta₂O₅/Pt抵抗変化素子におけるフォーミング特性の酸素組成x依存性

〇(DC)宮谷俊輝¹、木本恒暢¹、西佑介^1,2 (1.京大院工、2.舞鶴高専)

14:00 〜 14:15

△ [12p-S203-5] Ti/Pr_0.7Ca_0.3MnO_x界面を有する抵抗変化素子における初期リセット電圧の低減

〇井室充登¹、木本恒暢¹、西佑介^1,2 (1.京大院工、2.舞鶴高専)

14:15 〜 14:30

△ [12p-S203-6] ZrO_x/電極界面への SiO_x層挿入による ReRAM 特性の改善

〇(M2)當山啓斗¹、秋山竜介¹、結城賢采¹、相川慎也¹ (1.工学院大工)

14:30 〜 14:45

▼ [12p-S203-7] Reversible Redox Control of Optoelectronic Properties of Hexagonal Tungsten Oxide Epitaxial Films Grown on YSZ Solid Electrolyte

〇(DC)GOWOON KIM¹、 Hai Jun Cho²、 Hiromichi Ohta² (1.IST-Hokkaido University、2.RIES-Hokkaido University)

14:45 〜 15:00

△ [12p-S203-8] LiV₂O₄エピタキシャル薄膜へのLiイオン挿入とその場構造解析

〇矢島達也¹、相馬拓人¹、大友明^1,2 (1.東工大物質理工、2.元素戦略)

15:15 〜 15:30

△ [12p-S203-9] Ca₂RuO₄エピタキシャル薄膜における電流誘起非線形伝導現象の高速化

〇椿啓司¹、福地厚¹、高橋庸夫¹、片瀬貴義²、神谷利夫²、有田正志¹ (1.北大院情報、2.東工大フロ研)

15:30 〜 15:45

▼ [12p-S203-10] High-Temperature Thermoelectric Figure of Merit of Ba_1/3CoO₂ Epitaxial Films

〇(P)Xi Zhang¹、 Yuqiao Zhang¹、 Liao Wu²、 Hai Jun Cho¹、 Hiromichi Ohta¹ (1.RIES Hokkaido Univ.、2.IST Hokkaido Univ.)

15:45 〜 16:00

△ [12p-S203-11] 酸化物基板上へのInSbエピタキシャル薄膜の製作

〇李邱穆¹、重松圭^1,2、東正樹^1,2 (1.東工大フロンティア材料研、2.KISTEC)

16:00 〜 16:15

△ [12p-S203-12] エピタキシャルNiO薄膜の物性および構造に及ぼすエキシマ真空紫外光照射の影響

〇(M2)金子健太¹、庄司拓貴¹、大賀友瑛¹、金子智^2,1、吉本護¹、松田晃史¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)

16:15 〜 16:30

△ [12p-S203-13] p型透明SnO薄膜の作製と溶液反応による硫化プロセスの検討

〇内田直理¹、相馬拓人¹、大友明^1,2 (1.東工大物質理工、2.元素戦略)

一般セッション(口頭講演)

[13a-S203-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2021年9月13日(月) 09:00 〜 11:30 S203 (口頭)

若林勇希(NTT)、上田浩平(阪大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:00 〜 09:15

[13a-S203-1] ガスソース分子線エピタキシーによるSrVO₃極薄膜のモット転移

〇高橋圭¹、十倉好紀^1,2、川﨑雅司^1,3 (1.理研 CEMS、2.東大東京カレッジ、3.東大院工)

09:15 〜 09:30

[13a-S203-2] SrNbO₃極薄膜の金属絶縁体転移

〇大熊光¹、片山裕美子¹、榊原烈桜¹、濱本杏果¹、門脇福延¹、上野和紀¹ (1.東大院総合)

09:30 〜 09:45

[13a-S203-3] 高品質SrRuO₃薄膜における大きなエピタキシャル歪みによる電気、磁気特性の制御

〇若林勇希¹、金田真悟¹、ヨシハルクロッケンバーガー¹、谷保芳孝¹、山本秀樹¹ (1.NTT物性研)

09:45 〜 10:00

[13a-S203-4] エピタキシャルSrRu_xO₃(x= 0.7 and 1) 薄膜でのオフストイキオメトリーの結晶構造、電気伝導特性への影響

〇若林勇希¹、金田真悟^1,2、ヨシハルクロッケンバーガー¹、瀧口耕介^1,2、大矢忍²、田中雅明²、谷保芳孝¹、山本秀樹¹ (1.NTT物性研、2.東大工)

10:00 〜 10:15

[13a-S203-5] NaClO溶液の酸化作用を利用した菱面体晶LaCuO₃薄膜の作製

〇浅沼周太郎¹ (1.産総研)

10:30 〜 10:45

[13a-S203-6] MOCVD堆積CuO薄膜のポストアニール処理による電気抵抗低減

〇成島光宣¹、伊勢真矢¹、川合晃平¹、石川博康^1,2 (1.芝浦工大、2.グリーンエレクトロニクス国際研究センター)

10:45 〜 11:00

[13a-S203-7] ナノ薄膜酸化チタンチャネルTFTのUV光応答メカニズム

〇廣瀬文彦¹ (1.山形大院理工)

11:00 〜 11:15

▲ [13a-S203-8] Extremely large strain in rutile-type RuO₂(100) epitaxial thin films

〇(DC)Zainab Fatima¹、 Daichi Oka¹、 Tomoteru Fukumura¹ (1.Tohoku Univ.)

11:15 〜 11:30

▲ [13a-S203-9] First-principles study of structural and electronic properties of graphene/MoS_{2} heterostructure

〇(D)Dian Putri Hastuti¹、 Kenji Nawa¹、 Kohji Nakamura¹ (1.Mie University)

一般セッション(口頭講演)

[13p-S203-1~15] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2021年9月13日(月) 13:00 〜 17:00 S203 (口頭)

藤田貴啓(東大)、相馬拓人(東工大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:00 〜 13:15

[13p-S203-1] NdNiO₃レジスターでのチャネル形状に依存したプロトン拡散挙動と抵抗変調特性

〇難波央¹、服部梓¹、田中秀和¹ (1.阪大産研)

13:15 〜 13:30

[13p-S203-2] NdNiO₃薄膜における水素誘起高抵抗化現象と密度汎関数理論シミュレーション

〇谷口勇貴¹、 Musa Alaydrus²、濱田幾太郎²、田中秀和¹ (1.阪大産研、2.阪大工)

13:30 〜 13:45

▲ [13p-S203-3] Hydrogenation Induced Phase Transition Modulation in Perovskite Nickelates Assisted by Metal-Acid System

〇(PC)HUI REN¹、 Ai Osaka¹、 Azusa Hattori¹、 Boyuan Yu¹、 Chongwen Zou²、 Hidekazu Tanaka¹ (1.SANKEN for Osaka University、2.NSRL for University of Science and Technology of China)

13:45 〜 14:00

[13p-S203-4] 固体素子によるVO₂転移速度の巨大ゲート変調

〇矢嶋赳彬¹、若藤祐斉²、鳥海明² (1.九大シス情、2.東大マテ)

14:00 〜 14:15

▲ [13p-S203-5] The dependence of phase temperature on the planarly confined VO₂ structures

〇(M1)Rui Li¹、 Ai Osaka¹、 Azusa Hattori¹、 Hidekazu Tanaka¹ (1.SANKEN, Osaka Univ.)

14:15 〜 14:30

▲ [13p-S203-6] Preparation of VO₂ ultra-thin films on the hexagonal Boron Nitride and their thicknesses dependence of electrical properties

〇(DC)Boyuan Yu¹、 Shingo Genchi¹、 Mahito Yamamoto²、 Kenji Watanabe³、 Takashi Taniguchi³、 Yasukazu Murakami⁴、 Takehiro Tamaoka⁴、 Hidekazu Tanaka¹ (1.Sanken, Osaka Univ、2.Kansai Univ、3.NIMS、4.Kyushu Univ)

14:30 〜 14:45

[13p-S203-7] ペロブスカイト型V酸化物の電子状態におけるエピタキシャル歪みの効果：フェルミ液体論とバンド計算による解析

〇相馬拓人¹、岡部宏和¹、大友明^1,2 (1.東工大物質理工学院、2.元素戦略)

15:00 〜 15:15

[13p-S203-8] 導電性スピネル型酸化物 CoV₂O₄(001)エピタキシャル薄膜の作製

〇日高温志¹、小泉洸生¹、柳原英人¹ (1.筑波大学)

15:15 〜 15:30

[13p-S203-9] SnO薄膜トランジスタのデバイス特性を支配するギャップ内準位の解明

〇簑原誠人¹、浅沼周太郎¹、浅井栄大¹、土橋優香²、三溝朱音²、手塚泰久³、小澤健一^4,5、間瀬一彦^5,6、菊地直人¹、相浦義弘¹ (1.産総研、2.東京理科大、3.弘前大、4.東工大、5.高エネ研、6.総研大)

15:30 〜 15:45

[13p-S203-10] 電気化学堆積法による透明なZnO/Cu-Mg(OH)₂ヘテロ接合ダイオードの作製

〇田中将也¹、市村正也¹ (1.名工大工)

15:45 〜 16:00

[13p-S203-11] エピタキシャル安定化による高圧相ペロブスカイト型CaSiO₃の大気圧下回収

〇(DC)笹原悠輝¹、清水亮太¹、西山宣正^2,3、東正樹³、一杉太郎¹ (1.東工大物質理工、2.住友電工アドバンス、3.東工大フロンティア)

16:00 〜 16:15

[13p-S203-12] 垂直磁気異方性をもつLSAT基板上のIrドープLSMOエピタキシャル薄膜

〇神永健一¹、鈴木貫太¹、丸山伸伍¹、松本祐司¹ (1.東北大院工)

16:15 〜 16:30

[13p-S203-13] NiCo₂O₄電極を用いた磁気トンネル接合における負のトンネル磁気抵抗効果

〇原吉典¹、辻榮朝香¹、島田敏宏²、長浜太郎² (1.北大院総化、2.北大院工)

16:30 〜 16:45

[13p-S203-14] 第一原理計算によるSrIrO₃薄膜における非線形スピンホール効果発現機構の解明

〇小塚裕介¹、増田啓介¹、三浦良雄¹、藤岡淳²、磯上慎二¹、ダスサイカット¹、大久保忠勝¹、葛西伸哉^1,3 (1.物材機構、2.筑波大、3.JSTさきがけ)

16:45 〜 17:00

[13p-S203-15] 二層膜Ni₈₁Fe₁₉-IrO₂におけるスピン軌道トルクの積層順序効果

〇上田浩平^1,2、木田孝則³、萩原政幸³、松野丈夫^1,2 (1.阪大理、2.阪大CSRN、3.阪大先端強磁場)

一般セッション(ポスター講演)

[22a-P03-1~16] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2021年9月22日(水) 09:00 〜 10:40 P03 (ポスター)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 10:40

[22a-P03-1] 二層膜Pt/La_2/3Ba_1/3MnO₃におけるスピンホール磁気抵抗効果

〇(M1)廣瀬有経¹、上田浩平^1,2、大河内真哉¹、木田孝則³、萩原政幸³、松野丈夫^1,2 (1.阪大理、2.阪大CSRN、3.阪大先端強磁場)

09:00 〜 10:40

[22a-P03-2] NdNiO₃薄膜の低温還元とSrドープによる超伝導体作製の試み

〇(M2)峠原拓弥¹、上田浩平^1,2、宮坂茂樹¹、松野丈夫^1,2 (1.阪大理、2.阪大CSRN)

09:00 〜 10:40

[22a-P03-3] 二層膜Co₂₀Fe₆₀B₂₀/多結晶IrO₂におけるスピン流生成

〇森本鉄郎¹、上田浩平^1,2、松野丈夫^1,2 (1.阪大理、2.阪大CSRN)

09:00 〜 10:40

[22a-P03-4] Pt/Ti_1-xFe_xO_2-_d/Ptクロスポイント構造膜の脳型的な電流応答

〇(M2)福島吉顕¹、石田潤一郎¹、高田文朝¹、堀場弘司²、組頭広志^2,3、樋口透¹ (1.東理大理、2.高エネ研、3.東北大多元研)

09:00 〜 10:40

[22a-P03-5] Hf添加液体金属合金の表面酸化膜を用いた抵抗変化型素子

〇永井慈¹、前田直輝¹、宮戸祐治¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

09:00 〜 10:40

[22a-P03-6] LED による g-C₃N₄ 光触媒性能に関する評価

〇塩津太一¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

09:00 〜 10:40

[22a-P03-7] 基板前処理による稠密で(002)配向したパルス電着ZnO膜の作製と光蓄電池への応用

〇東玲央¹、有働直輝¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹、小ヶ口晃² (1.鹿児島大院理工、2.ジョイソン・セイフティ・システムズ・ジャパン株式会社)

09:00 〜 10:40

[22a-P03-8] α-Fe₂O₃で増感したWO₃ナノファイバ光蓄電電極構造の充放電特性への影響

〇永渕佑太郎¹、田口和樹¹、堀江雄二¹、野見山輝明¹ (1.鹿児島大院理工)

09:00 〜 10:40

[22a-P03-9] 焼成回数によるg-C₃N₄粉末の触媒反応評価

〇立川雅貴¹、塩津太一¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工)

09:00 〜 10:40

[22a-P03-10] UV照射によるアポフェリチンの評価

〇川崎裕大¹、岡本尚文²、番貴彦¹、山本伸一¹ (1.龍谷大理工、2.奈良先端大)

09:00 〜 10:40

[22a-P03-11] イオン導電性向上に向けた固体電解質Na₃OBrへの格子歪みの導入

〇浅川寛明¹、石唯¹、村山真理子¹、趙新為¹ (1.東理大)

09:00 〜 10:40

[22a-P03-12] 電界紡糸ナノファイバ電極と固体電解質界面におけるイオン伝導特性

〇中釜悠気¹、西田士師¹、川崎慎吾¹、野見山輝明¹、堀江雄二¹ (1.鹿児島大院理工)

09:00 〜 10:40

[22a-P03-13] 有機金属分解（MOD）法によるLa_1-xSr_xMnO₃薄膜の作製とその電気および磁気伝導特性（II）

〇浜田康平¹、西山歩夢¹、片岡晴信¹、小堀裕己¹、山崎篤志¹ (1.甲南大学理工)

09:00 〜 10:40

[22a-P03-14] ミストCVD法によるα-V₂O₃薄膜のエピタキシャル成長

〇赤岩和明¹、阿部友紀¹、市野邦男¹ (1.鳥取大学)

09:00 〜 10:40

[22a-P03-15] 一軸圧縮熱処理による酸化バナジウム高配向薄膜の結晶相制御

〇(M1)庄司拓貴¹、金子健太¹、大賀友瑛¹、金子智^2,1、吉本護¹、松田晃史¹ (1.東工大物質理工、2.神奈川県産技総研)

09:00 〜 10:40

[22a-P03-16] SrTiO₃単結晶の結晶性の評価

〇倉持華子¹、ググシェフクリスト²、森泰蔵¹、リップマーミック¹ (1.東大物性研、2.ライプニッツ結晶成長研究所)

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